RF Power MOSFET Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
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Plazo de entrega 53 Semanas
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: 50

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
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Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
MouseReel Disponible
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: 150

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 150
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: 150

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
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No en existencias
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No
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
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No en existencias
Min.: 1
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No
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included
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No en existencias
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No
Microchip Technology VRF161
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
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Microchip Technology VRF2944MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR
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No en existencias
Min.: 10
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STMicroelectronics RF2L24280CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
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STMicroelectronics RF4L10700CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L051K0CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
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STMicroelectronics RF5L051K5CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L052K0CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L05500CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 550 W, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

STMicroelectronics RF5L05750CF2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

STMicroelectronics RF5L05950CF2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

STMicroelectronics RF5L0912750CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
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STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L1214750CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L15030CB2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 180
Mult.: 180
: 180

STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
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STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics STAC1011-500
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 80
Mult.: 80

Microchip Technology DRF1310
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 500 V 2000 W 30 MHz T4 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1