Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA120501EA-V1-R250
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PTVA123501EC-V2-R0
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PTVA123501EC-V2-R250
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PTVA123501FC-V1-R250
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PTVA127002EV-V1-R250
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PXAC210552FC-V1-R0
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S/261.34
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PXAC210552FC-V1-R2
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S/235.42
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PXAD184218FV-V1-R0
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S/684.73
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAD184218FV-V1-R2
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S/639.65
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N.º de artículo de Mouser 941-PXAD184218FV1R2
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PXAD214218FV-V1-R0
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50:
S/684.73
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N.º de artículo de Mouser 941-PXAD214218FV1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXFC191507FC-V1-R0
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S/332.96
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N.º de artículo de Mouser 941-PXFC191507FC1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXFC191507FC-V1-R250
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250:
S/303.30
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N.º de artículo de Mouser 941-PXFC191507FC1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXFC192207FH-V3-R250
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S/454.99
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N.º de artículo de Mouser 941-PXFC192207FH3R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
PXFE181507FC-V1-R0
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50:
S/274.03
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N.º de artículo de Mouser 941-PXFE181507FCV1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
PXFE181507FC-V1-R2
MACOM
250:
S/246.86
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 941-PXFE181507FCV1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
PXFE211507FC-V1-R0
MACOM
50:
S/274.03
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 941-PXFE211507FCV1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
PXFE211507FC-V1-R2
MACOM
250:
S/246.86
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 941-PXFE211507FCV1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W 1030-1090MHz
AFV10700HR5
NXP Semiconductors
1:
S/3,204.15
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-AFV10700HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W 1030-1090MHz
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
1
S/3,204.15
10
S/2,811.12
50
S/2,811.12
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Carrete :50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor 750 W
MRF13750HR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,460.74
Plazo de entrega 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MRF13750HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor 750 W
Plazo de entrega 53 Semanas
1
S/1,460.74
10
S/1,199.20
50
S/1,199.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300BN
NXP Semiconductors
1:
S/340.40
Plazo de entrega 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MRF300BN
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Plazo de entrega 53 Semanas
1
S/340.40
10
S/283.61
25
S/267.03
100
S/252.20
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
A2T08VD020NT1
NXP Semiconductors
1:
S/106.81
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-A2T08VD020NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
1
S/106.81
10
S/69.99
25
S/59.36
50
S/55.16
100
Ver
1,000
S/43.67
100
S/51.54
250
S/48.50
500
S/43.67
1,000
S/43.67
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
S/122.77
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS031GNR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
1
S/122.77
10
S/99.10
25
S/93.19
100
S/86.69
250
S/83.61
500
S/81.74
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET PLD1.5N
MRF1518NT1
NXP Semiconductors
1:
S/45.08
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1518NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET PLD1.5N
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
1
S/45.08
10
S/32.66
25
S/29.08
50
S/27.68
100
Ver
1,000
S/23.39
100
S/26.43
250
S/25.42
500
S/24.48
1,000
S/23.39
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
MRF6V12500HR5
NXP Semiconductors
1:
S/3,519.99
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRF6V12500HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
1
S/3,519.99
50
S/3,519.99
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :50
Detalles
Perú
