Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transient Voltage Suppressor Array
SZSMS24CT1G
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transient Voltage Suppressor Array
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3424CDV-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
SQ3457EV-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 5.2A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 4.7A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 100V 3.8A N-CH MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 100V 3.8A N-CH MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 30V 6.1A
SI3483CDV-T1-BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 30V 6.1A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQ3419AEEV-T1_BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3427EV-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
SQ3989EV-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación OVER CURRENT PROTECTION
NCP380LSNAJAAT1G
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S/2.57
71,054 En existencias
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación OVER CURRENT PROTECTION
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO
NVGS5120PT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A
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SI3129DV-T1-GE3
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A
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S/5.61
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S/1.45
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S/1.58
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S/1.37
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3437DV-T1-E3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 781-SI3437DV-T1-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
52,429 En existencias
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S/4.59
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S/3.07
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S/1.78
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S/1.39
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S/1.55
6,000
S/1.32
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Búfers y controladores de línea SOT457-1 X-TAL DRIVER
74LVC1GX04GV-Q100H
Nexperia
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Nexperia
Búfers y controladores de línea SOT457-1 X-TAL DRIVER
14,701 En existencias
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S/2.53
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S/1.29
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3,000
S/0.993
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3417DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/2.76
43,278 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI3417DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
43,278 En existencias
1
S/2.76
10
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Ver
1,000
S/0.747
6,000
S/0.58
9,000
S/0.51
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Búfers y controladores de línea 74HC2G34GV/SOT457/SC-74
74HC2G34GV,125
Nexperia
1:
S/1.60
63,603 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-HC2G34GV125
Nexperia
Búfers y controladores de línea 74HC2G34GV/SOT457/SC-74
63,603 En existencias
1
S/1.60
10
S/0.977
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S/0.747
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S/0.673
6,000
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1,000
S/0.716
6,000
S/0.557
9,000
S/0.467
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Puertas lógicas SOT457-1 SNGL 3-INPUT AND GT
74LVC1G11GV-Q100H
Nexperia
1:
S/0.584
119,613 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-74LVC1G11GVQ100H
Nexperia
Puertas lógicas SOT457-1 SNGL 3-INPUT AND GT
119,613 En existencias
1
S/0.584
10
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Ver
1,000
S/0.241
6,000
S/0.218
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/3.70
11,377 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSL211SPH6327XTS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
11,377 En existencias
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S/3.70
10
S/2.11
100
S/1.44
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S/1.04
6,000
S/0.771
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Carrete :3,000
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Inversores SOT457-1 DUAL INVERTER
74LVC2G04GV-Q100H
Nexperia
1:
S/0.856
35,023 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-74LVC2G04GVQ100H
Nexperia
Inversores SOT457-1 DUAL INVERTER
35,023 En existencias
1
S/0.856
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1,000
S/0.358
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S/0.327
24,000
S/0.315
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Carrete :3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3483CDV-T1-E3
Vishay / Siliconix
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S/6.38
6,981 En existencias
N.º de artículo de Mouser 781-SI3483CDV-E3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
6,981 En existencias
1
S/6.38
10
S/4.05
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S/2.69
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1,000
S/1.92
6,000
S/1.63
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Amplificadores operacionales - Op Amps 0.9-7V Sngl Rail to Rail Extended Temp
NCV2002SN2T1G
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N.º de artículo de Mouser 863-NCV2002SN2T1G
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Amplificadores operacionales - Op Amps 0.9-7V Sngl Rail to Rail Extended Temp
16,190 En existencias
1
S/2.49
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S/1.76
25
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250
S/1.28
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S/1.15
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS The factory is currently not accepting orders for this product.
PESD24VS4UD-QX
Nexperia
1:
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2,997 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PESD24VS4UD-QX
Nexperia
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS The factory is currently not accepting orders for this product.
2,997 En existencias
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S/4.28
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S/2.95
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S/1.87
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S/1.16
1,000
S/0.852
3,000
S/0.852
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Carrete :3,000
Detalles
