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TO-252-2 Semiconductores

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N.° de pieza

Diodos Schottky de SiC 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)

TSCDM10120G2H
Taiwan Semiconductor
2,500: S/8.87
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TSCDM10120G2H

N.º de artículo de Mouser
821-TSCDM10120G2H

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)

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S/8.87

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Diodos Schottky de SiC 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS

GE04MPS06E
GeneSiC Semiconductor
2,500: S/3.97
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
GE04MPS06E

N.º de artículo de Mouser
905-GE04MPS06E

GeneSiC Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS

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Envase tipo carrete

S/3.97

S/3.80

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Diodos Schottky de SiC 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS

GE06MPS06E
GeneSiC Semiconductor
2,500: S/4.94
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
GE06MPS06E

N.º de artículo de Mouser
905-GE06MPS06E

GeneSiC Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS

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S/4.94

S/4.75

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Diodos Schottky de SiC 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS

GE08MPS06E
GeneSiC Semiconductor
2,500: S/5.92
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
GE08MPS06E

N.º de artículo de Mouser
905-GE08MPS06E

GeneSiC Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS

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S/5.92

S/5.68

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Diodos Schottky de SiC 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS

GE10MPS06E
GeneSiC Semiconductor
2,500: S/6.97
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
GE10MPS06E

N.º de artículo de Mouser
905-GE10MPS06E

GeneSiC Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS

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S/6.97

S/6.70

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D-PAK MOSFET

RM15P55LD-T
Rectron
5,000: S/0.856
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
RM15P55LD-T

N.º de artículo de Mouser
583-RM15P55LD-T

Rectron

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D-PAK MOSFET

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Cinta cortada

S/0.856

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

RM20N60LD-T
Rectron
2,500: S/1.29
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
RM20N60LD-T

N.º de artículo de Mouser
583-RM20N60LD-T

Rectron

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

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S/1.29

S/1.28

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

RM30N100LD-T
Rectron
2,500: S/1.81
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
RM30N100LD-T

N.º de artículo de Mouser
583-RM30N100LD-T

Rectron

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

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S/1.81

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

RM30P55LD-T
Rectron
2,500: S/1.97
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
RM30P55LD-T

N.º de artículo de Mouser
583-RM30P55LD-T

Rectron

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

No en existencias

Envase tipo carrete

S/1.97

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

RM40N100LD-T
Rectron
2,500: S/1.71
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
RM40N100LD-T

N.º de artículo de Mouser
583-RM40N100LD-T

Rectron

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

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S/1.71

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

RM40P40LD-T
Rectron
2,500: S/1.56
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RM40P40LD-T

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583-RM40P40LD-T

Rectron

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

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S/1.56

S/1.53

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Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

RM50N60LD-T
Rectron
5,000: S/1.14
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RM50N60LD-T

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583-RM50N60LD-T

Rectron

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

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S/1.14

S/1.11

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Mult.: 2,500

: 2,500

Diodos Schottky de SiC SiC Schottky TO-252

SC3S12010C
Rectron
2,500: S/11.76
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SC3S12010C

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583-SC3S12010C

Rectron

Diodos Schottky de SiC SiC Schottky TO-252

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S/11.76

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D-PAK MOSFET

RM75N60LD-T
Rectron
2,500: S/1.22
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RM75N60LD-T

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583-RM75N60LD-T

Rectron

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D-PAK MOSFET

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S/1.22

S/1.15

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

RM80N30LD-T
Rectron
5,000: S/1.12
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RM80N30LD-T

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583-RM80N30LD-T

Rectron

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

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Cinta cortada

S/1.12

S/1.11

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D-PAK MOSFET

RM80N60LD-T
Rectron
2,500: S/1.30
No en existencias

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RM80N60LD-T

N.º de artículo de Mouser
583-RM80N60LD-T

Rectron

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D-PAK MOSFET

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S/1.30

S/1.23

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

RM90N30LD-T
Rectron
5,000: S/1.16
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RM90N30LD-T

N.º de artículo de Mouser
583-RM90N30LD-T

Rectron

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK

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Cinta cortada

S/1.16

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: 2,500

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