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TO-247-3 Semiconductores

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247

MSC025SMA120B
Microchip Technology
1: S/156.21
121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MSC025SMA120B

N.º de artículo de Mouser
494-MSC025SMA120B

Microchip Technology

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247

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121En existencias

S/156.21

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

STW15NK50Z
STMicroelectronics
1: S/23.20
820En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW15NK50Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW15NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

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820En existencias

S/23.20

S/13.66

S/10.24

S/9.54

S/9.26

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp

STW26NM50
STMicroelectronics
1: S/47.99
693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW26NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STW26NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp

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693En existencias

S/47.99

S/29.74

S/23.55

S/23.51

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

STW5NK100Z
STMicroelectronics
1: S/22.03
1,036En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW5NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW5NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

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1,036En existencias

S/22.03

S/12.38

S/10.24

S/9.96

S/8.87

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

STW65N60DM6
STMicroelectronics
1: S/32.70
478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

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478En existencias

S/32.70

S/22.23

S/16.31

S/13.51

S/13.00

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le

STWA40N90K5
STMicroelectronics
1: S/48.85
548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA40N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STWA40N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le

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S/48.85

S/36.59

S/34.45

S/34.29

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH072N60
onsemi
1: S/42.74
298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH072N60

N.º de artículo de Mouser
512-FCH072N60

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

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S/42.74

S/25.50

S/23.16

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Mult.: 1

IGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3

FGY120T65SPD-F085
onsemi
1: S/63.29
296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FGY120T65SPD-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FGY120T65SPDF085

onsemi

IGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3

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S/63.29

S/37.48

S/33.71

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IGBTs HOME APPLIANCES

IKFW60N60DH3EXKSA1
Infineon Technologies
1: S/37.64
650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IKFW60N60DH3EXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IKFW60N60DH3EXKS

Infineon Technologies

IGBTs HOME APPLIANCES

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S/37.64

S/23.94

S/19.19

S/17.87

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Mult.: 1

IGBTs TO247 3KV 32A IGBT

IXBH32N300
IXYS
1: S/329.34
201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXBH32N300

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747-IXBH32N300

IXYS

IGBTs TO247 3KV 32A IGBT

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S/329.34

S/280.92

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

IXFH34N65X2
IXYS
1: S/41.38
639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH34N65X2

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747-IXFH34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

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S/41.38

S/25.89

S/21.95

S/21.76

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds

IXFR140N20P
IXYS
1: S/89.45
245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFR140N20P

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747-IXFR140N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds

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S/89.45

S/56.56

S/55.12

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFX150N30P3
IXYS
1: S/105.72
626En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX150N30P3

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747-IXFX150N30P3

IXYS

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S/105.72

S/68.20

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A

IXFX80N50Q3
IXYS
1: S/154.38
710En existencias

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IXFX80N50Q3

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747-IXFX80N50Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A

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S/154.38

S/114.36

S/106.50

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFX80N60P3
IXYS
1: S/94.28
207En existencias

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IXFX80N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX80N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET

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S/94.28

S/59.91

S/58.97

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 2KV 3A N-CH HIVOLT

IXTH3N200P3HV
IXYS
1: S/147.56
196En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH3N200P3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH3N200P3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 2KV 3A N-CH HIVOLT

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S/147.56

S/103.66

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247

IXYX110N120B4
IXYS
1: S/109.38
1,406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYX110N120B4

N.º de artículo de Mouser
747-IXYX110N120B4

IXYS

IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247

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S/109.38

S/81.74

S/71.58

S/71.54

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 24A N-CH MOSFET

R6024KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/22.54
1,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6024KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 24A N-CH MOSFET

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1,156En existencias

S/22.54

S/16.70

S/15.06

S/14.21

S/12.69

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise

R6035ENZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/33.36
399En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6035ENZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6035ENZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise

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399En existencias

S/33.36

S/19.31

S/18.02

S/17.91

S/16.93

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N

SCT3105KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/73.57
1,619En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3105KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3105KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N

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1,619En existencias

S/73.57

S/59.67

S/59.36

S/58.93

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG30N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/29.19
570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG30N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG30N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

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570En existencias

S/29.19

S/19.73

S/16.31

S/14.48

S/12.85

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC 60MOHM 900V

NTHL060N090SC1
onsemi
1: S/44.84
1,078En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 60MOHM 900V

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1,078En existencias

S/44.84

S/33.24

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

NTHL080N120SC1A
onsemi
1: S/53.87
1,185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL080N120SC1A

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL080N120SC1A

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

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1,185En existencias

S/53.87

S/32.58

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3

UF3C065080K3S
onsemi
1: S/46.67
644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3

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644En existencias

S/46.67

S/28.14

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss

STGW75M65DF2
STMicroelectronics
1: S/28.69
665En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW75M65DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGW75M65DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss

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665En existencias

S/28.69

S/15.06

S/12.88

S/12.81

Min.: 1
Mult.: 1

TO-247-3 Semiconductores

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