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TO-247-3 Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V

NTHL110N65S3F
onsemi
1: S/39.82
9,611En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL110N65S3F

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL110N65S3F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V

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S/39.82

S/27.21

S/22.38

S/19.97

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Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3

BSDW20G120C2
Bourns
1: S/43.13
2,918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSDW20G120C2

N.º de artículo de Mouser
652-BSDW20G120C2

Bourns

Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3

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S/43.13

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S/25.42

S/21.95

S/21.91

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea

FCH190N65F-F155
onsemi
1: S/30.17
5,930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH190N65F-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH190N65F_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea

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S/30.17

S/20.47

S/14.64

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.56
2,656En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/50.56

S/30.44

S/26.39

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MOSFETs de SiC 20MW 1200V

NVHL020N120SC1
onsemi
1: S/203.69
893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

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893En existencias

S/203.69

S/138.34

S/135.15

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

IPW65R095C7
Infineon Technologies
1: S/31.45
716En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R095C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

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S/31.45

S/21.06

S/16.93

S/14.99

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Rectificadores y diodos Schottky 80A 100V

VX80M100PWHM3/P
Vishay Semiconductors
1: S/25.77
1,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VX80M100PWHM3/P

N.º de artículo de Mouser
78-VX80M100PWHM3/P

Vishay Semiconductors

Rectificadores y diodos Schottky 80A 100V

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S/25.77

S/15.03

S/12.46

S/10.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG22N60E-E3
Vishay / Siliconix
1: S/22.23
1,363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG22N60E-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SIHG22N60E-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

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S/22.23

S/12.85

S/10.63

S/8.91

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IGBTs IGBT 1200V 75A UFS

FGY75T120SQDN
onsemi
1: S/45.39
404En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FGY75T120SQDN

N.º de artículo de Mouser
863-FGY75T120SQDN

onsemi

IGBTs IGBT 1200V 75A UFS

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S/45.39

S/27.21

S/22.65

S/21.88

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MOSFETs de SiC 60MOHM

NVHL060N090SC1
onsemi
1: S/76.02
214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 60MOHM

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S/76.02

S/41.73

S/39.63

S/39.00

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 14A N-CH MOSFET

IRFP450APBF
Vishay Semiconductors
1: S/20.63
2,032En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP450APBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFP450APBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 14A N-CH MOSFET

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S/11.05

S/9.30

S/8.45

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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC

VS-3C40CP07L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/42.74
672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VS-3C40CP07L-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C40CP07L-M3

Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC

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672En existencias

S/42.74

S/27.09

S/23.59

S/20.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6
Infineon Technologies
1: S/19.50
804En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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804En existencias

S/19.50

S/12.77

S/9.54

S/7.94

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 25A 60V 125W PNP

TIP36AG
onsemi
1: S/17.94
1,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TIP36AG

N.º de artículo de Mouser
863-TIP36AG

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 25A 60V 125W PNP

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1,048En existencias

S/17.94

S/8.99

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Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 30A

FFSH30120ADN-F155
onsemi
1: S/71.23
511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FFSH30120ADN-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FFSH30120ADNF155

onsemi

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 30A

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511En existencias

S/71.23

S/44.10

S/41.18

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 900V

IRFPF30PBF
Vishay Semiconductors
1: S/25.85
570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFPF30PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFPF30PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 900V

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570En existencias

S/25.85

S/16.93

S/12.46

S/11.05

S/9.96

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AD

SIHW47N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/43.52
902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHW47N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHW47N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AD

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902En existencias

S/43.52

S/25.85

S/21.99

S/21.72

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 23A N-CH MOSFET

IRFP254PBF
Vishay Semiconductors
1: S/20.12
6,894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP254PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFP254PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 23A N-CH MOSFET

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6,894En existencias

S/20.12

S/11.76

S/9.93

S/8.37

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Mult.: 1

Rectificadores FREDS - TO-247

VS-C5PW6006L-N3
Vishay
1: S/24.80
271En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VS-C5PW6006L-N3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-C5PW6006L-N3

Vishay

Rectificadores FREDS - TO-247

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271En existencias

S/24.80

S/16.27

S/11.95

S/9.50

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET

IXTH2N170D2
IXYS
1: S/116.85
313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH2N170D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH2N170D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET

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313En existencias

S/116.85

S/82.21

S/75.09

S/72.60

Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores y diodos Schottky 60 Amp 60 Volt Dual Common Cath

M6060P-E3/45
Vishay Semiconductors
1: S/15.18
1,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
M6060P-E3/45

N.º de artículo de Mouser
625-M6060P-E3

Vishay Semiconductors

Rectificadores y diodos Schottky 60 Amp 60 Volt Dual Common Cath

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1,699En existencias

S/15.18

S/9.93

S/8.52

S/7.71

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Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD

IXYH100N65C5
IXYS
1: S/62.16
70En existencias
300Se espera el 18/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXYH100N65C5

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH100N65C5

IXYS

IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD

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70En existencias

300Se espera el 18/01/2027

S/62.16

S/43.44

S/33.32

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

UF3C065040K3S
onsemi
1: S/75.94
1,166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

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1,166En existencias

S/75.94

S/47.37

S/41.07

S/39.04

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS 8 1000 V 14 A TO-247

APT14F100B
Microchip Technology
1: S/25.57
1,512En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT14F100B

N.º de artículo de Mouser
494-APT14F100B

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS 8 1000 V 14 A TO-247

Hoja de datos

1,512En existencias

S/25.57

S/25.26

S/24.09

S/23.78

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS 7 300 V 75 mOhm TO-247

APT30M75BFLLG
Microchip Technology
1: S/43.71
543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT30M75BFLLG

N.º de artículo de Mouser
494-APT30M75BFLLG

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS 7 300 V 75 mOhm TO-247

Hoja de datos

543En existencias

S/43.71

S/41.18

S/40.68

S/40.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

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