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TO-247-3 Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

IXTX400N20X4
IXYS
1: S/113.54
8En existencias
300Se espera el 19/06/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXTX400N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX400N20X4

Nuevo producto

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

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300Se espera el 19/06/2026

S/113.54

S/91.63

S/80.15

S/75.55

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

CDMS24740-170 SL PBFREE
Central Semiconductor
1: S/153.95
27En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
CDMS24740-170 SL PBFREE

N.º de artículo de Mouser
610-CDMS24740-170SL

Nuevo producto

Central Semiconductor

MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

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27En existencias

S/153.95

S/125.96

S/111.29

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
STMicroelectronics
1: S/27.52
623En existencias
600Se espera el 2/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N028T

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

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623En existencias

600Se espera el 2/07/2026

S/27.52

S/18.41

S/14.79

S/13.16

S/11.60

Min.: 1
Mult.: 1

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC

VS-3C20CP07L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/29.66
512En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VS-3C20CP07L-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C20CP07L-M3

Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC

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512En existencias

S/29.66

S/16.31

S/13.90

S/12.73

Min.: 1
Mult.: 1

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC

VS-3C40CP07L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/42.04
672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VS-3C40CP07L-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C40CP07L-M3

Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC

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672En existencias

S/42.04

S/27.09

S/23.59

S/20.86

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS

FDH44N50
onsemi
1: S/40.29
6,580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDH44N50

N.º de artículo de Mouser
512-FDH44N50

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS

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6,580En existencias

S/40.29

S/23.90

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD

IXYH100N65C5
IXYS
1: S/62.16
70En existencias
300Se espera el 6/11/2026
Nuevo producto

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IXYH100N65C5

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH100N65C5

Nuevo producto

IXYS

IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD

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70En existencias

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S/62.16

S/43.44

S/33.32

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

SCT3080KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/93.11
1,137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

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1,137En existencias

S/93.11

S/59.01

S/57.92

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 650V TO247

NTHL019N65S3H
onsemi
1: S/105.14
839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL019N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL019N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 650V TO247

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839En existencias

S/105.14

S/74.15

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247

BIDW50N65T
Bourns
1: S/26.04
2,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BIDW50N65T

N.º de artículo de Mouser
652-BIDW50N65T

Bourns

IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247

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2,180En existencias

S/26.04

S/14.83

S/12.38

S/11.60

S/11.29

Min.: 1
Mult.: 1

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC

VS-3C16CP07L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/26.04
886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VS-3C16CP07L-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C16CP07L-M3

Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC

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886En existencias

S/26.04

S/16.00

S/12.14

S/10.59

Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier

MBR40100WT
Littelfuse
1: S/22.07
7,962En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MBR40100WT

N.º de artículo de Mouser
576-MBR40100WT

Littelfuse

Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier

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7,962En existencias

S/22.07

S/14.83

S/11.68

S/11.29

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

IKW40N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.32
7,820En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IKW40N65ET7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

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7,820En existencias

S/23.32

S/15.26

S/11.25

S/10.00

S/8.87

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/91.43
1,492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R017C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,492En existencias

S/91.43

S/68.27

S/59.05

S/55.90

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs TO247 3KV 32A IGBT

IXBH32N300
IXYS
1: S/329.34
201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXBH32N300

N.º de artículo de Mouser
747-IXBH32N300

IXYS

IGBTs TO247 3KV 32A IGBT

Hoja de datos

201En existencias

S/329.34

S/284.62

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IXFX64N60P
IXYS
1: S/108.64
1,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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1,148En existencias

S/108.64

S/71.51

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds

IXTH12N100L
IXYS
1: S/112.84
914En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH12N100L

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH12N100L

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds

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914En existencias

S/112.84

S/81.74

S/72.17

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs TO247 1200V 85A XPT

IXYH85N120A4
IXYS
1: S/88.05
1,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH85N120A4

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH85N120A4

IXYS

IGBTs TO247 1200V 85A XPT

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1,390En existencias

S/88.05

S/55.66

S/55.39

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247

IXYX110N120B4
IXYS
1: S/101.36
1,256En existencias
150Se espera el 15/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXYX110N120B4

N.º de artículo de Mouser
747-IXYX110N120B4

IXYS

IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247

Hoja de datos

1,256En existencias

150Se espera el 15/06/2026

S/101.36

S/81.20

S/72.48

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/191.63
389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3022ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3022ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

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389En existencias

S/191.63

S/157.92

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC

IRFP064NPBF
Infineon Technologies
1: S/15.22
13,580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP064NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP064NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC

Hoja de datos

13,580En existencias

S/15.22

S/9.93

S/7.20

S/6.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package

IKQ100N120CS7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/56.95
1,112En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IKQ100N120CS7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IKQ100N120CS7XKS

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package

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1,112En existencias

S/56.95

S/43.40

S/36.16

S/32.23

S/30.13

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package

IKQ120N120CS7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/63.49
601En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IKQ120N120CS7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IKQ120N120CS7XKS

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package

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601En existencias

S/63.49

S/48.34

S/40.29

S/35.93

S/33.55

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

NTHL075N065SC1
onsemi
1: S/41.84
653En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL075N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL075N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

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653En existencias

S/41.84

S/24.80

S/21.02

S/20.75

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA

IXTH75N10L2
IXYS
1: S/81.70
2,769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH75N10L2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH75N10L2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA

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2,769En existencias

S/81.70

S/51.26

S/49.75

Min.: 1
Mult.: 1

TO-247-3 Semiconductores

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