Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, DC - 7 GHz, 50?
PSA2-6+
Mini-Circuits
1:
S/22.42
3,318 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
PSA2-6+
N.º de artículo de Mouser 139-PSA2-6+
Mini-Circuits
Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, DC - 7 GHz, 50?
3,318 En existencias
1
S/22.42
20
S/20.20
50
S/18.14
100
S/16.35
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S/14.17
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S/15.22
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Amplificador de RF DC-5GHz NF 2.85dB Gain 16.9dB
QPA0363ATR7
Qorvo
1:
S/8.72
19,096 En existencias
N.º de artículo de Mouser 772-QPA0363ATR7
Qorvo
Amplificador de RF DC-5GHz NF 2.85dB Gain 16.9dB
19,096 En existencias
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1
S/8.72
10
S/8.64
25
S/6.85
100
S/5.41
250
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S/2.96
250
S/4.48
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S/3.78
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/1.63
143,156 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
143,156 En existencias
1
S/1.63
10
S/1.01
100
S/0.81
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S/0.771
3,000
S/0.697
6,000
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S/0.74
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S/0.677
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SC70-6
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SI1416EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/2.69
517,905 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI1416EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SC70-6
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S/2.69
10
S/1.65
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S/1.06
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S/0.802
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S/0.557
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.58
201,463 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
201,463 En existencias
1
S/3.58
10
S/2.24
100
S/1.45
500
S/1.11
3,000
S/0.86
6,000
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S/0.74
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.39
130,683 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
130,683 En existencias
1
S/3.39
10
S/2.10
100
S/1.36
500
S/1.04
3,000
S/0.802
6,000
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S/0.938
6,000
S/0.736
9,000
S/0.677
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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S/3.04
181,173 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
181,173 En existencias
1
S/3.04
10
S/1.89
100
S/1.22
500
S/0.926
3,000
S/0.712
6,000
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S/0.833
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S/0.65
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S/0.588
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.04
127,420 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
127,420 En existencias
1
S/3.04
10
S/1.88
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S/1.21
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S/0.926
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S/0.708
6,000
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S/0.833
6,000
S/0.65
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S/0.576
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
NVTJD4001NT1G
onsemi
1:
S/2.02
929,293 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NVTJD4001NT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
929,293 En existencias
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1
S/2.02
10
S/1.25
100
S/0.79
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S/0.596
3,000
S/0.596
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
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SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.58
138,084 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
138,084 En existencias
1
S/3.58
10
S/2.24
100
S/1.45
500
S/1.11
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S/0.86
6,000
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S/1.00
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S/0.79
9,000
S/0.728
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6
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SI1467DH-T1-E3
Vishay Semiconductors
1:
S/4.36
101,803 En existencias
N.º de artículo de Mouser 781-SI1467DH-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6
101,803 En existencias
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1
S/4.36
10
S/2.71
100
S/1.77
500
S/1.37
3,000
S/1.01
6,000
Ver
1,000
S/1.24
6,000
S/0.961
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified
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SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.39
295,656 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified
295,656 En existencias
1
S/3.39
10
S/2.10
100
S/1.36
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S/1.04
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S/0.802
6,000
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1,000
S/0.938
6,000
S/0.736
9,000
S/0.67
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/1.63
308,976 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
308,976 En existencias
1
S/1.63
10
S/1.01
100
S/0.81
500
S/0.771
3,000
S/0.697
6,000
Ver
1,000
S/0.74
6,000
S/0.677
9,000
S/0.67
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Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja SW 80V 100MA
UMP11NTN
ROHM Semiconductor
1:
S/2.65
30,433 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-UMP11NTN
ROHM Semiconductor
Diodos de Conmutación de Señal Baja SW 80V 100MA
30,433 En existencias
1
S/2.65
10
S/1.49
100
S/1.00
500
S/0.794
3,000
S/0.51
6,000
Ver
1,000
S/0.708
6,000
S/0.475
9,000
S/0.424
24,000
S/0.42
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
+2 imágenes
SI1467DH-T1-BE3
Vishay
1:
S/4.36
59,532 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 78-SI1467DH-T1-BE3
Fin de vida útil
Vishay
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
59,532 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.36
10
S/2.21
100
S/1.59
500
S/1.34
1,000
S/1.23
3,000
S/0.961
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2PCH 12V 1.14A
+2 imágenes
SI1965DH-T1-BE3
Vishay
1:
S/2.96
135,204 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 78-SI1965DH-T1-BE3
Fin de vida útil
Vishay
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2PCH 12V 1.14A
135,204 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.96
10
S/1.84
100
S/1.19
500
S/0.907
1,000
S/0.817
3,000
S/0.619
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Traducción - Niveles de tensión NXS0101GW-Q100/SOT363/SC-88
NXS0101GW-Q100H
Nexperia
1:
S/1.52
2,584 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-NXS0101GW-Q100H
Nexperia
Traducción - Niveles de tensión NXS0101GW-Q100/SOT363/SC-88
2,584 En existencias
1
S/1.52
10
S/1.03
25
S/0.907
100
S/0.771
3,000
S/0.596
6,000
Ver
250
S/0.708
500
S/0.67
1,000
S/0.638
6,000
S/0.584
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Amplificador de RF ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS
PSA-5454+
Mini-Circuits
1:
S/9.54
718 En existencias
N.º de artículo de Mouser 139-PSA-5454
Mini-Circuits
Amplificador de RF ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS
718 En existencias
1
S/9.54
50
S/9.30
100
S/8.99
200
S/8.60
500
S/8.60
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :500
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40 / 40V 200mW
+2 imágenes
MMDT4413-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/1.87
35,282 En existencias
6,000 Se espera el 9/04/2027
N.º de artículo de Mouser 621-MMDT4413-F
Diodes Incorporated
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40 / 40V 200mW
35,282 En existencias
6,000 Se espera el 9/04/2027
1
S/1.87
10
S/1.14
100
S/0.821
500
S/0.502
3,000
S/0.502
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Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 950
Carrete :3,000
Detalles
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP N+N 150MA 8V FT=16G
+2 imágenes
MCH6001-TL-E
onsemi
1:
S/4.09
6,710 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-MCH6001-TL-E
onsemi
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP N+N 150MA 8V FT=16G
6,710 En existencias
1
S/4.09
10
S/2.48
100
S/1.27
3,000
S/1.27
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 320
Carrete :3,000
Detalles
Transistores digitales DUAL PNP 200mW
DDA114EU-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/1.48
61,438 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-DDA114EU-F
Diodes Incorporated
Transistores digitales DUAL PNP 200mW
61,438 En existencias
1
S/1.48
10
S/0.798
100
S/0.537
500
S/0.401
1,000
S/0.343
3,000
S/0.23
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SC70-6
+2 imágenes
SI1411DH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/5.37
11,374 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI1411DH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SC70-6
11,374 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.37
10
S/3.38
100
S/2.23
500
S/1.74
3,000
S/1.38
6,000
Ver
1,000
S/1.58
6,000
S/1.29
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6
+2 imágenes
SI1427EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/2.49
20,923 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI1427EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6
20,923 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.49
10
S/1.55
100
S/0.989
500
S/0.747
3,000
S/0.553
6,000
Ver
1,000
S/0.67
6,000
S/0.494
9,000
S/0.455
24,000
S/0.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP3906AYS-Q/SOT363/SC-88
PMP3906AYS-QZ
Nexperia
1:
S/2.72
9,478 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PMP3906AYS-QZ
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP3906AYS-Q/SOT363/SC-88
9,478 En existencias
1
S/2.72
10
S/1.67
100
S/1.07
500
S/0.814
10,000
S/0.533
20,000
Ver
1,000
S/0.658
5,000
S/0.584
20,000
S/0.49
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :10,000
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky 40V 200mW
BAS40BRW-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/2.61
33,024 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-BAS40BRW-F
Diodes Incorporated
Rectificadores y diodos Schottky 40V 200mW
33,024 En existencias
1
S/2.61
10
S/1.62
100
S/1.04
3,000
S/1.04
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 350
Carrete :3,000
Detalles
