GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
TGF2954
Qorvo
Disponibilidad restringida
N.º de artículo del Fabricante
TGF2954
N.º de artículo de Mouser
772-TGF2954
Qorvo
GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
Detalles
Mezclador de RF 20 to 42GHz I/Q Mixer
Analog Devices HMC8192-SX
HMC8192-SX
Analog Devices
2:
S/1,012.95
12 En existencias
N.º de artículo de Mouser
584-HMC8192-SX
Analog Devices
Mezclador de RF 20 to 42GHz I/Q Mixer
12 En existencias
Embalaje alternativo
2
S/1,012.95
10
S/973.71
26
S/973.24
Comprar
Min.: 2
Mult.: 2
Detalles
Circuitos integrados de interruptores de RF 27-46 GHz SPDT VPIN Switch
Qorvo TGS4302
TGS4302
Qorvo
100:
S/139.27
100 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
TGS4302
N.º de artículo de Mouser
772-TGS4302
Qorvo
Circuitos integrados de interruptores de RF 27-46 GHz SPDT VPIN Switch
100 En existencias
Comprar
Min.: 100
Mult.: 100
Detalles
Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 35-45 GHz
HMC-ALH376-SX
Analog Devices
2:
S/779.78
4 En existencias
N.º de artículo de Mouser
584-HMC-ALH376-SX
Analog Devices
Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 35-45 GHz
4 En existencias
Embalaje alternativo
2
S/779.78
10
S/733.81
26
S/733.54
Comprar
Min.: 2
Mult.: 2
Detalles
Amplificador de RF 2 GHz to 30 GHz, GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier
HMC8400-SX
Analog Devices
2:
S/1,427.22
4 En existencias
N.º de artículo de Mouser
584-HMC8400-SX
Analog Devices
Amplificador de RF 2 GHz to 30 GHz, GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier
4 En existencias
Embalaje alternativo
2
S/1,427.22
10
S/1,335.52
26
S/1,309.90
Comprar
Min.: 2
Mult.: 2
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
MWT-PH15F
CML Micro
10:
S/561.61
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH15F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
100 En existencias
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
CGHV60075D5-GP4
MACOM
Disponibilidad restringida
N.º de artículo de Mouser
941-CGHV60075D
MACOM
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
Detalles
Amplificador de RF Sample Pack
ADPA7004CHIP-SX
Analog Devices
2:
S/1,882.45
2 En existencias
N.º de artículo de Mouser
584-ADPA7004CHIP-SX
Analog Devices
Amplificador de RF Sample Pack
2 En existencias
2
S/1,882.45
10
S/1,674.05
Comprar
Min.: 2
Mult.: 2
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
MWT-PH8F
CML Micro
10:
S/469.79
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH8F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
100 En existencias
10
S/469.79
30
S/449.39
100
S/434.75
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
MWT-PH9F
CML Micro
10:
S/368.19
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH9F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
100 En existencias
10
S/368.19
30
S/367.96
100
S/324.98
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky Diode,Schottky,ZBD,Chip
MACOM MA4E931Z2-1261A
MA4E931Z2-1261A
MACOM
100:
S/41.38
1,100 Se espera el 29/07/2026
N.º de artículo de Mouser
937-MA4E931Z2-1261A
MACOM
Rectificadores y diodos Schottky Diode,Schottky,ZBD,Chip
1,100 Se espera el 29/07/2026
Comprar
Min.: 100
Mult.: 100
Detalles
Circuitos integrados de interruptores de RF 2-18GHz ISO 40dB IL 1.3dB @ 18GHz
MACOM MA4SW310B-1
MA4SW310B-1
MACOM
50:
S/205.68
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser
937-MA4SW310B-1
MACOM
Circuitos integrados de interruptores de RF 2-18GHz ISO 40dB IL 1.3dB @ 18GHz
50 En existencias
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 24-40 GHz
HMC-ALH244-SX
Analog Devices
2:
S/848.29
4 En existencias
N.º de artículo de Mouser
584-HMC-ALH244-SX
Analog Devices
Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 24-40 GHz
4 En existencias
Embalaje alternativo
2
S/848.29
10
S/847.36
26
S/834.12
Comprar
Min.: 2
Mult.: 2
Detalles
Amplificador de RF I.C., DC-20GHz PA Die
HMC465-SX
Analog Devices
2:
S/2,393.11
2 En existencias
N.º de artículo de Mouser
584-HMC465-SX
Analog Devices
Amplificador de RF I.C., DC-20GHz PA Die
2 En existencias
Embalaje alternativo
2
S/2,393.11
10
S/2,391.28
Comprar
Min.: 2
Mult.: 2
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
MWT-LN600
CML Micro
10:
S/125.84
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-LN600
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
100 En existencias
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-PH27F71
MWT-PH27F71
CML Micro
1:
S/218.14
1 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH27F71
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
1 En existencias
1
S/218.14
10
S/218.14
25
S/188.83
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
10
Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 27-40 GHz
Analog Devices HMC-ALH140-SX
HMC-ALH140-SX
Analog Devices
2:
S/756.35
2 En existencias
N.º de artículo de Mouser
584-HMC-ALH140-SX
Analog Devices
Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 27-40 GHz
2 En existencias
Embalaje alternativo
2
S/756.35
10
S/604.39
26
S/597.42
Comprar
Min.: 2
Mult.: 2
Detalles
Amplificador de RF DC-40 GHz Distributed Amplifier DIE
Qorvo CMD242
CMD242
Qorvo
1:
S/1,348.87
5 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
CMD242
N.º de artículo de Mouser
772-CMD242
Qorvo
Amplificador de RF DC-40 GHz Distributed Amplifier DIE
5 En existencias
1
S/1,348.87
10
S/1,163.35
25
S/1,056.97
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Mezclador de RF 6 GHz to 14 GHz, GaAs, MMIC, Double-Balanced Mixer
Analog Devices HMC553AG-SX
HMC553AG-SX
Analog Devices
2:
S/570.45
4 En existencias
N.º de artículo de Mouser
584-HMC553AG-SX
Analog Devices
Mezclador de RF 6 GHz to 14 GHz, GaAs, MMIC, Double-Balanced Mixer
4 En existencias
2
S/570.45
10
S/460.68
26
S/450.40
Comprar
Min.: 2
Mult.: 2
Detalles
Memoria flash tipo NAND SLC 4G 4GX1 TBGA
MT29F4G01ABBFD12-AAT:F TR
Micron
1:
S/169.01
380 En existencias
Verificar estado con la fábrica
N.º de artículo de Mouser
340-378550-REEL
Verificar estado con la fábrica
Micron
Memoria flash tipo NAND SLC 4G 4GX1 TBGA
380 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/169.01
2,000
S/169.01
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
Carrete :
2,000
Detalles
Atenuadores DC-50 GHz Fixed Attenuator-6dB
Qorvo TGL4201-06
TGL4201-06
Qorvo
200:
S/14.32
200 En existencias
N.º de artículo de Mouser
772-TGL4201-06
Qorvo
Atenuadores DC-50 GHz Fixed Attenuator-6dB
200 En existencias
200
S/14.32
600
S/14.25
2,600
S/13.97
Comprar
Min.: 200
Mult.: 200
Detalles
Atenuadores DC-50 GHz Fixed Atten-10dB
Qorvo TGL4201-10
TGL4201-10
Qorvo
200:
S/14.79
200 En existencias
N.º de artículo de Mouser
772-TGL4201-10
Qorvo
Atenuadores DC-50 GHz Fixed Atten-10dB
200 En existencias
200
S/14.79
600
S/14.67
2,600
S/14.40
Comprar
Min.: 200
Mult.: 200
Detalles
Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 14-27 GHz
Analog Devices HMC-ALH476-SX
HMC-ALH476-SX
Analog Devices
2:
S/574.42
8 En existencias
N.º de artículo de Mouser
584-HMC-ALH476-SX
Analog Devices
Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 14-27 GHz
8 En existencias
Embalaje alternativo
2
S/574.42
10
S/540.05
26
S/539.89
Comprar
Min.: 2
Mult.: 2
Detalles
Circuitos integrados de interruptores de RF 50MHz-26GHz IL .9dB @20GHz
MACOM MA4SW410
MA4SW410
MACOM
50:
S/110.04
200 En existencias
N.º de artículo de Mouser
937-MA4SW410
MACOM
Circuitos integrados de interruptores de RF 50MHz-26GHz IL .9dB @20GHz
200 En existencias
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
EPC2090
EPC
1:
S/16.27
2,139 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo del Fabricante
EPC2090
N.º de artículo de Mouser
65-EPC2090
Nuevo producto
EPC
GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
2,139 En existencias
1
S/16.27
10
S/10.70
100
S/7.51
500
S/6.27
2,500
S/5.22
5,000
S/5.10
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles