GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
CGH60030D-GP4
MACOM
10:
S/526.73
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N.º de artículo de Mouser 941-CGH60030D
MACOM
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
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Detectores de fase/ tramoyistas 400 deg Analog Phase Shifter, 5 - 18 GHz
HMC247-SX
Analog Devices
2:
S/1,014.77
4 En existencias
N.º de artículo de Mouser 584-HMC247-SX
Analog Devices
Detectores de fase/ tramoyistas 400 deg Analog Phase Shifter, 5 - 18 GHz
4 En existencias
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2
S/1,014.77
10
S/996.79
26
S/996.25
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Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC) 4.7Kohm 1% 3435K 1% Silver Term
NTCC200E4472FT
Vishay / BC Components
1:
S/4.28
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N.º de artículo de Mouser 594-NTCC200E4472FT
Vishay / BC Components
Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC) 4.7Kohm 1% 3435K 1% Silver Term
4,822 En existencias
1
S/4.28
10
S/4.09
25
S/3.81
50
S/3.63
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S/2.19
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S/3.08
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S/3.05
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S/2.76
1,000
S/2.72
2,000
S/2.19
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Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC) NTC BARE DIE AG2 4.7K 1% TAPE E4
NTCC201E4472FT-C
Vishay / BC Components
50:
S/3.97
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N.º de artículo de Mouser 594-NTCC201E4472FT-C
Vishay / BC Components
Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC) NTC BARE DIE AG2 4.7K 1% TAPE E4
150 En existencias
50
S/3.97
100
S/3.89
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S/3.44
1,000
S/3.29
2,500
S/3.04
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Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC) NTC BARE DIE AG2 20K 1% TAPE E4
NTCC201E4203FT-C
Vishay / BC Components
50:
S/3.82
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser 594-NTCC201E4203FT-C
Vishay / BC Components
Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC) NTC BARE DIE AG2 20K 1% TAPE E4
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50
S/3.82
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S/3.27
1,000
S/3.01
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S/2.78
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
+4 imágenes
MWT-PH33F
CML Micro
10:
S/67.46
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N.º de artículo de Mouser 938-MWT-PH33F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
30 En existencias
10
S/67.46
30
S/67.34
100
S/55.43
250
S/52.00
500
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500
S/51.38
10,000
Presupuesto
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Amplificador de RF Driver amp, 18-40GHz
HMC635-SX
Analog Devices
2:
S/1,200.80
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N.º de artículo de Mouser 584-HMC635-SX
Analog Devices
Amplificador de RF Driver amp, 18-40GHz
4 En existencias
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2
S/1,200.80
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S/1,177.95
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S/1,177.71
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Circuitos integrados de interruptores de RF 2-18GHz ISO 40dB IL 1.3dB @ 18GHz
MACOM MA4SW310B-1
MA4SW310B-1
MACOM
50:
S/205.72
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser 937-MA4SW310B-1
MACOM
Circuitos integrados de interruptores de RF 2-18GHz ISO 40dB IL 1.3dB @ 18GHz
50 En existencias
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Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 27-40 GHz
Analog Devices HMC-ALH140-SX
HMC-ALH140-SX
Analog Devices
2:
S/756.35
2 En existencias
N.º de artículo de Mouser 584-HMC-ALH140-SX
Analog Devices
Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 27-40 GHz
2 En existencias
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2
S/756.35
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S/604.39
26
S/597.42
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Atenuadores 50ohm 6 Bit 31.5dB 0.5dB, 1.0dB Digital Step Attenuator, optional ext. Vss
PE43508A-V
pSemi
1:
S/304.94
191 En existencias
N.º de artículo de Mouser 81-PE43508A-V
pSemi
Atenuadores 50ohm 6 Bit 31.5dB 0.5dB, 1.0dB Digital Step Attenuator, optional ext. Vss
191 En existencias
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
MWT-LN300
CML Micro
10:
S/130.83
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser 938-MWT-LN300
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
50 En existencias
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
MWT-LN600
CML Micro
10:
S/135.50
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser 938-MWT-LN600
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
100 En existencias
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GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
CGH60060D-GP4
MACOM
10:
S/565.58
40 En existencias
N.º de artículo de Mouser 941-CGH60060D
MACOM
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
40 En existencias
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Mezclador de RF 6 GHz to 14 GHz, GaAs, MMIC, Double-Balanced Mixer
Analog Devices HMC553AG-SX
HMC553AG-SX
Analog Devices
2:
S/570.45
4 En existencias
N.º de artículo de Mouser 584-HMC553AG-SX
Analog Devices
Mezclador de RF 6 GHz to 14 GHz, GaAs, MMIC, Double-Balanced Mixer
4 En existencias
2
S/570.45
10
S/460.68
26
S/450.40
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Amplificador de RF Sample Pack
ADPA7004CHIP-SX
Analog Devices
2:
S/1,840.14
2 En existencias
N.º de artículo de Mouser 584-ADPA7004CHIP-SX
Analog Devices
Amplificador de RF Sample Pack
2 En existencias
2
S/1,840.14
10
S/1,674.55
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
MWT-PH9F
CML Micro
10:
S/278.78
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser 938-MWT-PH9F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
100 En existencias
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GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
CG2H80060D-GP4
MACOM
10:
S/547.95
60 En existencias
N.º de artículo de Mouser 941-CG2H80060D-GP4
MACOM
GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
60 En existencias
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Min.: 10 Mult.: 10
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Amplificador de RF GaAs HEMT MMIC Med pow amp, 50 - 66 GHz
Analog Devices HMC-ABH241-SX
HMC-ABH241-SX
Analog Devices
2:
S/1,306.25
4 En existencias
N.º de artículo de Mouser 584-HMC-ABH241-SX
Analog Devices
Amplificador de RF GaAs HEMT MMIC Med pow amp, 50 - 66 GHz
4 En existencias
Embalaje alternativo
2
S/1,306.25
10
S/1,296.67
26
S/1,296.28
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Amplificador de RF HMC8412Chips
Analog Devices HMC8412CHIPS-SX
HMC8412CHIPS-SX
Analog Devices
2:
S/390.18
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser 584-HMC8412CHIPS-SX
Analog Devices
Amplificador de RF HMC8412Chips
50 En existencias
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Amplificador de RF 7.9-11GHz 25W GaN
QPA1011D
Qorvo
10:
S/1,764.39
10 En existencias
N.º de artículo de Mouser 772-QPA1011D
Qorvo
Amplificador de RF 7.9-11GHz 25W GaN
10 En existencias
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Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 35-45 GHz
HMC-ALH376-SX
Analog Devices
2:
S/727.70
4 En existencias
N.º de artículo de Mouser 584-HMC-ALH376-SX
Analog Devices
Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 35-45 GHz
4 En existencias
Embalaje alternativo
2
S/727.70
10
S/720.23
26
S/713.73
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Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
MWT-PH15F
CML Micro
10:
S/426.73
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser 938-MWT-PH15F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
100 En existencias
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GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
CG2H80015D-GP4
MACOM
10:
S/404.55
60 En existencias
N.º de artículo de Mouser 941-CG2H80015D-GP4
MACOM
GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
60 En existencias
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Detalles
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
CGHV60075D5-GP4
MACOM
10:
S/705.13
10 En existencias
N.º de artículo de Mouser 941-CGHV60075D
MACOM
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
10 En existencias
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Min.: 10 Mult.: 10
Detalles
GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
EPC2090
EPC
1:
S/15.22
1,901 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo del Fabricante
EPC2090
N.º de artículo de Mouser 65-EPC2090
Nuevo producto
EPC
GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
1,901 En existencias
1
S/15.22
10
S/10.00
100
S/7.01
500
S/6.27
1,000
S/5.96
2,500
S/5.10
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
