Acondicionamiento de señales 4 Way SMA Power Divider from 800 MHz to 2.5 GHz Rated at 20 Watts
PE20DV012
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S/1,128.16
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28-PE20DV012
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Acondicionamiento de señales 4 Way SMA Power Divider from 800 MHz to 2.5 GHz Rated at 20 Watts
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1
S/1,128.16
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S/972.66
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Protectores contra sobretensiones conectorizados Type N F/F Bulkhead Coaxial RF Surge Protector, DC - 6GHz, 90W, IP67, 60 V Max., 5mJ, 20kA, Gas Discharge Tube
GT-NFF-AL
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Protectores contra sobretensiones conectorizados Type N F/F Bulkhead Coaxial RF Surge Protector, DC - 6GHz, 90W, IP67, 60 V Max., 5mJ, 20kA, Gas Discharge Tube
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Protectores contra sobretensiones conectorizados Type N F/M Bulkhead Coaxial RF Surge Protector, DC - 6GHz, 90W, IP67, 60 V Max., 5mJ, 20kA, Gas Discharge Tube
GT-NFM-AL
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S/253.32
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Protectores contra sobretensiones conectorizados Type N F/M Bulkhead Coaxial RF Surge Protector, DC - 6GHz, 90W, IP67, 60 V Max., 5mJ, 20kA, Gas Discharge Tube
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Acondicionamiento de señales 3 Way SMA Wilkinson Power Divider From 690 MHz to 2.7 GHz Rated at 10 Watts
PE2090
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S/1,230.42
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PE2090
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Acondicionamiento de señales 3 Way SMA Wilkinson Power Divider From 690 MHz to 2.7 GHz Rated at 10 Watts
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S/1,230.42
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S/1,163.97
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Protectores contra sobretensiones conectorizados TNC F/F Bulkhead Coaxial RF Surge Protector, DC - 7GHz, DC Pass, 90W, IP67, 4mJ, 20kA, Gas Discharge Tube
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44-GT-TFF-AL
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Protectores contra sobretensiones conectorizados TNC F/F Bulkhead Coaxial RF Surge Protector, DC - 7GHz, DC Pass, 90W, IP67, 4mJ, 20kA, Gas Discharge Tube
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Diodos de Conmutación de Señal Baja SWITCHING DIODE GENPURP SOD323
BAV21WS-HE3_A-08
Vishay
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78-BAV21WS-HE3_A-08
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Vishay
Diodos de Conmutación de Señal Baja SWITCHING DIODE GENPURP SOD323
215,651 En existencias
1
S/2.57
10
S/1.77
100
S/1.12
500
S/0.693
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S/0.452
6,000
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S/0.514
6,000
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9,000
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24,000
S/0.315
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Atenuadores - interrelacionados 10dB RF fixed attenuator 2W, DC to 6GHz, SMA male to female, Stainless Steel
PE7602-10
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S/212.02
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28-PE7602-10
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Atenuadores - interrelacionados 10dB RF fixed attenuator 2W, DC to 6GHz, SMA male to female, Stainless Steel
159 En existencias
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S/212.02
10
S/184.39
25
S/177.30
50
S/171.39
100
S/161.93
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Acondicionamiento de señales Thin Film SMT Band Pass Filter, 6100 - 6900 MHz, 50?
ABF-6R5G+
Mini-Circuits
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S/608.32
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139-ABF-6R5G+
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Mini-Circuits
Acondicionamiento de señales Thin Film SMT Band Pass Filter, 6100 - 6900 MHz, 50?
61 En existencias
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S/608.32
10
S/562.74
20
S/529.54
50
S/514.78
100
S/514.78
500
Ver
500
Presupuesto
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100
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
IAUCN08S7N036TATMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.99
2,995 En existencias
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726-IAUCN08S7N036TAT
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
2,995 En existencias
1
S/11.99
10
S/7.75
100
S/5.33
500
S/4.32
2,000
S/3.48
10,000
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1,000
S/4.13
10,000
S/3.39
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
IMZA75R025M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/61.77
436 En existencias
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726-IMZA75R025M2HXKS
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Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
436 En existencias
1
S/61.77
10
S/47.06
100
S/39.20
480
S/34.95
1,200
S/29.66
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
ISC008N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/23.12
3,468 En existencias
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726-ISC008N06LM6ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
3,468 En existencias
1
S/23.12
10
S/15.14
100
S/11.29
500
S/9.46
1,000
Ver
5,000
S/8.21
1,000
S/8.76
2,500
S/8.21
5,000
S/8.21
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5,000
Detalles
MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
IMZA75R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/44.41
358 En existencias
240 Se espera el 31/05/2027
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726-IMZA75R040M2HXKS
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Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
358 En existencias
240 Se espera el 31/05/2027
1
S/44.41
10
S/32.11
100
S/26.74
480
S/23.82
1,200
S/20.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/14.52
2,070 En existencias
10,000 En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-ISC024N08NM7ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
2,070 En existencias
10,000 En pedido
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2,070 Se puede enviar inmediatamente
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5,000 Se espera el 30/07/2026
5,000 Se espera el 13/05/2027
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52 Semanas
1
S/14.52
10
S/9.46
100
S/6.89
500
S/5.76
1,000
Ver
5,000
S/5.02
1,000
S/5.37
2,500
S/5.02
5,000
S/5.02
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5,000
Diodos Zener ZENER DIODE SOD323
GDZ16B-HE3_A08
Vishay
1:
S/2.10
43,480 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-GDZ16B-HE3_A08
Nuevo producto
Vishay
Diodos Zener ZENER DIODE SOD323
43,480 En existencias
1
S/2.10
10
S/1.45
100
S/0.919
500
S/0.58
3,000
S/0.444
6,000
Ver
1,000
S/0.506
6,000
S/0.378
9,000
S/0.249
24,000
S/0.23
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3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.51
5,451 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S7L040ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
5,451 En existencias
1
S/13.51
10
S/8.76
100
S/6.15
500
S/5.14
1,000
Ver
5,000
S/4.48
1,000
S/4.79
2,500
S/4.48
5,000
S/4.48
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Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQRS160EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/15.26
7,945 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-SQRS160EP-T1_GE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
7,945 En existencias
1
S/15.26
10
S/12.26
100
S/10.04
500
S/8.17
3,000
S/5.33
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, Gain Block Amplifier, 0.01 GHz to 12 GHz, 50ohm, 2x2 mm QFN Style
PMA2-123LNW+
Mini-Circuits
1:
S/128.84
227 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
139-PMA2-123LNW+
Nuevo producto
Mini-Circuits
Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, Gain Block Amplifier, 0.01 GHz to 12 GHz, 50ohm, 2x2 mm QFN Style
227 En existencias
1
S/128.84
10
S/128.80
20
S/104.32
50
S/93.89
100
Ver
500
S/78.32
100
S/93.42
200
S/92.17
500
S/78.32
1,000
Presupuesto
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500
Detalles
MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
AIMDQ75R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/43.56
787 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-AIMDQ75R040M2HXT
Nuevo producto
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
787 En existencias
1
S/43.56
10
S/30.79
100
S/25.65
500
S/22.85
750
S/21.37
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
750
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.98
2,344 En existencias
10,000 Se espera el 13/08/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISC034N08NM7ATMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
2,344 En existencias
10,000 Se espera el 13/08/2026
1
S/10.98
10
S/7.08
100
S/4.87
500
S/3.93
1,000
Ver
5,000
S/3.43
1,000
S/3.67
2,500
S/3.55
5,000
S/3.43
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.13
2,544 En existencias
6,000 Se espera el 2/07/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IQEH42NE2LM7ZCGS
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
2,544 En existencias
6,000 Se espera el 2/07/2026
1
S/17.13
10
S/11.21
100
S/8.37
500
S/7.01
1,000
Ver
6,000
S/6.11
1,000
S/6.50
2,500
S/6.11
6,000
S/6.11
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
6,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
ISCH57N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.78
1,197 En existencias
8,000 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISCH57N04NM7VSCA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
1,197 En existencias
8,000 En pedido
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1,197 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
4,000 Se espera el 20/08/2026
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53 Semanas
1
S/16.78
10
S/10.98
100
S/8.17
500
S/6.85
1,000
Ver
4,000
S/5.37
1,000
S/6.34
2,000
S/5.92
4,000
S/5.37
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ461EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1:
S/12.92
1,863 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SQJ461EP-T1_NE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
1,863 En existencias
1
S/12.92
10
S/8.37
100
S/5.80
500
S/4.83
1,000
Ver
1,000
S/4.67
3,000
S/4.20
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ463EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1:
S/18.14
4,413 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ463EP-T1_NE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
4,413 En existencias
1
S/18.14
10
S/11.87
100
S/8.87
500
S/7.43
1,000
Ver
1,000
S/7.20
3,000
S/6.50
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Resistores bobinados - a través de orificio FWFU 5W 2R4 5%
1-2176794-8
TE Connectivity / Neohm
1:
S/5.84
958 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
279-1-2176794-8
Nuevo producto
TE Connectivity / Neohm
Resistores bobinados - a través de orificio FWFU 5W 2R4 5%
958 En existencias
1
S/5.84
10
S/3.36
25
S/2.73
100
S/2.05
250
Ver
250
S/1.83
500
S/1.63
1,000
S/1.49
5,000
S/1.43
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Resistores bobinados - a través de orificio FWFU 7W 4R7 5%
2-2176795-5
TE Connectivity / Neohm
1:
S/7.28
912 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
279-2-2176795-5
Nuevo producto
TE Connectivity / Neohm
Resistores bobinados - a través de orificio FWFU 7W 4R7 5%
912 En existencias
1
S/7.28
10
S/4.16
25
S/3.41
100
S/2.56
250
Ver
250
S/2.28
500
S/1.97
1,000
S/1.82
5,000
S/1.62
10,000
S/1.54
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles