Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NTK3134N & NTK3139P Power MOSFETs

Power MOSFETs with ESD protection provide optimal performance in space-saving packages for portable applications.

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Resultados: 6

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Polaridad del transistor

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection

NTK3134NT3G
onsemi
1: S/1.48
415En existencias
80,000Se espera el 12/02/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTK3134NT3G

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863-NTK3134NT3G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection

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S/1.48

S/0.884

S/0.553

S/0.393

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Envase tipo carrete

S/0.191

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 40,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

890 mA

1.2 Ohms

- 8 V, 8 V

1.2 V

- 55 C

+ 150 C

450 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET SOT723 20V 780MA 0.4

NTK3139PT3G
onsemi
1: S/0.817
6,957En existencias
80,000Se espera el 22/01/2027
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NTK3139PT3G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET SOT723 20V 780MA 0.4

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S/0.817

S/0.494

S/0.385

S/0.366

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Envase tipo carrete

S/0.315

Min.: 1
Mult.: 1

: 40,000

SMD/SMT

SOT-723-3

P-Channel

1 Channel

20 V

780 mA

2.2 Ohms

6 V

1.2 V

- 55 C

+ 150 C

450 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/6V N CH T1 890mA 0.3

NTK3134NT1G
onsemi
1: S/4.48
1,143En existencias
120,000En pedido

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NTK3134NT1G

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863-NTK3134NT1G

onsemi

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S/4.48

S/3.10

S/1.96

S/1.21

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Envase tipo carrete

S/0.689

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,940

: 4,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

890 mA

350 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

- 55 C

+ 150 C

550 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/6V P CH T1 780mA 0.4

NTK3139PT5G
onsemi
1: S/1.36
198En existencias
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NTK3139PT5G

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863-NTK3139PT5G

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S/1.36

S/0.794

S/0.49

S/0.354

S/0.30

Envase tipo carrete

S/0.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,050

: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

P-Channel

1 Channel

20 V

780 mA

380 mOhms

- 6 V, 6 V

1.2 V

- 55 C

+ 150 C

310 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/6V P CH T1 780mA 0.4

NTK3139PT1G
onsemi
1: S/2.41
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NTK3139PT1G

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863-NTK3139PT1G

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S/2.41

S/1.46

S/0.923

S/0.693

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Envase tipo carrete

S/0.358

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,530

: 4,000

SMD/SMT

SOT-723-3

P-Channel

1 Channel

20 V

780 mA

380 mOhms

- 6 V, 6 V

1.2 V

- 55 C

+ 150 C

310 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/6V N CH T1

NTK3134NT5G
onsemi
1: S/1.28
256,000En pedido

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NTK3134NT5G

N.º de artículo de Mouser
863-NTK3134NT5G

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S/1.28

S/0.716

S/0.459

S/0.389

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S/0.179

MouseReel Disponible

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Mult.: 1
Máx.: 8,980

: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

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890 mA

200 mOhms

- 8 V, 8 V

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- 55 C

+ 150 C

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