Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Resultados: 720

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V

IXFH12N100P
IXYS
1: S/39.20
1,382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V

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Hoja de datos

1,382En existencias

S/39.20

S/30.67

S/25.53

S/22.77

S/20.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

12 A

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

3.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

463 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

IXFH140N10P
IXYS
1: S/38.07
1,276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH140N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH140N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

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Hoja de datos

1,276En existencias

S/38.07

S/24.72

S/20.98

S/20.24

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

140 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A

IXFH15N100Q3
IXYS
1: S/67.61
199En existencias
300Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A

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Hoja de datos

199En existencias

300Se espera el 16/11/2026

S/67.61

S/43.32

S/38.85

S/38.81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

15 A

1.05 Ohms

- 30 V, 30 V

6.5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

690 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1

IXFH16N120P
IXYS
1: S/80.22
280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH16N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH16N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1

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280En existencias

S/80.22

S/51.61

S/46.98

S/46.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

IXFH170N25X3
IXYS
1: S/83.07
139En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH170N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH170N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

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139En existencias

S/83.07

S/61.66

S/52.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

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1 Channel

250 V

170 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 1000V 1 Rds

IXFH20N100P
IXYS
1: S/56.75
277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 1000V 1 Rds

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Hoja de datos

277En existencias

S/56.75

S/34.76

S/34.72

S/29.31

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

20 A

570 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

126 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

IXFH26N50P3
IXYS
1: S/34.99
1,331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH26N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH26N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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Hoja de datos

1,331En existencias

S/34.99

S/19.85

S/17.36

S/15.61

S/15.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

26 A

240 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 30A

IXFH30N50P
IXYS
1: S/38.93
77En existencias
2,550Se espera el 28/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 30A

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Hoja de datos

77En existencias

2,550Se espera el 28/04/2026

S/38.93

S/30.28

S/27.29

S/22.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

30 A

200 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A

IXFH30N50Q3
IXYS
1: S/57.73
490En existencias
180Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N50Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N50Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A

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490En existencias

180Se espera el 27/07/2026

S/57.73

S/34.95

S/30.44

S/29.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

30 A

200 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

690 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A

IXFH320N10T2
IXYS
1: S/64.69
1,167En existencias
780Se espera el 10/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH320N10T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH320N10T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A

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Hoja de datos

1,167En existencias

780Se espera el 10/04/2026

S/64.69

S/40.68

S/35.50

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

320 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

430 nC

- 55 C

+ 175 C

1 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A

IXFH340N075T2
IXYS
1: S/49.36
1,481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH340N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH340N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A

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Hoja de datos

1,481En existencias

S/49.36

S/30.28

S/29.31

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

75 V

340 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

IXFH34N50P3
IXYS
1: S/40.48
280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH34N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH34N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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Hoja de datos

280En existencias

S/40.48

S/23.98

S/20.36

S/18.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

500 V

34 A

180 mOhms

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

IXFH36N50P
IXYS
1: S/44.30
274En existencias
300Se espera el 23/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

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Hoja de datos

274En existencias

300Se espera el 23/09/2026

S/44.30

S/26.51

S/22.58

S/21.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

36 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A

IXFH44N50P
IXYS
1: S/52.00
228En existencias
300Se espera el 16/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH44N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH44N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A

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Hoja de datos

228En existencias

300Se espera el 16/06/2026

S/52.00

S/31.57

S/27.09

S/26.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

44 A

140 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

650 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFH50N60P3
IXYS
1: S/44.14
475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH50N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH50N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

475En existencias

S/44.14

S/25.46

S/22.73

S/21.45

S/21.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

145 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

94 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFH50N85X
IXYS
1: S/61.07
270En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH50N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH50N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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Hoja de datos

270En existencias

S/61.07

S/39.70

S/39.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

850 V

50 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds

IXFH69N30P
IXYS
1: S/50.45
164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH69N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH69N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds

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Hoja de datos

164En existencias

S/50.45

S/37.68

S/32.58

S/30.83

S/26.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

69 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

156 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2

IXFH80N65X2
IXYS
1: S/59.09
851En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH80N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH80N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

851En existencias

S/59.09

S/36.36

S/32.74

S/32.19

S/32.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

IXFK100N65X2
IXYS
1: S/78.94
534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK100N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK100N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

534En existencias

S/78.94

S/64.97

S/56.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

30 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds

IXFK120N20P
IXYS
1: S/58.66
389En existencias
1,450En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXFK120N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK120N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds

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Hoja de datos

389En existencias

1,450En pedido

S/58.66

S/43.17

S/36.98

S/33.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

120 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

152 nC

- 55 C

+ 175 C

714 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds

IXFK140N30P
IXYS
1: S/90.11
639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK140N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK140N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

639En existencias

S/90.11

S/58.54

S/53.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

140 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A

IXFK170N10P
IXYS
1: S/57.49
1,398En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK170N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK170N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A

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Hoja de datos

1,398En existencias

S/57.49

S/35.93

S/30.83

S/29.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

198 nC

- 55 C

+ 175 C

714 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 Amps 100V 0.0075 Rds

IXFK200N10P
IXYS
1: S/77.81
123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK200N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK200N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 Amps 100V 0.0075 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

123En existencias

S/77.81

S/58.66

S/49.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

100 V

200 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

235 nC

- 55 C

+ 175 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 300V 210A N-CH X3CLASS

IXFK210N30X3
IXYS
1: S/134.21
207En existencias
450Se espera el 13/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFK210N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK210N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 300V 210A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

207En existencias

450Se espera el 13/05/2026

S/134.21

S/102.76

S/99.03

S/82.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

210 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A

IXFK24N100Q3
IXYS
1: S/94.98
130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK24N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK24N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A

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Hoja de datos

130En existencias

S/94.98

S/69.56

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

24 A

440 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

1 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W