Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Resultados: 720

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFB132N50P3
IXYS
1: S/104.44
142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFB132N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB132N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET

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142En existencias

S/104.44

S/68.98

S/65.98

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

132 A

39 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

250 nC

- 55 C

+ 150 C

1.89 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

IXFH18N100Q3
IXYS
1: S/67.57
264En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH18N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH18N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

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Hoja de datos

264En existencias

S/67.57

S/46.94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

18 A

660 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A

IXFH22N60P
IXYS
1: S/35.19
269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH22N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH22N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A

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269En existencias

S/35.19

S/18.92

S/16.47

S/16.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

5.5 V

58 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V/90A X3-Class HiPerFET

IXFP90N20X3
IXYS
1: S/20.28
269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP90N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP90N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V/90A X3-Class HiPerFET

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269En existencias

S/20.28

S/18.37

S/15.49

S/14.91

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

12.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

IXFX420N10T
IXYS
1: S/80.54
261En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX420N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX420N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

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Hoja de datos

261En existencias

S/80.54

S/47.76

S/45.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

420 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

670 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 52A

IXFH52N30Q
IXYS
1: S/56.87
91En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH52N30Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH52N30Q

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 52A

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Hoja de datos

91En existencias

S/56.87

S/38.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

52 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247

IXFH34N65X2W
IXYS
1: S/33.71
584En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXFH34N65X2W

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH34N65X2W

Nuevo producto

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247

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Hoja de datos

584En existencias

S/33.71

S/24.52

S/20.40

S/18.18

S/16.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

100 mOhms

30 V

5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247

IXFH46N65X2W
IXYS
1: S/39.86
551En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXFH46N65X2W

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH46N65X2W

Nuevo producto

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247

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Hoja de datos

551En existencias

S/39.86

S/31.18

S/25.96

S/23.12

S/20.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

69 mOhms

30 V

5.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFP10N80P
IXYS
1: S/21.76
292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP10N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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Hoja de datos

292En existencias

S/21.76

S/11.64

S/11.37

S/11.21

S/11.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

5.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

IXFQ26N50P3
IXYS
1: S/32.04
286En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFQ26N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ26N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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Hoja de datos

286En existencias

S/32.04

S/21.10

S/15.06

S/14.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

500 V

26 A

240 mOhms

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

IXFT120N15P
IXYS
1: S/48.73
172En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT120N15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT120N15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

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Hoja de datos

172En existencias

S/48.73

S/25.07

S/24.99

S/24.06

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2

IXFB150N65X2
IXYS
1: S/104.28
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFB150N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB150N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

51En existencias

S/104.28

S/88.24

S/85.48

S/84.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

650 V

150 A

17 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

430 nC

- 55 C

+ 150 C

1.56 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFP20N85X
IXYS
1: S/36.63
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP20N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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Hoja de datos

238En existencias

S/36.63

S/20.24

S/17.17

S/16.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

850 V

20 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 250V 150A N-CH X3CLASS

IXFT150N25X3HV
IXYS
1: S/106.69
59En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT150N25X3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT150N25X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 250V 150A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

59En existencias

S/106.69

S/68.90

S/65.20

S/65.16

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

150 A

9 mOhms

- 10 V, 10 V

2.5 V

154 nC

- 55 C

+ 150 C

735 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 140A N-CH X3CLASS

IXFH140N20X3
IXYS
1: S/58.31
105En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH140N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH140N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 140A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

105En existencias

S/58.31

S/37.76

S/30.71

S/30.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

140 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

127 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id26 BVdass500

IXFH26N50P
IXYS
1: S/35.19
4,160En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH26N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH26N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id26 BVdass500

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Hoja de datos

4,160En existencias

S/35.19

S/20.86

S/17.59

S/17.28

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

26 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

IXFK32N100X
IXYS
1: S/94.43
255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

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Hoja de datos

255En existencias

S/94.43

S/61.42

S/59.28

S/54.81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A

IXFR80N50P
IXYS
1: S/100.58
256En existencias
420En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXFR80N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR80N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A

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Hoja de datos

256En existencias

420En pedido

S/100.58

S/75.86

S/71.19

S/59.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

45 A

72 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 300V 120A N-CH X3CLASS

IXFT120N30X3HV
IXYS
1: S/71.12
2,472En existencias
30Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT120N30X3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT120N30X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 300V 120A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

2,472En existencias

30Se espera el 23/02/2026

S/71.12

S/49.67

S/49.63

S/47.41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

120 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

735 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 150V 400A N-CH 4CLASS

IXTK400N15X4
IXYS
1: S/225.69
1,409En existencias
375Se espera el 17/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTK400N15X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK400N15X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 150V 400A N-CH 4CLASS

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Hoja de datos

1,409En existencias

375Se espera el 17/04/2026

S/225.69

S/166.44

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

150 V

400 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

430 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

IXFA180N10T2
IXYS
1: S/28.18
769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA180N10T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA180N10T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

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Hoja de datos

769En existencias

S/28.18

S/16.62

S/15.22

S/13.55

S/13.04

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 26A N-CH X3CLASS

IXFA26N30X3
IXYS
1: S/23.04
2,204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA26N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA26N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 26A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

2,204En existencias

S/23.04

S/14.29

S/11.09

S/9.26

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

300 V

26 A

66 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFB210N30P3
IXYS
1: S/123.90
245En existencias
700En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXFB210N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB210N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Obtenga más información

Hoja de datos

245En existencias

700En pedido

S/123.90

S/105.68

S/92.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

210 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

268 nC

- 55 C

+ 150 C

1.89 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 1000V 0.22 Rds

IXFB44N100P
IXYS
1: S/128.61
381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFB44N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB44N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 1000V 0.22 Rds

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Hoja de datos

381En existencias

S/128.61

S/109.69

S/95.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

44 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

305 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 1000V

IXFH10N100P
IXYS
1: S/35.30
337En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH10N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 1000V

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Hoja de datos

337En existencias

S/35.30

S/20.75

S/17.48

S/15.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

10 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

6.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

380 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W