Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Resultados: 720

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/34A Ultra Junction X2-Class

IXFP34N65X2
IXYS
1: S/31.53
503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP34N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/34A Ultra Junction X2-Class

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Hoja de datos

503En existencias

S/31.53

S/17.36

S/15.92

S/13.78

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/34A OVERMOLDED TO-220

IXFP34N65X2M
IXYS
1: S/34.33
184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP34N65X2M

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP34N65X2M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/34A OVERMOLDED TO-220

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Hoja de datos

184En existencias

S/34.33

S/20.63

S/18.49

S/14.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 36A N-CH X3CLASS

IXFP36N20X3
IXYS
1: S/21.14
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP36N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP36N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 36A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

100En existencias

S/21.14

S/11.33

S/10.32

S/8.56

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

36 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 38A N-CH X3CLASS

IXFP38N30X3
IXYS
1: S/26.35
218En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP38N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP38N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 38A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

218En existencias

S/26.35

S/14.13

S/12.92

S/10.86

S/10.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

38 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 38A N-CH X3CLASS

IXFP38N30X3M
IXYS
1: S/22.69
210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP38N30X3M

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP38N30X3M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 38A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

210En existencias

S/22.69

S/12.14

S/11.13

S/10.90

S/10.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

38 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 1KV 4A N-CH POLAR

IXFP4N100PM
IXYS
1: S/28.77
407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP4N100PM

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP4N100PM

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 1KV 4A N-CH POLAR

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Hoja de datos

407En existencias

S/28.77

S/20.32

S/15.41

S/12.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

2.1 A

3.3 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 5 Amps 1000V

IXFP5N100P
IXYS
1: S/23.16
362En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP5N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP5N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 5 Amps 1000V

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Hoja de datos

362En existencias

S/23.16

S/13.12

S/12.61

S/10.00

S/9.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

5 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

33.4 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFP60N25X3
IXYS
1: S/35.93
229En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP60N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP60N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

229En existencias

S/35.93

S/22.58

S/20.20

S/16.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

60 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFP60N25X3M
IXYS
1: S/36.20
206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP60N25X3M

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP60N25X3M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

206En existencias

S/36.20

S/19.97

S/18.37

S/16.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

60 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFP80N25X3
IXYS
1: S/40.17
210En existencias
300Se espera el 30/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFP80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

210En existencias

300Se espera el 30/09/2026

S/40.17

S/22.42

S/20.67

S/18.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

80 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 250V 120A N-CH X3CLASS

IXFQ120N25X3
IXYS
1: S/54.69
10En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFQ120N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ120N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 250V 120A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

10En existencias

S/54.69

S/37.52

S/31.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P

N-Channel

1 Channel

250 V

120 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds

IXFR140N20P
IXYS
1: S/70.57
30En existencias
300Se espera el 25/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFR140N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR140N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds

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Hoja de datos

30En existencias

300Se espera el 25/02/2026

S/70.57

S/53.41

S/47.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

240 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A

IXFT15N100Q3
IXYS
1: S/77.15
43En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT15N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT15N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A

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Hoja de datos

43En existencias

S/77.15

S/48.46

S/43.48

S/43.44

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

15 A

1.05 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

690 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFT50N60P3
IXYS
1: S/48.58
7En existencias
300Se espera el 10/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT50N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT50N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

7En existencias

300Se espera el 10/11/2026

S/48.58

S/34.92

S/29.35

S/27.29

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

145 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

94 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFT94N30P3
IXYS
1: S/60.29
16En existencias
810Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT94N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT94N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Obtenga más información

Hoja de datos

16En existencias

810Se espera el 16/07/2026

S/60.29

S/42.39

S/35.85

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

94 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

IXFT96N20P
IXYS
1: S/52.51
168En existencias
510Se espera el 25/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT96N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT96N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

168En existencias

510Se espera el 25/02/2026

S/52.51

S/31.88

S/27.36

S/26.47

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

96 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

145 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A

IXFX520N075T2
IXYS
1: S/65.86
27En existencias
300Se espera el 1/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFX520N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX520N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A

Obtenga más información

Hoja de datos

27En existencias

300Se espera el 1/09/2026

S/65.86

S/40.79

S/35.50

S/35.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

75 V

520 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

545 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V 18 Rds

IXTA102N15T
IXYS
1: S/19.19
261En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA102N15T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA102N15T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V 18 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

261En existencias

S/19.19

S/15.34

S/12.42

S/11.02

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

102 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

455 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 55V 0.0066 Rds

IXTA110N055T2
IXYS
1: S/15.76
229En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA110N055T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA110N055T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 55V 0.0066 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

229En existencias

S/15.76

S/8.02

S/7.55

S/5.80

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

55 V

110 A

6.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160Amps 40V

IXTA160N04T2
IXYS
1: S/19.38
37En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA160N04T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA160N04T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160Amps 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

37En existencias

S/19.38

S/10.90

S/7.90

S/7.59

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230 Amps 75V

IXTA230N075T2
IXYS
1: S/29.54
123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA230N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA230N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230 Amps 75V

Obtenga más información

Hoja de datos

123En existencias

S/29.54

S/16.19

S/14.87

S/12.65

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

75 V

230 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300 Amps 40V

IXTA300N04T2-7
IXYS
1: S/26.55
414En existencias
150Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA300N04T2-7

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA300N04T2-7

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300 Amps 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

414En existencias

150Se espera el 3/04/2026

S/26.55

S/14.21

S/11.95

S/11.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

145 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 4A N-CH X2CLASS

IXTA4N65X2
IXYS
1: S/14.79
101En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA4N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA4N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 4A N-CH X2CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

101En existencias

S/14.79

S/8.80

S/7.51

S/5.41

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 100V 18.0 Rds

IXTA60N10T
IXYS
1: S/14.13
146En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA60N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA60N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 100V 18.0 Rds

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Hoja de datos

146En existencias

S/14.13

S/8.37

S/7.05

S/5.14

S/4.48

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTA8N65X2
IXYS
1: S/16.70
232En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA8N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 8A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

232En existencias

S/16.70

S/8.56

S/8.41

S/6.38

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W