Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 720

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

IXFH160N15T2
IXYS
1: S/38.22
200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH160N15T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH160N15T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

200En existencias

S/38.22

S/22.65

S/19.15

S/17.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

160 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

253 nC

- 55 C

+ 175 C

880 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 800V 0.6 Rds

IXFH16N80P
IXYS
1: S/38.73
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH16N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH16N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 800V 0.6 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

73En existencias

S/38.73

S/22.54

S/19.70

S/18.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 180A N-CH X3CLASS

IXFH180N20X3
IXYS
1: S/68.55
95En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH180N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH180N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 180A N-CH X3CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

95En existencias

S/68.55

S/43.44

S/38.26

S/38.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

180 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

154 nC

- 55 C

+ 150 C

735 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 18A

IXFH18N60P
IXYS
1: S/29.15
16En existencias
870Se espera el 17/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH18N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH18N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 18A

Obtenga más información

Hoja de datos

16En existencias

870Se espera el 17/04/2026

S/29.15

S/17.05

S/14.25

S/12.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

IXFH20N50P3
IXYS
1: S/28.22
116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

116En existencias

S/28.22

S/15.10

S/13.82

S/12.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

380 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds

IXFH20N80P
IXYS
1: S/44.18
186En existencias
90Se espera el 8/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

186En existencias

90Se espera el 8/06/2026

S/44.18

S/31.02

S/26.39

S/20.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

20 A

520 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

IXFH22N65X2
IXYS
1: S/30.01
185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH22N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH22N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

Obtenga más información

Hoja de datos

185En existencias

S/30.01

S/16.43

S/14.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id24 BVdass800

IXFH24N80P
IXYS
1: S/50.91
20En existencias
1,590En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXFH24N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH24N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id24 BVdass800

Obtenga más información

Hoja de datos

20En existencias

1,590En pedido

S/50.91

S/30.83

S/28.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

24 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

650 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFH28N60P3
IXYS
1: S/33.28
311En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH28N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH28N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

311En existencias

S/33.28

S/23.43

S/19.73

S/14.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 30A

IXFH30N50P
IXYS
1: S/38.93
77En existencias
2,550Se espera el 28/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 30A

Obtenga más información

Hoja de datos

77En existencias

2,550Se espera el 28/04/2026

S/38.93

S/30.28

S/27.29

S/22.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

30 A

200 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

IXFH36N50P
IXYS
1: S/44.30
12En existencias
300Se espera el 23/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

Obtenga más información

Hoja de datos

12En existencias

300Se espera el 23/09/2026

S/44.30

S/26.51

S/22.58

S/21.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

36 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A

IXFH36N60P
IXYS
1: S/52.00
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A

Obtenga más información

Hoja de datos

186En existencias

S/52.00

S/31.57

S/27.09

S/26.16

S/26.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

650 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A

IXFH44N50Q3
IXYS
1: S/79.37
12En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH44N50Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH44N50Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A

Obtenga más información

Hoja de datos

12En existencias

S/79.37

S/53.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

44 A

140 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A

IXFH50N30Q3
IXYS
1: S/57.84
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH50N30Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH50N30Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A

Obtenga más información

Hoja de datos

51En existencias

S/57.84

S/44.72

S/38.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

50 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

690 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 56A N-CH X3CLASS

IXFH56N30X3
IXYS
1: S/44.80
195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH56N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH56N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 56A N-CH X3CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

195En existencias

S/44.80

S/28.92

S/25.07

S/22.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

56 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFH60N50P3
IXYS
1: S/43.09
78En existencias
3,810Se espera el 13/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH60N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH60N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

78En existencias

3,810Se espera el 13/05/2026

S/43.09

S/24.60

S/22.38

S/21.45

S/21.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

60 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds

IXFH69N30P
IXYS
1: S/50.45
164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH69N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH69N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

164En existencias

S/50.45

S/37.68

S/32.58

S/30.83

S/26.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

69 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

156 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

IXFH6N120P
IXYS
1: S/47.53
188En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH6N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH6N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

Obtenga más información

Hoja de datos

188En existencias

S/47.53

S/28.77

S/26.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.75 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFH94N30P3
IXYS
1: S/55.20
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH94N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH94N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Obtenga más información

Hoja de datos

1En existencias

S/55.20

S/33.67

S/28.92

S/28.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

94 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V

IXFK180N25T
IXYS
1: S/72.48
52En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK180N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK180N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V

Obtenga más información

Hoja de datos

52En existencias

S/72.48

S/50.41

S/45.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

180 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.39 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A

IXFK64N50Q3
IXYS
1: S/112.38
33En existencias
200Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFK64N50Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK64N50Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A

Obtenga más información

Hoja de datos

33En existencias

200Se espera el 2/07/2026

S/112.38

S/79.41

S/73.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

64 A

85 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

1 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFK78N50P3
IXYS
1: S/90.77
5En existencias
300Se espera el 13/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFK78N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK78N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

300Se espera el 13/10/2026

S/90.77

S/59.01

S/53.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

78 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

147 nC

- 55 C

+ 150 C

1.13 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id10 BVdass600

IXFP10N60P
IXYS
1: S/16.04
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP10N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP10N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id10 BVdass600

Obtenga más información

Hoja de datos

224En existencias

S/16.04

S/10.55

S/9.77

S/7.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

740 mOhms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

IXFP110N15T2
IXYS
1: S/22.69
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP110N15T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP110N15T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

300En existencias

S/22.69

S/12.53

S/11.44

S/10.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

110 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id12 BVdass500

IXFP12N50P
IXYS
1: S/19.89
2En existencias
100Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFP12N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP12N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id12 BVdass500

Obtenga más información

Hoja de datos

2En existencias

100Se espera el 23/02/2026

S/19.89

S/12.88

S/10.35

S/7.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W