Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 20

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB40N60M2
STMicroelectronics
1: S/22.89
2,361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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2,361En existencias

Cinta cortada

S/22.89

S/15.38

S/11.05

S/10.90

Envase tipo carrete

S/8.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

88 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

STD7NM80
STMicroelectronics
1: S/17.28
1,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STD7NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

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1,850En existencias

Cinta cortada

S/17.28

S/11.52

S/8.25

S/7.63

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

1.05 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STI28N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.96
1,848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STI28N60M2

STMicroelectronics

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1,848En existencias

S/12.96

S/7.12

S/5.84

S/5.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

135 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STP18NM80
STMicroelectronics
1: S/26.90
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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921En existencias

S/26.90

S/14.64

S/13.66

S/13.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 65 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD5N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.58
6,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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6,550En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.20

S/2.82

S/2.22

Envase tipo carrete

S/1.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.5 A

1.4 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL9N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.76
2,157En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL9N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL9N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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2,157En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.61

S/3.81

S/3.04

Envase tipo carrete

S/2.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

600 V

4.8 A

860 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

STB28N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.08
1,893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N60M2

STMicroelectronics

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1,893En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.50

S/4.52

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
1: S/10.12
2,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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2,800En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.46

S/4.40

S/3.60

Envase tipo carrete

S/2.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

415 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
STMicroelectronics
1: S/9.23
1,797En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL10N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL10N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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1,797En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.92

S/4.05

S/3.29

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.62

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

660 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5

STP8N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.56
984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5

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984En existencias

S/11.56

S/5.29

S/4.75

S/4.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB33N60M2
STMicroelectronics
1: S/18.88
1,387En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60M2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

1,387En existencias

Cinta cortada

S/18.88

S/12.46

S/9.73

S/8.68

Envase tipo carrete

S/7.43

S/6.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

STF18NM80
STMicroelectronics
1: S/31.26
403En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

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Hoja de datos

403En existencias

S/31.26

S/22.73

S/18.96

S/16.89

S/15.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60M2
STMicroelectronics
1: S/18.61
1,617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Hoja de datos

1,617En existencias

Cinta cortada

S/18.61

S/12.30

S/9.61

S/8.56

Envase tipo carrete

S/6.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21.5 A

135 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STW18NM80
STMicroelectronics
1: S/34.14
681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STW18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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Hoja de datos

681En existencias

S/34.14

S/23.47

S/17.59

S/17.56

S/14.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 65 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STB18NM80
STMicroelectronics
1: S/19.81
596En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STB18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

Obtenga más información

Hoja de datos

596En existencias

Cinta cortada

S/19.81

S/14.52

S/11.72

S/10.43

Envase tipo carrete

S/8.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

STFW38N65M5
STMicroelectronics
1: S/24.72
137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

Obtenga más información

Hoja de datos

137En existencias

S/24.72

S/18.92

S/15.30

S/13.58

S/11.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh

STP18NM60N
STMicroelectronics
1: S/13.20
915En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh

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Hoja de datos

915En existencias

S/13.20

S/6.66

S/5.99

S/4.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

260 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected

STU8N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.87
410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected

Obtenga más información

Hoja de datos

410En existencias

S/11.87

S/5.64

S/5.10

S/4.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET

STF7NM80
STMicroelectronics
1,000: S/7.20
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF7NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF7NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/7.20

S/7.16

Presupuesto

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

1.05 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STI33N60M2
STMicroelectronics
1,000: S/5.64
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STI33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STI33N60M2

STMicroelectronics

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/5.64

S/5.45

S/5.37

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

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