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NTPF360N80S3Z

Name: onsemi NTPF360N80S3Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTPF360N80S3Z
Price: 17.59 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTPF360N80S3Z

Fabricante N.º:

NTPF360N80S3Z

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 800V 360MOHM TO-220F

Hoja de datos:

NTPF360N80S3Z Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/17.59	S/17.59
	S/9.07	S/90.70
	S/7.12	S/712.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	13 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	360 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.8 V
Qg - Carga de puerta:	25.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	31 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTPF360N80S3Z
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NTPF360N80S3Z Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTPF360N80S3Z N-Channel SUPERFET® III MOSFET

onsemi NTPF360N80S3Z N-Channel SUPERFET® III is a high-performance power MOSFET with an 800V breakdown voltage. This SUPERFET is optimized for the primary switch of a flyback converter and enables lower switching losses and case temperature without sacrificing EMI performance. onsemi NTPF360N80S3Z SUPERFET comes with an internal Zener diode that significantly improves the electrostatic discharge (ESD) capability. Typical applications include adapters/chargers, LED lighting, AUX power, audio, and industrial power.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.