NVMFWS003N10MCT1G

onsemi
863-VMFWS003N10MCT1G
NVMFWS003N10MCT1G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD SO8FL HE

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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
100 V
169 A
3.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
62 nC
- 55 C
+ 175 C
194 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 14 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 150 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 15 ns
Serie: NVMFWS003N10MC
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 46 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 28 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
República de Corea
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs offer a 169A continuous drain current, 3.1mΩ at 10V RDS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS002N10MCL is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.

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En pedido:
1,498
Se espera el 26/03/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/18.88 S/18.88
S/12.42 S/124.20
S/9.07 S/907.00
S/7.67 S/3,835.00
S/6.93 S/6,930.00
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