BJT DFN-Packaged Power Bipolar Transistors

Nexperia BJT DFN-Packaged Power Bipolar Transistors offer a small form factor that uses about 75% less board space and allows more design flexibility. These bipolar transistors feature reduced parasitic inductance and capacitance with an improved, low thermal resistance, enabling higher reliability. The BJT components are ideal for applications where space is at a premium. Applications include mobile devices, wearables, automotive sensors, and camera modules.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Configuración Corriente CC máxima de colector Máx. voltaje VCEO colector-emisor Tensión VCBO colector-base Voltaje VEBO emisor-base Voltaje de saturación colector-emisor Dp - Disipación de potencia Producto para ganar Ancho de banda fT Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Calificación Serie Empaquetado
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BC56-10PA-Q/SOT1061/HUSON3 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 NPN Single 80 V 100 V 5 V 500 mV 1.35 W 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BC56-10PAST-Q/SOT1061/HUSON3 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-1061D-3 NPN Single 2 A 80 V 100 V 5 V 500 mV 1 W 100 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel