Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

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Resultados: 335

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SIR150DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.41
8,342En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR150DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR150DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

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Hoja de datos

8,342En existencias

Cinta cortada

S/5.41

S/3.36

S/2.24

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.38

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

45 V

110 A

2.71 mOhms

- 16 V, 20 V

2.3 V

46.7 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 95A N-CH MOSFET

SIR170DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.39
3,864En existencias
6,000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIR170DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR170DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 95A N-CH MOSFET

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3,864En existencias

6,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/10.39

S/6.70

S/4.63

S/3.71

Envase tipo carrete

S/3.15

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

95 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

5.5 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR186DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.73
5,392En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR186DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR186DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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5,392En existencias

Cinta cortada

S/6.73

S/4.32

S/3.00

S/2.37

Envase tipo carrete

S/1.91

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR606BDP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
3,581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR606BDP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR606BDP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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3,581En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.16

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

38.7 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR626DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.12
8,062En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR626DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR626DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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8,062En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.54

S/4.52

S/3.62

Envase tipo carrete

S/2.98

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR626LDP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.02
14,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR626LDP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR626LDP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8

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14,700En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.49

S/4.05

S/3.39

Envase tipo carrete

S/2.93

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

186 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

135 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

SIR800ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.84
3,547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR800ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR800ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

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3,547En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/5.68

S/3.85

S/3.08

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

20 V

177 A

1.35 mOhms

- 8 V, 12 V

1.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds; 12/-8V Vgs PowerPAK SO-8

SIR800ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.28
7,661En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR800ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR800ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds; 12/-8V Vgs PowerPAK SO-8

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7,661En existencias

Cinta cortada

S/4.28

S/3.20

S/2.12

S/1.66

Envase tipo carrete

S/1.32

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

20 V

177 A

1.35 mOhms

- 8 V, 12 V

600 mV

53 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 25V 82A

SIRA20BDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.84
6,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA20BDP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA20BDP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 25V 82A

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6,008En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/5.64

S/3.89

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.56

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

25 V

335 A

580 uOhms

- 12 V, 16 V

2.1 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA50ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.73
7,456En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA50ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA50ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

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7,456En existencias

Cinta cortada

S/6.73

S/5.06

S/3.70

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

219 A

1.04 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA50DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.03
10,470En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA50DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA50DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

10,470En existencias

Cinta cortada

S/9.03

S/5.84

S/3.97

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V

129 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA52ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.01
5,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA52ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA52ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

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5,390En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.94

S/3.32

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

131 A

1.63 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA64DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.61
8,910En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA64DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA64DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

8,910En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.53

S/2.35

S/1.84

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

1.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

27.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.59
9,848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRB40DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRB40DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

9,848En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.83

S/3.26

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

40 A

3.25 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

46.2 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC10DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.49
7,779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRC10DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRC10DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

7,779En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.47

S/2.30

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.46

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.5 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 80V 45.1A

SIS126DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.72
9,105En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS126DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS126DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 80V 45.1A

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Hoja de datos

9,105En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.57

S/2.41

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

45.1 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21.1 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS932EDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/1.79
9,730En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS932EDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS932EDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

9,730En existencias

Cinta cortada

S/1.79

S/1.66

S/1.22

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.829

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6 A

22 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

9.2 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ.

SISA24DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.25
4,932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA24DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA24DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ.

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Hoja de datos

4,932En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.32

S/2.20

S/1.72

Envase tipo carrete

S/1.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

1.15 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SISA40DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.59
23,584En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA40DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA40DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

23,584En existencias

Cinta cortada

S/4.59

S/2.87

S/1.89

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

20 V

162 A

1.1 mOhms

- 8 V, 12 V

1.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SISH112DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.90
8,750En existencias
27,000Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SISH112DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH112DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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PowerPAK-1212-8SH

N-Channel

1 Channel

30 V

17.8 A

7.5 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

27 nC

- 50 C

+ 150 C

3.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISH402DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SISH402DN-T1-GE3

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Vishay Semiconductors

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PowerPAK-1212-8

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1 Channel

30 V

35 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.15 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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SISH410DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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8,779En existencias

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SISH410DN-T1-GE3

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78-SISH410DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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PowerPAK-1212-8S

N-Channel

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20 V

35 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds; 12V Vgs PowerPAK 1212-8SH

SISH615ADN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.46
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SISH615ADN-T1-GE3

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78-SISH615ADN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

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PowerPAK-1212-8S

P-Channel

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20 V

35 A

4.4 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

183 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS26DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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6,279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS26DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS26DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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S/3.77

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S/2.45

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S-8

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80V PowerPAK 1212-8S

SISS32LDN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SISS32LDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS32LDN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80V PowerPAK 1212-8S

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S/1.76

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

63 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17.7 nC, 37.5 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

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Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
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MicroFoot-4
PowerPAIR-3x3-8
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PowerPAIR 3 x 3FS-12
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PowerPAIR-6x5-8
PowerPAIR 6 x 5FS-8
PowerPAK-0806-3
PowerPAK 10 x 12
PowerPAK1212-8
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPak-1212-8
PowerPAK 1212-8PT
PowerPAK-1212-8PT
PowerPAK-1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8

500 mA
1 A
1.02 A
2.6 A
2.9 A
3.7 A
4.5 A
5.7 A
6 A
6.1 A
7.1 A
7.5 A
8 A
8.3 A
8.9 A
10 A
11.3 A
12 A
12.3 A
14 A

310 uOhms
580 uOhms
620 uOhms
650 uOhms
740 uOhms
780 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
830 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
920 uOhms
940 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.04 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.22 mOhms

350 mV
400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.15 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
2 V
2.1 V
2.2 V

600 pC
710 pC
750 pC
2 nC
2.4 nC
3.8 nC
4.5 nC
4.7 nC
5 nC
5.3 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC, 10 nC
6.7 nC
7.1 nC
9.2 nC
9.5 nC
10 nC
10.1 nC
10.4 nC

240 mW
900 mW
1.25 W
1.6 W
1.8 W
2.8 W
3 W
3.6 W
3.7 W
3.8 W
4 W
4.5 W
4.8 W
5 W
5.2 W
5.6 W
7 W
7.5 W
7.8 W
10.4 W