Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

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Resultados: 335

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

SISS4410DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.20
6,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS4410DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS4410DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

6,890En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.90

S/1.94

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.19

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

40 V

36 A

9 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

19.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

SISS5112DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.24
6,603En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS5112DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS5112DNT1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

6,603En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/5.10

S/3.54

S/2.82

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPak-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40.7 A

14.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

10.6 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2308CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.10
220,789En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2308CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2308CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SOT-23

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Hoja de datos

220,789En existencias

Cinta cortada

S/2.10

S/1.27

S/0.802

S/0.607

Envase tipo carrete

S/0.463

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2.6 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISA88DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.08
104,896En existencias
105,000Se espera el 23/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SISA88DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA88DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

104,896En existencias

105,000Se espera el 23/03/2026

Cinta cortada

S/3.08

S/1.90

S/1.23

S/0.938

Envase tipo carrete

S/0.724

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40.5 A

6.7 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

19.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SIRA62DDP-T1-UE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.75
1,990En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIRA62DDP-T1-UE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA62DDP-T1-UE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

1,990En existencias

S/7.75

S/4.94

S/3.28

S/2.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

191 A

1.22 mOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V

46.3 nC

- 55 C

+ 150 C

71 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 40V 35.4A

SIJA54ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.39
16,203En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJA54ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJA54ADP

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 40V 35.4A

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16,203En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/6.70

S/4.63

S/3.71

S/3.54

Envase tipo carrete

S/3.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

40 V

47 A

52 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 150V 174A N-CH MOSFET

SIJH5700E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/27.01
3,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJH5700E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJH5700E-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 150V 174A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

3,755En existencias

Cinta cortada

S/27.01

S/18.72

S/14.01

S/13.27

Envase tipo carrete

S/12.69

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

- 20 V, 20 V

4 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 60V 21.5A

SIR184LDP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.96
10,215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR184LDP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR184LDP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 60V 21.5A

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10,215En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/4.13

S/3.43

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

- 20 V, 20 V

3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 33.8A N-CH MOSFET

SIR5708DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.47
17,281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR5708DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR5708DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 33.8A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

17,281En existencias

Cinta cortada

S/7.47

S/5.10

S/3.43

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

- 20 V, 20 V

4 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 26.8A N-CH MOSFET

SIR5710DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.92
18,068En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR5710DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR5710DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 26.8A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

18,068En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/4.28

S/3.30

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

- 20 V, 20 V

4 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 40V 36.2A

SIRA54ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.76
12,813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA54ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA54ADP

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 40V 36.2A

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12,813En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.68

S/3.87

S/3.09

Ver

Envase tipo carrete

S/2.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

36.2 A

2.2 mOhms

- 16 V, 20 V

2.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

5.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 60V 18.7A

SIS184LDN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.40
17,270En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS184LDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS184LDN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 60V 18.7A

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Hoja de datos

17,270En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/5.10

S/3.85

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

- 20 V, 20 V

3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 150V 33.8A N-CH MOSFET

SISS5708DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.26
15,159En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS5708DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS5708DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 150V 33.8A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

15,159En existencias

Cinta cortada

S/9.26

S/5.72

S/4.36

S/3.48

Envase tipo carrete

S/2.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

- 20 V, 20 V

4 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 150V 26.2A N-CH MOSFET

SISS5710DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.76
16,012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS5710DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS5710DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 150V 26.2A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

16,012En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.45

S/4.16

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

- 20 V, 20 V

4 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

SQA413CEJW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.65
19,552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQA413CEJW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA413CEJW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

19,552En existencias

Cinta cortada

S/2.65

S/1.65

S/1.06

S/0.806

Envase tipo carrete

S/0.615

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SC-70W-6

P-Channel

1 Channel

20 V

7.5 A

38 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

10.1 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ186E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.27
1,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ186E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ186E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

1,958En existencias

Cinta cortada

S/13.27

S/9.42

S/6.58

S/5.80

S/5.76

Envase tipo carrete

S/4.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8L

N-Channel

1 Channel

80 V

245 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

123 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR182DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.30
71,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR182DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR182DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

71,901En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.99

S/4.09

S/3.26

Ver

Envase tipo carrete

S/2.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

42.2 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR878BDP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.16
25,987En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR878BDP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR878BDP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

25,987En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.94

S/3.67

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.47

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

42.5 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 70V 19.4A

SISS78LDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.24
37,503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS78LDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS78LDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 70V 19.4A

Obtenga más información

Hoja de datos

37,503En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/4.67

S/3.13

S/2.48

S/2.29

Envase tipo carrete

S/2.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S

N-Channel

1 Channel

70 V

66.7 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 60V 12.6A

SIS4608LDN-T1-GE3
Vishay
1: S/5.06
1,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS4608LDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS4608LDN-T1-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 60V 12.6A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,570En existencias

S/5.06

S/3.23

S/2.16

S/1.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

24.7 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

27.1 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 24 mohm a. 10V, 32 mohm a. 4.5V

SIS4634LDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.85
9En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS4634LDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS4634LDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 24 mohm a. 10V, 32 mohm a. 4.5V

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PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

7.1 nC

- 55 C

+ 150 C

19.8 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ154EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ154EP-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

N-Channel

1 Channel

40 V

243 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK8X8 N-CH 80V 29A

SIJH800E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIJH800E-T1-GE3

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625-SIJH800E-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK8X8 N-CH 80V 29A

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PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

80 V

299 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 P-CH 30V 12.7A

SI4425FDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.13
37,163En existencias
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SI4425FDY-T1-GE3

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78-SI4425FDY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 P-CH 30V 12.7A

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SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

18.3 A

9.5 mOhms

- 20 V, 16 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

4.8 W

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8

SI4850BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SI4850BDY-T1-GE3

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78-SI4850BDY-T1-GE3

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

11.3 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

11.1 nC

- 55 C

+ 150 C

4.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-4
PowerPAIR-3x3-8
PowerPAIR-3x3FDC-8
PowerPAIR 3 x 3FS-12
PowerPAIR-3x3S-8
PowerPAIR-6x5-8
PowerPAIR 6 x 5FS-8
PowerPAK-0806-3
PowerPAK 10 x 12
PowerPAK1212-8
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPak-1212-8
PowerPAK 1212-8PT
PowerPAK-1212-8PT
PowerPAK-1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8

500 mA
1 A
1.02 A
2.6 A
2.9 A
3.7 A
4.5 A
5.7 A
6 A
6.1 A
7.1 A
7.5 A
8 A
8.3 A
8.9 A
10 A
11.3 A
12 A
12.3 A
14 A

310 uOhms
580 uOhms
620 uOhms
650 uOhms
740 uOhms
780 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
830 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
920 uOhms
940 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.04 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.22 mOhms

350 mV
400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.15 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
2 V
2.1 V
2.2 V

600 pC
710 pC
750 pC
2 nC
2.4 nC
3.8 nC
4.5 nC
4.7 nC
5 nC
5.3 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC, 10 nC
6.7 nC
7.1 nC
9.2 nC
9.5 nC
10 nC
10.1 nC
10.4 nC

240 mW
900 mW
1.25 W
1.6 W
1.8 W
2.8 W
3 W
3.6 W
3.7 W
3.8 W
4 W
4.5 W
4.8 W
5 W
5.2 W
5.6 W
7 W
7.5 W
7.8 W
10.4 W