Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

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Resultados: 335

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA02DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.73
3,702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA02DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA02DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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3,702En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.43

Envase tipo carrete

S/2.81

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

1.65 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

71.4 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA04DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.24
9,112En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA04DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA04DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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9,112En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/4.63

S/3.10

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.14

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

1.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.16
29,176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA14DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA14DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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29,176En existencias

Cinta cortada

S/4.16

S/2.58

S/1.69

S/1.31

Envase tipo carrete

S/1.08

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

58 A

4.25 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

31.2 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA32DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.02
18,460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA32DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA32DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

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18,460En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.39

S/2.62

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.66

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

1 mOhms

- 12 V, 16 V

2.2 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS106DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.15
20,860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS106DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS106DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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20,860En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.81

S/2.60

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.63

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

16 A

18.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.97
26,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA04DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA04DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3

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26,148En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/4.44

S/2.97

S/2.35

Envase tipo carrete

S/1.89

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

1.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISA18ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.54
42,123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA18ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA18ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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42,123En existencias

Cinta cortada

S/3.54

S/2.20

S/1.43

S/1.10

Envase tipo carrete

S/0.852

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

38.3 A

6 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

19.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH

SISH434DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.66
16,959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH434DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH434DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH

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Cinta cortada

S/6.66

S/4.24

S/2.83

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.83

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS06DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.54
13,701En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS06DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS06DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S

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13,701En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/4.16

S/2.78

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.76

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S

N-Channel

1 Channel

30 V

172.6 A

1.38 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJA78EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.50
2,452En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA78EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA78EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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2,452En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.11

S/4.20

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.73

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

72 A

9.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA923EDJ-T4-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.05
2,138En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA923EDJ-T4-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA923EDJ-T4-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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2,138En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.50

S/1.63

S/1.26

Envase tipo carrete

S/0.961

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

54 mOhms

- 8 V, 8 V

500 mV

25 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA62DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.06
3,771En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA62DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA62DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

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3,771En existencias

Cinta cortada

S/5.06

S/3.69

S/2.31

S/2.11

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

1.2 mOhms

- 12 V, 16 V

1 V

61.5 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA12BDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.40
2,677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA12BDP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA12BDP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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2,677En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.76

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.10

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4.3 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA64DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.64
2,160En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA64DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA64DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

2,160En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/3.55

S/2.36

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

2.1 mOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

27.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA96DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.00
6,492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA96DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA96DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

6,492En existencias

Cinta cortada

S/3.00

S/1.87

S/1.21

S/0.919

Envase tipo carrete

S/0.708

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

7.3 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

34.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA28BDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.23
4,919En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA28BDP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA28BDP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

4,919En existencias

Cinta cortada

S/3.23

S/2.02

S/1.31

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.771

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

38 A

7.5 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

17 W

Enhancement

TrenchFET; PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA88DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.92
4,874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA88DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA88DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

4,874En existencias

Cinta cortada

S/2.92

S/1.79

S/1.16

S/0.887

Envase tipo carrete

S/0.681

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

45.5 A

5.4 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ926DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
5,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ926DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ926DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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Hoja de datos

5,662En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.06

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

25 V

40 A, 60 A

2.2 mOhms, 4.8 mOhms

- 12 V, 16 V

2.2 V

12.5 nC, 27 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W, 40 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V(S1-S2)

SIZ998BDT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.44
2,639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ998BDT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ998BDT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V(S1-S2)

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Hoja de datos

2,639En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/3.54

S/2.38

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

2 Channel

30 V

54.8 A, 94.6 A

33.8 mOhms, 43.9 mOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V

12 nC, 31.1 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 32.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; 8V Vgs PowerPAK 0806

SIUD406ED-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.75
11,051En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIUD406ED-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIUD406ED-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; 8V Vgs PowerPAK 0806

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Hoja de datos

11,051En existencias

Cinta cortada

S/1.75

S/1.08

S/0.681

S/0.51

Envase tipo carrete

S/0.381

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-0806-3

N-Channel

1 Channel

30 V

500 mA

1.46 Ohms

- 8 V, 8 V

400 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40020E_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.73
770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40020E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40020E_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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770En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/9.11

S/7.01

S/6.11

Envase tipo carrete

S/5.14

S/5.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQR40020ER_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.59
6,536En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQR40020ER_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQR40020ER_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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6,536En existencias

S/10.59

S/7.79

S/6.62

S/6.34

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs TO-220

SUP40010EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.38
663En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP40010EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP40010ELGE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs TO-220

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663En existencias

S/15.38

S/7.86

S/7.55

S/6.73

S/5.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.47 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

230 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

SIAA40DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.09
4,102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIAA40DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIAA40DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

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4,102En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.55

S/1.67

S/1.29

Envase tipo carrete

S/1.01

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

1 Channel

40 V

30 A

12.5 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

19.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA54DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.16
2,918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA54DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA54DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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2,918En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.06

S/2.43

Envase tipo carrete

S/1.95

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.35 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

104 nC

- 55 C

+ 150 C

36.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-4
PowerPAIR-3x3-8
PowerPAIR-3x3FDC-8
PowerPAIR 3 x 3FS-12
PowerPAIR-3x3S-8
PowerPAIR-6x5-8
PowerPAIR 6 x 5FS-8
PowerPAK-0806-3
PowerPAK 10 x 12
PowerPAK1212-8
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPak-1212-8
PowerPAK 1212-8PT
PowerPAK-1212-8PT
PowerPAK-1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8

500 mA
1 A
1.02 A
2.6 A
2.9 A
3.7 A
4.5 A
5.7 A
6 A
6.1 A
7.1 A
7.5 A
8 A
8.3 A
8.9 A
10 A
11.3 A
12 A
12.3 A
14 A

310 uOhms
580 uOhms
620 uOhms
650 uOhms
740 uOhms
780 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
830 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
920 uOhms
940 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.04 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.22 mOhms

350 mV
400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.15 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
2 V
2.1 V
2.2 V

600 pC
710 pC
750 pC
2 nC
2.4 nC
3.8 nC
4.5 nC
4.7 nC
5 nC
5.3 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC, 10 nC
6.7 nC
7.1 nC
9.2 nC
9.5 nC
10 nC
10.1 nC
10.4 nC

240 mW
900 mW
1.25 W
1.6 W
1.8 W
2.8 W
3 W
3.6 W
3.7 W
3.8 W
4 W
4.5 W
4.8 W
5 W
5.2 W
5.6 W
7 W
7.5 W
7.8 W
10.4 W