Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7172ADP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.77
15,281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7172ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7172ADP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/6.77

S/2.99

S/2.33

S/2.03

Envase tipo carrete

S/1.79

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

17.2 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

SI8410DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/5.10
23,336En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI8410DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8410DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

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23,336En existencias

Cinta cortada

S/5.10

S/3.50

S/2.46

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.57

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

20 V

5.7 A

37 mOhms

- 8 V, 8 V

850 mV

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR638DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.07
10,157En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR638DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR638DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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10,157En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/4.48

S/3.50

S/3.13

Envase tipo carrete

S/2.66

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

880 uOhms

- 16 V, 20 V

2.3 V

204 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV

SIRA12DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.25
16,421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA12DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA12DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV

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S/5.25

S/3.30

S/2.18

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.35

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA20DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.25
2,543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA20DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA20DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/8.25

S/5.29

S/3.57

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.31

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

580 uOhms

- 12 V, 16 V

1 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH

SISH114ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.79
10,277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH114ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH114ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH

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10,277En existencias

Cinta cortada

S/1.79

S/1.43

S/1.30

Envase tipo carrete

S/1.15

S/1.06

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SH-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

TrenchFET; PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK 1212-8SH

SISH407DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.90
24,625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH407DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH407DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK 1212-8SH

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24,625En existencias

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S/4.90

S/3.06

S/2.02

S/1.60

S/1.44

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S/1.09

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SH-8

P-Channel

1 Channel

20 V

25 A

9.5 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

93.8 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

TrenchFET; PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

SISH892BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.94
34,149En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH892BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH892BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/4.94

S/3.11

S/2.06

S/1.60

Envase tipo carrete

S/1.27

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

20 A

30.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

17.4 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 49.1A

SISS66DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.98
17,270En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS66DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS66DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 49.1A

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17,270En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.10

S/3.45

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.23

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

178.3 A

1.38 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ988DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.08
3,010En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ988DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ988DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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3,010En existencias

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S/7.08

S/4.52

S/3.04

S/2.40

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.80

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A, 60 A

5.7 mOhms, 2.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V, 1.1 V

21.5 nC, 51 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W, 40 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 21A

SISA14BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.20
28,414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA14BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SISA14BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 21A

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28,414En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.64

S/1.73

S/1.34

Envase tipo carrete

S/1.05

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

21 A

5.38 mOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 120A N-CH MOSFET

SIRS700DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.89
5,315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRS700DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIRS700DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 120A N-CH MOSFET

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5,315En existencias

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S/16.89

S/11.25

S/8.02

S/7.36

Envase tipo carrete

S/5.99

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 30V 6.4A

SI3483DDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.15
52,192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3483DDV-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3483DDV-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 30V 6.4A

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Cinta cortada

S/3.15

S/1.96

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.728

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

8 A

31.2 mOhms

- 20 V, 16 V

2.2 V

4.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 30V 10.6A

SIA483ADJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.53
75,716En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA483ADJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA483ADJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 30V 10.6A

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75,716En existencias

Cinta cortada

S/2.53

S/1.55

S/0.996

S/0.755

Envase tipo carrete

S/0.607

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

12 A

16 mOhms

- 20 V, 16 V

5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

17.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJA72ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.84
28,087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJA72ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJA72ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L

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Hoja de datos

28,087En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.70

S/2.46

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.54

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

96 A

3.42 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V PowerPAK 8x8L

SIJH440E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.16
1,847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJH440E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJH440E-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V PowerPAK 8x8L

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Hoja de datos

1,847En existencias

Cinta cortada

S/13.16

S/8.64

S/6.62

S/5.53

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.16

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

800 uOhms

- 16 V, 20 V

1 V

420 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8

SIR104ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.90
3,239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR104ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR104ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8

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3,239En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/7.08

S/4.87

S/4.01

S/3.67

Envase tipo carrete

S/3.24

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

81 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46.1 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 20V 100A

SIR178DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.56
8,612En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR178DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR178DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 20V 100A

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8,612En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/4.32

S/3.41

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.76

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

20 V

430 A

310 uOhms

- 8 V, 12 V

1.5 V

207 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR606DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.06
9,898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR606DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR606DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

9,898En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.18

S/3.49

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.25

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

37 A

16.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

36.5 nC

- 55 C

+ 150 C

44.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.29
3,673En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA10DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA10DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3

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3,673En existencias

Cinta cortada

S/5.29

S/3.70

S/2.57

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.62

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

2.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 1212-8SH

SISH106DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.80
2,451En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH106DN-T1-GE3

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78-SISH106DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 1212-8SH

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S

N-Channel

1 Channel

20 V

19.5 A

6.2 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

27 nC

- 55 C

+ 150 C

3.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET

SI5448DU-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.93
50,350En existencias

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SI5448DU-T1-GE3

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78-SI5448DU-T1-GE3

Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

ChipFET-8

N-Channel

1 Channel

40 V

25 A

6.46 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7850ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SI7850ADP-T1-GE3

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78-SI7850ADP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

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S/3.00

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

11.1 nC

- 55 C

+ 150 C

35.7 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJA58ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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5,685En existencias

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SIJA58ADP-T1-GE3

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78-SIJA58ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

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S/3.71

S/2.47

S/1.93

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S/1.55

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

32.3 A

2.65 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET

SIJA74DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIJA74DP-T1-GE3

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78-SIJA74DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET

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S/3.32

S/2.20

S/1.72

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S/1.36

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81.2 A

3.99 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

46.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-4
PowerPAIR-3x3-8
PowerPAIR-3x3FDC-8
PowerPAIR 3 x 3FS-12
PowerPAIR-3x3S-8
PowerPAIR-6x5-8
PowerPAIR 6 x 5FS-8
PowerPAK-0806-3
PowerPAK 10 x 12
PowerPAK1212-8
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPak-1212-8
PowerPAK 1212-8PT
PowerPAK-1212-8PT
PowerPAK-1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8

500 mA
1 A
1.02 A
2.6 A
2.9 A
3.7 A
4.5 A
5.7 A
6 A
6.1 A
7.1 A
7.5 A
8 A
8.3 A
8.9 A
10 A
11.3 A
12 A
12.3 A
14 A

310 uOhms
580 uOhms
620 uOhms
650 uOhms
740 uOhms
780 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
830 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
920 uOhms
940 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.04 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.22 mOhms

350 mV
400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.15 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
2 V
2.1 V
2.2 V

600 pC
710 pC
750 pC
2 nC
2.4 nC
3.8 nC
4.5 nC
4.7 nC
5 nC
5.3 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC, 10 nC
6.7 nC
7.1 nC
9.2 nC
9.5 nC
10 nC
10.1 nC
10.4 nC

240 mW
900 mW
1.25 W
1.6 W
1.8 W
2.8 W
3 W
3.6 W
3.7 W
3.8 W
4 W
4.5 W
4.8 W
5 W
5.2 W
5.6 W
7 W
7.5 W
7.8 W
10.4 W