Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

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Resultados: 335

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS407DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.96
26,637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS407DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIS407DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

26,637En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/3.76

S/2.51

S/1.97

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

25 A

9.5 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

38 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7434ADP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.28
4,401En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7434ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7434ADP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

4,401En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.62

S/4.55

S/3.66

Envase tipo carrete

S/3.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

250 V

3.7 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

54.3 W

Enhancement

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

SIA466EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.09
54,243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA466EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA466EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

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Hoja de datos

54,243En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.55

S/1.67

S/1.29

Envase tipo carrete

S/1.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

1 Channel

20 V

25 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

19.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR108DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.46
6,561En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR108DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR108DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

6,561En existencias

Cinta cortada

S/3.46

S/3.45

S/2.50

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR140DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.33
4,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR140DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR140DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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4,017En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/7.36

S/5.06

S/4.20

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

900 uOhms

- 16 V, 20 V

1 V

113 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

SIR608DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.26
3,287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR608DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR608DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

3,287En existencias

Cinta cortada

S/9.26

S/5.99

S/4.09

S/3.28

Envase tipo carrete

S/2.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

45 V

208 A

1.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

167 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA14BDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.00
9,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA14BDP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA14BDP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

9,048En existencias

Cinta cortada

S/3.00

S/1.86

S/1.20

S/0.919

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

21 A

5.38 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 19A

SIRA18BDP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.92
18,499En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA18BDP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA18BDP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 19A

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18,499En existencias

Cinta cortada

S/2.92

S/1.79

S/1.16

S/0.887

Envase tipo carrete

S/0.681

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

6.83 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

12.2 nC

- 55 C

+ 150 C

17 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA52DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.67
4,326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA52DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA52DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

4,326En existencias

Cinta cortada

S/7.67

S/4.90

S/3.30

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

1.7 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA58DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.11
5,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA58DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA58DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

5,648En existencias

Cinta cortada

S/3.11

S/2.64

S/2.41

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

109 A

2.65 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.18
13,374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ200DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ200DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

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Hoja de datos

13,374En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/2.70

S/2.27

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.50

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-3x3-8

N-Channel

2 Channel

30 V

61 A, 60 A

5.5 mOhms, 5.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

28 nC, 30 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ980DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.45
2,966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ980DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ980DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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Hoja de datos

2,966En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.41

S/3.67

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 1.1 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V, 1.1 V

18 nC, 77 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 66 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 45V 51A

SIDR608DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.26
5,128En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR608DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR608DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 45V 51A

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Hoja de datos

5,128En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/7.98

S/5.53

S/4.67

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

45 V

208 A

1.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

111 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJ188DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.32
4,701En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJ188DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ188DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8L

Obtenga más información

Hoja de datos

4,701En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/5.22

S/3.50

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

92.4 A

3.85 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V(D-S) PowerPAK SO-8

SIR846BDP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.12
13,291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR846BDP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR846BDP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V(D-S) PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

13,291En existencias

Cinta cortada

S/7.12

S/5.45

S/3.72

S/2.97

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

65.8 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34.5 nC

- 55 C

+ 150 C

83.3 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA10DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.03
8,131En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA10DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA10DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

8,131En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.84

S/2.56

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

2.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC16DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.01
9,157En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRC16DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRC16DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

9,157En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.48

S/3.00

S/2.37

Envase tipo carrete

S/1.91

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

960 uOhms

- 16 V, 20 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

54.3 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS108DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.57
24,012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS108DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS108DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

24,012En existencias

Cinta cortada

S/5.57

S/3.44

S/2.33

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

16 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V(S1-S2)

SISF06DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.70
24,558En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISF06DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISF06DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V(S1-S2)

Obtenga más información

Hoja de datos

24,558En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.28

S/2.85

S/2.25

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

2 Channel

30 V

101 A

4.5 mOhms

- 16 V, 20 V

2.3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS02DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.02
6,760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS02DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS02DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S

Obtenga más información

Hoja de datos

6,760En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.48

S/2.76

Envase tipo carrete

S/2.44

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

25 V

80 A

1.2 mOhms

- 12 V, 16 V

1 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS10DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.99
10,509En existencias

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SISS10DN-T1-GE3

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78-SISS10DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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S/5.99

S/3.80

S/2.53

S/1.99

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S/1.53

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.65 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS22DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.45
6,569En existencias

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SISS22DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS22DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/8.45

S/5.57

S/3.85

S/3.08

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S/2.51

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S

N-Channel

1 Channel

60 V

90.6 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS46DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.84
9,078En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS46DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS46DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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S/8.84

S/5.64

S/3.85

S/3.08

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S/2.51

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S

N-Channel

1 Channel

100 V

45.3 A

12.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

SIZ348DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.54
4,189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ348DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ348DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

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S/6.54

S/4.16

S/2.78

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.76

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SMD/SMT

PowerPAIR-3x3-8

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

7.12 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

18.2 nC

- 55 C

+ 150 C

16.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7148DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.39
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N.º de artículo del Fabricante
SI7148DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7148DP-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/10.39

S/7.71

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.10

S/4.98

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

75 V

28 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-4
PowerPAIR-3x3-8
PowerPAIR-3x3FDC-8
PowerPAIR 3 x 3FS-12
PowerPAIR-3x3S-8
PowerPAIR-6x5-8
PowerPAIR 6 x 5FS-8
PowerPAK-0806-3
PowerPAK 10 x 12
PowerPAK1212-8
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPak-1212-8
PowerPAK 1212-8PT
PowerPAK-1212-8PT
PowerPAK-1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8

500 mA
1 A
1.02 A
2.6 A
2.9 A
3.7 A
4.5 A
5.7 A
6 A
6.1 A
7.1 A
7.5 A
8 A
8.3 A
8.9 A
10 A
11.3 A
12 A
12.3 A
14 A

310 uOhms
580 uOhms
620 uOhms
650 uOhms
740 uOhms
780 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
830 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
920 uOhms
940 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.04 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.22 mOhms

350 mV
400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.15 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
2 V
2.1 V
2.2 V

600 pC
710 pC
750 pC
2 nC
2.4 nC
3.8 nC
4.5 nC
4.7 nC
5 nC
5.3 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC, 10 nC
6.7 nC
7.1 nC
9.2 nC
9.5 nC
10 nC
10.1 nC
10.4 nC

240 mW
900 mW
1.25 W
1.6 W
1.8 W
2.8 W
3 W
3.6 W
3.7 W
3.8 W
4 W
4.5 W
4.8 W
5 W
5.2 W
5.6 W
7 W
7.5 W
7.8 W
10.4 W