Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

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Resultados: 342

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH

SISH114ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.79
10,227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH114ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH114ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH

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Hoja de datos

10,227En existencias

Cinta cortada

S/4.79

S/2.22

S/1.97

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SH-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

TrenchFET; PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK 1212-8SH

SISH407DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.29
24,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH407DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH407DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK 1212-8SH

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Hoja de datos

24,125En existencias

Cinta cortada

S/5.29

S/2.48

S/2.20

S/1.72

Envase tipo carrete

S/1.35

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SH-8

P-Channel

1 Channel

20 V

25 A

9.5 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

93.8 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

TrenchFET; PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

SISH892BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.68
33,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH892BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH892BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

33,783En existencias

Cinta cortada

S/5.68

S/2.67

S/2.37

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

20 A

30.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

17.4 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS30DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.32
5,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS30DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS30DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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Hoja de datos

5,850En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/3.49

S/3.12

S/2.46

S/2.37

Envase tipo carrete

S/1.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

54.7 A

8.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 49.1A

SISS66DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.15
17,255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS66DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS66DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 49.1A

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Hoja de datos

17,255En existencias

Cinta cortada

S/9.15

S/4.48

S/4.01

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.85

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

178.3 A

1.38 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds; 20V Vgs TO-220AB

SUP70030E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/20.24
980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP70030E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP70030E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds; 20V Vgs TO-220AB

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Hoja de datos

980En existencias

S/20.24

S/10.51

S/9.58

S/9.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

214 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 26A

SISA10BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.34
7,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA10BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SISA10BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 26A

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7,969En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/3.00

S/2.67

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.67

S/1.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

26 A

3.6 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

24.1 nC

- 55 C

+ 150 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 21A

SISA14BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.83
28,119En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA14BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SISA14BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 21A

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28,119En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/2.25

S/1.99

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

21 A

5.38 mOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

SIA466EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.36
53,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA466EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA466EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

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53,992En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.02

S/1.79

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

1 Channel

20 V

25 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

19.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR108DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.55
6,378En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR108DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR108DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

6,378En existencias

Cinta cortada

S/10.55

S/5.02

S/4.05

S/3.51

S/3.32

Envase tipo carrete

S/3.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

SIR608DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.90
3,174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR608DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR608DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

3,174En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/6.19

S/4.83

S/3.93

S/3.63

Envase tipo carrete

S/3.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

45 V

208 A

1.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

167 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 19A

SIRA18BDP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.11
17,886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA18BDP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA18BDP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 19A

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Hoja de datos

17,886En existencias

Cinta cortada

S/3.11

S/1.41

S/1.25

S/0.95

Envase tipo carrete

S/0.728

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

6.83 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

12.2 nC

- 55 C

+ 150 C

17 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 18A

SISA18BDN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.79
8,275En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA18BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA18BDN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 18A

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Hoja de datos

8,275En existencias

Cinta cortada

S/4.79

S/2.22

S/1.97

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8PT

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

6.83 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

36.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS42LDN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.02
14,846En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS42LDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS42LDN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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Hoja de datos

14,846En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/3.85

S/3.45

S/2.73

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S

N-Channel

1 Channel

100 V

39 A

14.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.55
13,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ200DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ200DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

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Hoja de datos

13,046En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/4.20

S/3.04

S/2.53

S/2.31

Envase tipo carrete

S/1.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-3x3-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A, 61 A

5.5 mOhms, 5.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

28 nC, 30 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ980DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.07
2,966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ980DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ980DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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Hoja de datos

2,966En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/4.40

S/3.97

S/3.15

S/3.04

Envase tipo carrete

S/2.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 1.1 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V, 1.2 V

18 nC, 77 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 66 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7972DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.81
23,625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7972DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7972DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

23,625En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/3.24

S/2.89

S/2.28

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

60 V

8 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 30V 10.6A

SIA483ADJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.08
75,145En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA483ADJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA483ADJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 30V 10.6A

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Hoja de datos

75,145En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/1.40

S/1.23

S/0.938

Envase tipo carrete

S/0.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

12 A

16 mOhms

- 20 V, 16 V

5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

17.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJA72ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.27
28,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJA72ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJA72ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L

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Hoja de datos

28,017En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/2.96

S/2.64

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.65

S/1.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

96 A

3.42 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR606DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.64
8,002En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR606DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR606DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

8,002En existencias

Cinta cortada

S/8.64

S/4.20

S/3.74

S/2.97

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

37 A

16.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

36.5 nC

- 55 C

+ 150 C

44.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.58
3,491En existencias

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SISA10DN-T1-GE3

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78-SISA10DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/6.58

S/3.11

S/2.78

S/2.18

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S/1.74

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

2.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.02
47,742En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA14DN-T1-GE3

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78-SISA14DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

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S/2.07

S/1.61

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S/1.27

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

4.25 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

SIZF906DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIZF906DT-T1-GE3

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78-SIZF906DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

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S/12.22

S/7.90

S/5.41

S/4.67

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S/3.97

S/3.87

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

3 mOhms, 900 uOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

49 nC, 200 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W, 83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

SQA413CEJW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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18,903En existencias

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SQA413CEJW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA413CEJW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

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S/2.84

S/1.76

S/1.13

S/0.86

Envase tipo carrete

S/0.658

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SC-70W-6

P-Channel

1 Channel

20 V

7.5 A

38 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

10.1 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 13A N-CH MOSFET

SIHH250N60EF-T1GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo del Fabricante
SIHH250N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-IHH250N60EF-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 13A N-CH MOSFET

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S/21.72

S/11.37

S/10.98

S/9.77

S/9.46

Envase tipo carrete

S/8.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

600 V

- 20 V, 20 V

5 V

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-4
PowerPAIR-3x3-8
PowerPAIR 3 x 3FS-12
PowerPAIR-3x3S-8
PowerPAIR-6x5-8
PowerPAIR 6 x 5FS-8
PowerPAK-0806-3
PowerPAK 10 x 12
PowerPAK1212-8
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPak-1212-8
PowerPAK 1212-8PT
PowerPAK-1212-8PT
PowerPAK-1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-1212-8SCD-8

500 mA
1 A
1.02 A
2.6 A
2.9 A
3.7 A
4.5 A
5.7 A
6 A
6.1 A
7.1 A
7.5 A
8 A
8.3 A
8.9 A
10 A
11.3 A
12 A
12.3 A
14 A

310 uOhms
580 uOhms
620 uOhms
650 uOhms
740 uOhms
780 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
830 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
920 uOhms
940 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.04 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.22 mOhms

350 mV
400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.1 V, 1.2 V
1.15 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.2 V, 2.4 V

600 pC
710 pC
750 pC
2 nC
2.4 nC
3.8 nC
4.5 nC
4.7 nC
5 nC
5.3 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC, 10 nC
6.7 nC
7.1 nC
9.2 nC
9.5 nC
10 nC
10.1 nC
10.4 nC

240 mW
900 mW
1.25 W
1.6 W
1.8 W
2.8 W
3 W
3.6 W
3.7 W
3.8 W
4 W
4.5 W
4.8 W
5 W
5.2 W
5.6 W
7 W
7.5 W
7.8 W
10.4 W