Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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SIA110DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIA110DJ-T1-GE3

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Vishay / Siliconix

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Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds; 20V Vgs TO-263

SUM70030E-GE3
Vishay Semiconductors
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1 Channel

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- 20 V, 20 V

2 V

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

SISS5812DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SISS5812DN-T1-GE3

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Vishay / Siliconix

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Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 30V 6.4A

SI3483DDV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

SIA468DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIA468DJ-T1-GE3

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78-SIA468DJ-T1-GE3

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SC-70-6

N-Channel

1 Channel

30 V

37.8 A

8.4 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SIAA02DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIAA02DJ-T1-GE3

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78-SIAA02DJ-T1-GE3

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S/1.35

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S/0.802

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SC-70-6

N-Channel

1 Channel

20 V

52 A

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- 8 V, 12 V

1.6 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJ438ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.52
8,906En existencias

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SIJ438ADP-T1-GE3

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78-SIJ438ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/5.45

S/3.70

S/2.95

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S/2.40

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- 16 V, 20 V

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162 nC

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69.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJA52DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.10
5,900En existencias

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SIJA52DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJA52DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

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S/2.04

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PowerPAK-SO-8-4

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60 A

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2.4 V

150 nC

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48 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS447DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.13
13,706En existencias

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SIS447DN-T1-GE3

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78-SIS447DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

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PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

18 A

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- 12 V, 12 V

1.2 V

181 nC

- 55 C

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52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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17,204En existencias

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SISA12ADN-T1-GE3

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78-SISA12ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3

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S/4.20

S/3.02

S/2.02

S/1.58

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S/1.24

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PowerPAK-1212-8

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1 Channel

30 V

25 A

3.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

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28 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

SISA26DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.75
6,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA26DN-T1-GE3

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78-SISA26DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/4.75

S/2.98

S/1.97

S/1.53

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PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

2.15 mOhms

- 12 V, 16 V

1 V

44 nC

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39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

SISF00DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.86
15,979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISF00DN-T1-GE3

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78-SISF00DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

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S/7.86

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S/3.39

S/2.69

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S/2.18

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SCD-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

4.2 mOhms

- 16 V, 20 V

2.1 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISH116DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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20,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH116DN-T1-GE3

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78-SISH116DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/9.46

S/6.11

S/4.16

S/3.33

S/3.23

Envase tipo carrete

S/2.67

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SH

N-Channel

1 Channel

40 V

16.4 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

3.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 50.1A

SISS60DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.98
22,647En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS60DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS60DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 50.1A

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S/7.98

S/5.10

S/3.45

S/2.74

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S/2.23

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

181.8 A

1.31 mOhms

- 12 V, 16 V

1 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQD40020E_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.87
3,834En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD40020E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40020E_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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3,834En existencias

S/8.87

S/6.58

S/5.57

S/3.29

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 24A

SISA12BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.33
11,411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA12BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SISA12BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 24A

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11,411En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/3.35

S/2.22

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.45

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

4.3 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 90A 250W

SUM90N03-2M2P-E3
Vishay Semiconductors
1: S/17.36
790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM90N03-2M2P-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM90N03-2M2P-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 90A 250W

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790En existencias

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S/17.36

S/11.48

S/8.14

S/8.10

Envase tipo carrete

S/7.05

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Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

257 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJ186DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.53
20,094En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJ186DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ186DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

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20,094En existencias

Cinta cortada

S/5.53

S/3.42

S/2.65

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.76

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

79.4 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA18ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.65
39,023En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA18ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA18ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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39,023En existencias

Cinta cortada

S/2.65

S/1.63

S/1.05

S/0.794

Envase tipo carrete

S/0.607

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

30.6 A

8.7 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

14.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA72DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SIRA72DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA72DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/3.93

S/2.88

S/2.28

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S/1.79

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

3.5 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

41.5 nC

- 40 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS407ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.87
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SIS407ADN-T1-GE3

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78-SIS407ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

18 A

9 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

112 nC

- 55 C

+ 150 C

39.1 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISA96DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.69
73,220En existencias

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SISA96DN-T1-GE3

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78-SISA96DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

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S/2.69

S/1.67

S/1.07

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

7.3 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD

SISF20DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.23
3,592En existencias

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SISF20DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISF20DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD

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S/9.23

S/5.92

S/4.79

S/4.67

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S/3.09

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SMD/SMT

PowerPAK-1212SCD-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS04DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.82
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SISS04DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS04DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S

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S/4.79

S/3.52

S/2.80

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S/2.27

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

1.2 mOhms

- 12 V, 16 V

1 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQD40020EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.84
6,946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD40020EL_GE3

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78-SQD40020EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/8.84

S/5.64

S/3.89

S/3.32

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

TrenchFET

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-4
PowerPAIR-3x3-8
PowerPAIR-3x3FDC-8
PowerPAIR 3 x 3FS-12
PowerPAIR-3x3S-8
PowerPAIR-6x5-8
PowerPAIR 6 x 5FS-8
PowerPAK-0806-3
PowerPAK 10 x 12
PowerPAK1212-8
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPak-1212-8
PowerPAK 1212-8PT
PowerPAK-1212-8PT
PowerPAK-1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8

500 mA
1 A
1.02 A
2.6 A
2.9 A
3.7 A
4.5 A
5.7 A
6 A
6.1 A
7.1 A
7.5 A
8 A
8.3 A
8.9 A
10 A
11.3 A
12 A
12.3 A
14 A

310 uOhms
580 uOhms
620 uOhms
650 uOhms
740 uOhms
780 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
830 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
920 uOhms
940 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.04 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.22 mOhms

350 mV
400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.15 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
2 V
2.1 V
2.2 V

600 pC
710 pC
750 pC
2 nC
2.4 nC
3.8 nC
4.5 nC
4.7 nC
5 nC
5.3 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC, 10 nC
6.7 nC
7.1 nC
9.2 nC
9.5 nC
10 nC
10.1 nC
10.4 nC

240 mW
900 mW
1.25 W
1.6 W
1.8 W
2.8 W
3 W
3.6 W
3.7 W
3.8 W
4 W
4.5 W
4.8 W
5 W
5.2 W
5.6 W
7 W
7.5 W
7.8 W
10.4 W