Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

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Resultados: 335

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 24A N-CH MOSFET

SIHK105N60EF-T1GE3
Vishay
1: S/23.36
5,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK105N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-IHK105N60EF-T1GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 24A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

5,015En existencias

Cinta cortada

S/23.36

S/16.93

S/12.34

S/11.44

Envase tipo carrete

S/11.09

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK 10 x 12

N-Channel

1 Channel

600 V

- 20 V, 20 V

5 V

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET

SIJH112E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/21.25
7,353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJH112E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJH112E-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

7,353En existencias

Cinta cortada

S/21.25

S/14.21

S/10.20

S/9.85

Envase tipo carrete

S/8.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8

N-Channel

1 Channel

100 V

225 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS110DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.01
94,668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS110DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS110DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

94,668En existencias

Cinta cortada

S/4.01

S/2.48

S/1.62

S/1.27

Envase tipo carrete

S/0.845

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

14.2 A

54 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS476DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.70
64,030En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS476DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS476DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

64,030En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.24

S/2.84

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

2.05 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 30V 19.1A

SIR1309DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.18
5,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR1309DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR1309DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 30V 19.1A

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Hoja de datos

5,017En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/3.25

S/2.16

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.40

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

65.7 A

7.3 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 13A N-CH MOSFET

SIHH250N60EF-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: S/20.32
8,920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH250N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-IHH250N60EF-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 13A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

8,920En existencias

Cinta cortada

S/20.32

S/13.55

S/10.98

S/9.77

Ver

Envase tipo carrete

S/8.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

600 V

- 20 V, 20 V

5 V

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAIR3X3 2NCH 30V 35A

SIZF5300DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.90
7,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF5300DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF5300DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAIR3X3 2NCH 30V 35A

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Hoja de datos

7,788En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/7.08

S/4.87

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR 3 x 3FS-12

N-Channel

2 Channel

30 V

125 A

2.43 mOhms

- 12 V, 16 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQS142ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.18
36,411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS142ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS142ENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

36,411En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/3.25

S/2.16

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8SLW

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

113 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAIR3X3 2NCH 30V 28.1A

SIZF5302DT-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.65
8,131En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF5302DT-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF5302DT-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAIR3X3 2NCH 30V 28.1A

Obtenga más información

Hoja de datos

8,131En existencias

Cinta cortada

S/9.65

S/4.24

S/3.36

S/2.99

Envase tipo carrete

S/2.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR 3 x 3FS-12

N-Channel

2 Channel

30 V

100 A

3.2 mOhms

- 12 V, 16 V

2 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

48.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ170ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.27
9,253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ170ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ170ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

9,253En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/3.89

S/2.65

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

N-Channel

1 Channel

60 V

63 A

16.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET

SI4056ADY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.94
126,953En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4056ADY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4056ADY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

126,953En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.10

S/2.04

S/1.59

Envase tipo carrete

S/1.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

8.3 A

29.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19.2 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L

SIA471DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
140,323En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA471DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA471DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L

Obtenga más información

Hoja de datos

140,323En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.30

S/1.50

S/1.15

Envase tipo carrete

S/0.903

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

30.3 A

11.5 mOhms

- 20 V, 16 V

2.5 V

18.5 nC

- 55 C

+ 150 C

19.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJ438DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.84
34,719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJ438DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ438DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

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Hoja de datos

34,719En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/5.68

S/3.85

S/3.08

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

1.35 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

182 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR668DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.11
44,153En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR668DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR668DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

44,153En existencias

Cinta cortada

S/12.11

S/5.72

S/4.63

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.74

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

95 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS606BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.90
113,837En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS606BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS606BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Obtenga más información

Hoja de datos

113,837En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.42

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

35.3 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SIS4

SIS488DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.80
67,447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS488DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS488DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SIS4

Obtenga más información

Hoja de datos

67,447En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/2.70

S/1.93

S/1.68

Envase tipo carrete

S/1.50

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISA72DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.68
132,668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA72DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA72DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Obtenga más información

Hoja de datos

132,668En existencias

Cinta cortada

S/5.68

S/2.40

S/1.86

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

3.5 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH

SISH101DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.48
54,289En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH101DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH101DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH

Obtenga más información

Hoja de datos

54,289En existencias

Cinta cortada

S/4.48

S/2.81

S/1.85

S/1.43

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SH-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

7.2 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET; PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 70V 19.6A

SISS76LDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.32
33,885En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS76LDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS76LDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 70V 19.6A

Obtenga más información

Hoja de datos

33,885En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.13

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S

N-Channel

1 Channel

70 V

67.4 A

5.2 mOhms

- 12 V, 12 V

1.6 V

22.3 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 16V Vgs SO-8

SI4459BDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.70
65,621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4459BDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4459BDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 16V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

65,621En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.24

S/2.84

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

27.8 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

5.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7190ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.08
16,585En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7190ADP-T1-RE3

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78-SI7190ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

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S/10.08

S/5.10

S/4.13

S/3.62

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S/2.97

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

250 V

14.4 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

14.9 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8DC

SIDR668ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.22
20,267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR668ADP-T1-RE3

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78-SIDR668ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

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S/12.22

S/8.10

S/5.64

S/4.79

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S/4.05

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SMD/SMT

SO-8DC

N-Channel

1 Channel

100 V

104 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR184DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.97
281,893En existencias

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SIR184DP-T1-RE3

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78-SIR184DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/6.97

S/4.44

S/2.97

S/2.35

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S/1.83

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

73 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 100A Id Qg 48nC Typ.

SIRA90DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.84
31,386En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA90DP-T1-GE3

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78-SIRA90DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 100A Id Qg 48nC Typ.

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S/8.84

S/5.68

S/3.85

S/3.08

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.51

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

650 uOhms

- 16 V, 20 V

800 mV

153 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS32DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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43,361En existencias

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SISS32DN-T1-GE3

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78-SISS32DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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S/7.16

S/4.59

S/3.07

S/2.43

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.82

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

63 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-4
PowerPAIR-3x3-8
PowerPAIR-3x3FDC-8
PowerPAIR 3 x 3FS-12
PowerPAIR-3x3S-8
PowerPAIR-6x5-8
PowerPAIR 6 x 5FS-8
PowerPAK-0806-3
PowerPAK 10 x 12
PowerPAK1212-8
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPak-1212-8
PowerPAK 1212-8PT
PowerPAK-1212-8PT
PowerPAK-1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8

500 mA
1 A
1.02 A
2.6 A
2.9 A
3.7 A
4.5 A
5.7 A
6 A
6.1 A
7.1 A
7.5 A
8 A
8.3 A
8.9 A
10 A
11.3 A
12 A
12.3 A
14 A

310 uOhms
580 uOhms
620 uOhms
650 uOhms
740 uOhms
780 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
830 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
920 uOhms
940 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.04 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.22 mOhms

350 mV
400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.15 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
2 V
2.1 V
2.2 V

600 pC
710 pC
750 pC
2 nC
2.4 nC
3.8 nC
4.5 nC
4.7 nC
5 nC
5.3 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC, 10 nC
6.7 nC
7.1 nC
9.2 nC
9.5 nC
10 nC
10.1 nC
10.4 nC

240 mW
900 mW
1.25 W
1.6 W
1.8 W
2.8 W
3 W
3.6 W
3.7 W
3.8 W
4 W
4.5 W
4.8 W
5 W
5.2 W
5.6 W
7 W
7.5 W
7.8 W
10.4 W