Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

GS66516B-MR

Name: Infineon GS66516B-MR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 499-GS66516B-MR
Price: 11306.47 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

499-GS66516B-MR

Fabricante N.º:

GS66516B-MR

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

GS66516B-MR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies GS66516B-MR

En existencias: 1,030

Existencias:: 1,030 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 53 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/11,306.47	S/11,306.47
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	S/11,306.47	S/2,826,617.50

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

GS-065-060-3-B-MR

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

S/128.76

Mín.:

Producto similar

Fabricante:

Infineon Technologies

Fabricante N.º:

GS-065-060-3-B-MR

Descripción:

GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

Ciclo de vida:

Fin de vida útil: Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	GaNpx
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	32 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 7 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.1 V
Qg - Carga de puerta:	14.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	GaNPX
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	GSP65RXXHB-EVB, GSP665x-EVBIMS2
Tiempo de caída:	22 ns
Frecuencia de trabajo máxima:	10 MHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	12.4 ns
Serie:	GS665xx
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN-on-Si
Tipo de transistor:	E-Mode
Tiempo de retardo de apagado típico:	14.9 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.6 ns
Alias de las piezas n.º:	GS66516B-E01-MR

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GS66516B-MR Hoja de datos (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-7-22 (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

GS665xx Enhancement-Mode Silicon Power Transistors

Infineon Technologies GS665xx Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistors (E-HEMT) feature high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. These power transistors include Island Technology cell layout with high-current die and high yield, and GaNPX^® small packaging enables low inductance and low thermal resistance. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance for high-power applications. The GS665xx enhancement-mode silicon power transistors are available as bottom-sided or top-sided cooled transistors. These power transistors provide ultra-low FOM die, reverse current capability, and zero reverse recovery loss.

GS66516B 650V GaN Bottom-side Cooled Transistor

GaN Systems GS66516B 650V GaN power transistor is designed for very low junction-to-case thermal resistance for demanding high power applications. The GS66516B is offered in a low inductance, low thermal resistance GaNPX™ package with a bottom-side cooled configuration. GaN on silicon power transistors allows for high current, high voltage breakdown, and high switching frequency.