Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

PMV Small Signal N-channel Trench MOSFETs

Nexperia PMV Small Signal N-channel Trench MOSFETs are N-channel enhancement mode Field-Effect Transistors (FET), each in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. They employ Trench MOSFET technology and offer a low threshold voltage and very fast switching. The PMV22EN MOSFET also offers logic-level compatibility. These MOSFETs are ideal for such applications as relay drivers, high-speed line drivers, low-side loadswitches, and switching circuits.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 12

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV88ENEA/SOT23/TO-236AB PMV88ENEAR Nexperia 1: S/3.00 824En existencias 36,000Se espera el 16/03/2027	N.º de artículo del Fabricante PMV88ENEAR N.º de artículo de Mouser 771-PMV88ENEAR	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV88ENEA/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia pmv mosfets	Hoja de datos	824En existencias 36,000Se espera el 16/03/2027	Cinta cortada S/3.00 S/2.06 S/1.30 S/0.806 S/0.607 Envase tipo carrete S/0.444 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	60 V	2.2 A	117 mOhms	20 V	1.3 V	4 nC	- 55 C	+ 175 C	1.26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV164ENEA/SOT23/TO-236AB PMV164ENEAR Nexperia 1: S/1.60 1,424En existencias	N.º de artículo del Fabricante PMV164ENEAR N.º de artículo de Mouser 771-PMV164ENEAR	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV164ENEA/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia pmv mosfets	Hoja de datos	1,424En existencias	Cinta cortada S/1.60 S/0.701 S/0.611 S/0.455 Envase tipo carrete S/0.335 Ver S/0.284 S/0.234 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	60 V	1.6 A	473 mOhms	20 V	1.3 V	2.5 nC	- 55 C	+ 175 C	1.25 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV74EPE/SOT23/TO-236AB PMV74EPER Nexperia 1: S/3.15 920En existencias 3,000Se espera el 27/08/2027	N.º de artículo del Fabricante PMV74EPER N.º de artículo de Mouser 771-PMV74EPER	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV74EPE/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia pmv mosfets	Hoja de datos	920En existencias 3,000Se espera el 27/08/2027	Cinta cortada S/3.15 S/2.16 S/1.37 S/0.849 Envase tipo carrete S/0.459 Ver S/0.615 S/0.397 S/0.343 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TO-236AB-3	P-Channel	1 Channel	30 V	3.4 A	90 mOhms	20 V	3 V	5.7 nC	- 55 C	+ 150 C	510 mW	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV16XN/SOT23/TO-236AB PMV16XNR Nexperia 1: S/3.00 46,704En pedido	N.º de artículo del Fabricante PMV16XNR N.º de artículo de Mouser 771-PMV16XNR	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV16XN/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia pmv mosfets	Hoja de datos	46,704En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: PMV16XNR Existencias: 0 En pedido: 22,704 Se espera el 28/06/2027 24,000 Se espera el 27/08/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/3.00 S/2.06 S/1.30 S/0.81 S/0.615 Envase tipo carrete S/0.529 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	20 V	8.6 A	20 mOhms	12 V	400 mV	13.4 nC	- 55 C	+ 150 C	1.2 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV20EN/SOT23/TO-236AB PMV20ENR Nexperia 1: S/2.26 179,878Se espera el 24/09/2027	N.º de artículo del Fabricante PMV20ENR N.º de artículo de Mouser 771-PMV20ENR	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV20EN/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia pmv mosfets	Hoja de datos	179,878Se espera el 24/09/2027	Cinta cortada S/2.26 S/1.56 S/0.989 S/0.716 S/0.627 Envase tipo carrete S/0.479 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	7.6 A	21 mOhms	20 V	1 V	7.2 nC	- 55 C	+ 150 C	1.2 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV20XNE/SOT23/TO-236AB PMV20XNER Nexperia 1: S/3.46 79,480En pedido	N.º de artículo del Fabricante PMV20XNER N.º de artículo de Mouser 771-PMV20XNER	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV20XNE/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia pmv mosfets	Hoja de datos	79,480En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: PMV20XNER Existencias: 0 En pedido: 25,480 Se espera el 21/06/2027 54,000 Se espera el 24/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/3.46 S/2.40 S/1.52 S/0.981 S/0.798 Envase tipo carrete S/0.619 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	7.2 A	23 mOhms	12 V	400 mV	12.4 nC	- 55 C	+ 150 C	1.2 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV30UN2/SOT23/TO-236AB PMV30UN2R Nexperia 1: S/2.34 40,840En pedido	N.º de artículo del Fabricante PMV30UN2R N.º de artículo de Mouser 771-PMV30UN2R	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV30UN2/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia pmv mosfets	Hoja de datos	40,840En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: PMV30UN2R Existencias: 0 En pedido: 31,840 Se espera el 25/06/2027 9,000 Se espera el 27/08/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/2.34 S/1.60 S/1.02 S/0.701 S/0.642 Envase tipo carrete S/0.494 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TO-236AB-3	N-Channel	1 Channel	20 V	5.4 A	32 mOhms	8 V	400 mV	6.2 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV45EN2/SOT23/TO-236AB PMV45EN2R Nexperia 1: S/2.26 30,400Se espera el 24/09/2027	N.º de artículo del Fabricante PMV45EN2R N.º de artículo de Mouser 771-PMV45EN2R	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV45EN2/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia pmv mosfets	Hoja de datos	30,400Se espera el 24/09/2027	Cinta cortada S/2.26 S/1.56 S/0.989 S/0.623 S/0.545 Envase tipo carrete S/0.479 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	5.1 A	42 mOhms	20 V	1 V	3.6 nC	- 55 C	+ 150 C	1.115 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV60ENEA/SOT23/TO-236AB PMV60ENEAR Nexperia 1: S/3.15 26,984En pedido	N.º de artículo del Fabricante PMV60ENEAR N.º de artículo de Mouser 771-PMV60ENEAR	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV60ENEA/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia pmv mosfets	Hoja de datos	26,984En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: PMV60ENEAR Existencias: 0 En pedido: 2,984 Se espera el 22/01/2027 24,000 Se espera el 25/01/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/3.15 S/2.16 S/1.37 S/0.872 S/0.646 Envase tipo carrete S/0.557 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	40 V	3 A	75 mOhms	20 V	1 V	3.6 nC	- 55 C	+ 175 C	1.25 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV28ENEA/SOT23/TO-236AB PMV28ENEAR Nexperia 1: S/3.11 12,000Se espera el 22/01/2027	N.º de artículo del Fabricante PMV28ENEAR N.º de artículo de Mouser 771-PMV28ENEAR	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV28ENEA/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia pmv mosfets	Hoja de datos	12,000Se espera el 22/01/2027	Cinta cortada S/3.11 S/2.14 S/1.36 S/0.864 S/0.638 Envase tipo carrete S/0.553 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	4.4 A	37 mOhms	20 V	1 V	5.3 nC	- 55 C	+ 175 C	1.25 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV52ENEA/SOT23/TO-236AB PMV52ENEAR Nexperia 1: S/3.04 5,940Se espera el 22/01/2027	N.º de artículo del Fabricante PMV52ENEAR N.º de artículo de Mouser 771-PMV52ENEAR	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV52ENEA/SOT23/TO-236AB Obtenga más información sobre Nexperia pmv mosfets	Hoja de datos	5,940Se espera el 22/01/2027	Cinta cortada S/3.04 S/2.10 S/1.33 S/0.845 S/0.627 Envase tipo carrete S/0.541 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	3.2 A	70 mOhms	20 V	1 V	2.2 nC	- 55 C	+ 175 C	1.25 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMZ600UNE/SOT883/XQFN3 PMZ600UNEYL Nexperia 1: S/1.17 29,995En pedido	N.º de artículo del Fabricante PMZ600UNEYL N.º de artículo de Mouser 771-PMZ600UNEYL	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMZ600UNE/SOT883/XQFN3 Obtenga más información sobre Nexperia pmv mosfets	Hoja de datos	29,995En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: PMZ600UNEYL Existencias: 0 En pedido: 9,995 Se espera el 27/10/2026 20,000 Se espera el 13/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/1.17 S/0.673 S/0.413 S/0.296 Ver Envase tipo carrete S/0.171 S/0.257 S/0.245 S/0.171 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000	Si	SMD/SMT	DFN-1006-3	N-Channel	1 Channel	20 V	600 mA	470 mOhms	8 V	450 mV	400 pC	- 55 C	+ 150 C	715 mW	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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