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RV7E035ATTCR1

Name: ROHM Semiconductor RV7E035ATTCR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV7E035ATTCR1
Price: 3.11 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RV7E035ATTCR1

Fabricante N.º:

RV7E035ATTCR1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET : RV7E035AT is a MOSFET, suitable for switching circuits and High side Load switch.

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/3.11	S/3.11
	S/1.92	S/19.20
	S/1.27	S/127.00
	S/0.996	S/498.00
	S/0.852	S/852.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.712	S/2,136.00
	S/0.646	S/3,876.00
	S/0.599	S/5,391.00
	S/0.58	S/13,920.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN1212-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	78 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	4.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RV7E035AT P-Channel Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor RV7E035AT P-Channel Small Signal MOSFET is a compact, high-performance device designed for low-voltage switching applications. Housed in a space-saving TUMT3 package, the RV7E035AT offers excellent switching characteristics and low on-resistance, making it ideal for portable and battery-powered electronics. This MOSFET features a drain-source voltage (V_DS) of -30V, a continuous drain current (ID) of -3.5A, and a low on-resistance [R_DS(on)] of just 47mΩ at V_GS = -4.5V, ensuring efficient power management and minimal heat generation. The ROHM Semiconductor RV7E035AT is optimized for high-speed switching and is well-suited for load switching, DC-DC converters, and power management circuits in compact electronic devices. A robust design and thermal efficiency also support reliable operation in demanding environments.