NSVMSD1819A-RT1G

onsemi
863-NSVMSD1819A-RT1G
NSVMSD1819A-RT1G

Fabricante:

Descripción:
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS SC70 GP XSTR NPN 50V

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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-70-3
NPN
Single
200 mA
60 V
60 V
7 V
500 mV
150 mW
+ 150 C
MSD1819A-R
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Corriente continua del colector: 100 mA
Máx. ganancia de CC hFE: 340
Tipo de producto: BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Malasia
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MSD1819A-R General Purpose & Low VCE Transistor

onsemi MSD1819A-R General Purpose and Low VCE Transistor is designed for amplifier applications. This NPN transistor features a high current gain (hFE) from 210 to 460 and a low VCE <0.5V. The NPN transistor comes in the SC-70/SOT-323 package, designed for low-power surface mount applications. The silicon epitaxial planar transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. This low VCE transistor is Pb and halogen/BFR-free. Typical applications include reverse battery protection, DC-DC converter output driver, and high-speed switching.

En existencias: 11,311

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
51 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/1.13 S/1.13
S/0.697 S/6.97
S/0.432 S/43.20
S/0.331 S/165.50
S/0.288 S/288.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/0.214 S/642.00

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