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NTMFS3D0N08XT1G

Name: onsemi NTMFS3D0N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D0N08XT1G
Price: 10.39 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS3D0N08XT1G

Fabricante N.º:

NTMFS3D0N08XT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Hoja de datos:

NTMFS3D0N08XT1G Hoja de datos

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Se espera el 23/10/2026
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	S/10.39	S/10.39
	S/6.66	S/66.60
	S/4.52	S/452.00
	S/3.76	S/1,880.00
	S/3.16	S/3,160.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/3.16	S/4,740.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	154 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	28 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	133 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	115 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Serie:	NTMFS3D0N08X
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTMFS3D0N08X Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS3D0N08X Single N-Channel Power MOSFET is an 80V T10 standard gate MOSFET ideal for Cloud power, 5G Telecom, and other PSU applications, as well as DC/DC and industrial applications. NTMFS3D0N08X provides better performance with improved system efficiency and high power density with below-performance features. This MOSFET provides improved overall efficiency, improved switching losses, reduced ringing/overshoot/noise, and improved Avalanche ruggedness in fast-switching applications.