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LMG3612REQR

Name: Texas Instruments LMG3612REQR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3612REQR
Price: 35.42 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-LMG3612REQR

Fabricante N.º:

LMG3612REQR

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puertas SINGLE-CHANNEL 650-V 120-MOHM GAN FET

Hoja de datos:

LMG3612REQR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/35.42	S/35.42
	S/24.25	S/242.50
	S/19.38	S/1,938.00
	S/18.80	S/18,800.00
	S/15.80	S/31,600.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
REACH - SVHC:
Producto:	Power Switch ICs
Tipo:	Driver
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VQFN-38
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	23.34 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	10 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	26 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG3612
Marca:	Texas Instruments
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG3612 Single-Channel GaN FET

Texas Instruments LMG3612 Single-Channel GaN FET offers a 650V drain-source voltage and 120mΩ drain-source resistance with an integrated driver designed for switch-mode power-supply applications. This IC combines the GaN FET, gate driver, and protection features in an 8mm x 5.3mm QFN package. The LMG3612 GaN FET features a low output-capacitive charge that reduces the time and energy required for power converter switching. This transistor's internal gate driver regulates the drive voltage for optimum GaN FET on-resistance. The internal gate driver reduces total gate inductance and GaN FET common-source inductance for improved switching performance, including Common-Mode Transient Immunity (CMTI). The LMG3612 GaN FET supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with 55µA low quiescent currents and fast start-up times.