Transistores – Mouser Perú

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Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: S/50.91
14En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT070H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

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14En existencias

Cinta cortada

S/50.91

S/35.46

S/28.53

Envase tipo carrete

S/26.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: S/78.51
5En existencias
600Se espera el 5/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCTW40N120G2VAG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

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5En existencias

600Se espera el 5/02/2027

S/78.51

S/42.04

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: S/106.93
1,200Se espera el 12/03/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT011HU75G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT011HU75G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

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1,200Se espera el 12/03/2027

Cinta cortada

S/106.93

S/82.13

S/73.76

Envase tipo carrete

S/66.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: S/97.20
1,985En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT016H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT016H120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

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1,985En pedido

Cinta cortada

S/97.20

S/70.26

S/65.51

S/65.47

Envase tipo carrete

S/61.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: S/71.47
1,997Se espera el 26/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT025H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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1,997Se espera el 26/02/2027

Cinta cortada

S/71.47

S/50.72

S/44.26

S/43.83

Envase tipo carrete

S/41.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027HU65G3AG
STMicroelectronics
1: S/56.87
400Se espera el 29/01/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT027HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT027HU65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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400Se espera el 29/01/2027

Cinta cortada

S/56.87

S/43.32

S/36.12

Envase tipo carrete

S/32.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: S/53.05
996Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT040H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

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996Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/53.05

S/37.02

S/30.09

Envase tipo carrete

S/28.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: S/56.25
1,200Se espera el 5/02/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

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1,200Se espera el 5/02/2027

Cinta cortada

S/56.25

S/41.81

S/34.68

Envase tipo carrete

S/30.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: S/52.67
1,800Se espera el 29/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT055HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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1,800Se espera el 29/01/2027

Cinta cortada

S/52.67

S/40.13

S/33.44

Envase tipo carrete

S/29.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: S/56.60
599Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT070HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

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599Se espera el 28/09/2026

Cinta cortada

S/56.60

S/39.82

S/32.93

Envase tipo carrete

S/30.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

SCT1000N170
STMicroelectronics
1: S/37.02
600Se espera el 21/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT1000N170

N.º de artículo de Mouser
511-SCT1000N170

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

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600Se espera el 21/05/2027

S/37.02

S/25.30

S/21.06

S/15.65

S/15.30

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

SCT10N120AG
STMicroelectronics
1: S/38.34
2,089Se espera el 11/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT10N120AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT10N120AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

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2,089Se espera el 11/06/2027

S/38.34

S/20.67

S/19.07

S/18.61

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

N-Channel

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: S/50.25
100En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3-4

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

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100En pedido

S/50.25

S/33.71

S/29.62

S/25.38

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1,000: S/33.94
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT018H65G3-7

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018H65G3-7

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

Envase tipo carrete

S/33.94

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

SCT020H120G3AG
STMicroelectronics
1: S/76.95
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT020H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT020H120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

Cinta cortada

S/76.95

S/57.49

S/49.71

S/47.06

Envase tipo carrete

S/42.58

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4
STMicroelectronics
1: S/45.66
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SCT070W120G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3-4

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

S/45.66

S/28.34

S/25.22

S/23.08

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

SCT070W120G3AG
STMicroelectronics
1: S/44.06
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT070W120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

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Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

S/44.06

S/35.81

S/31.80

S/28.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055H65G3AG
STMicroelectronics
1,000: S/22.54
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT055H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055H65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

Envase tipo carrete

S/22.54

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

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