Transistores – Mouser Perú

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Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: S/47.37
85En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT070H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

85En existencias

Cinta cortada

S/47.37

S/33.16

S/28.53

S/28.49

Envase tipo carrete

S/23.28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: S/53.13
73En existencias
1,200Se espera el 16/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT070HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

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73En existencias

1,200Se espera el 16/03/2026

Cinta cortada

S/53.13

S/37.21

S/32.93

Envase tipo carrete

S/26.86

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

SCT1000N170
STMicroelectronics
1: S/34.57
594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT1000N170

N.º de artículo de Mouser
511-SCT1000N170

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

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Hoja de datos

594En existencias

S/34.57

S/23.67

S/17.48

S/15.34

S/15.30

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: S/61.89
510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT20N120AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

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Hoja de datos

510En existencias

S/61.89

S/45.66

S/31.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

N-Channel

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: S/113.51
1,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTL90N65G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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Hoja de datos

1,597En existencias

Cinta cortada

S/113.51

S/86.84

Envase tipo carrete

S/70.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: S/66.95
593En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTW40N120G2VAG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

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593En existencias

S/66.95

S/41.53

S/36.28

S/36.24

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

SCTWA40N12G24AG
STMicroelectronics
1: S/68.35
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTWA40N12G24AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTWA40N12G24AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

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90En existencias

S/68.35

S/48.58

S/37.45

S/37.21

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/94.32
600Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT015W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

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600Se espera el 27/07/2026

S/94.32

S/77.19

S/68.16

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/70.73
1,200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SCT025W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

1,200En pedido

S/70.73

S/56.64

S/48.97

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027HU65G3AG
STMicroelectronics
1: S/52.59
400Se espera el 12/06/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT027HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT027HU65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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400Se espera el 12/06/2026

Cinta cortada

S/52.59

S/39.24

S/33.94

Envase tipo carrete

S/32.15

S/27.29

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SiC MOSFETS

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: S/49.36
996Se espera el 22/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT040H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

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996Se espera el 22/04/2026

Cinta cortada

S/49.36

S/34.60

S/30.09

S/30.05

Envase tipo carrete

S/24.56

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: S/48.70
1,113Se espera el 10/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT055HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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1,113Se espera el 10/03/2026

Cinta cortada

S/48.70

S/34.33

S/29.78

Envase tipo carrete

S/24.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

SCT10N120AG
STMicroelectronics
1: S/35.73
844Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT10N120AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT10N120AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

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844Se espera el 26/10/2026

S/35.73

S/20.24

S/16.08

S/16.04

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

N-Channel

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: S/44.30
100En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3-4

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

100En pedido

S/44.30

S/36.08

S/30.05

S/26.78

S/22.73

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1,000: S/38.34
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT018H65G3-7

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018H65G3-7

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/38.34

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

SCT020H120G3AG
STMicroelectronics
1: S/71.74
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT020H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT020H120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/71.74

S/57.45

S/49.67

Envase tipo carrete

S/49.67

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SiC MOSFETS

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4
STMicroelectronics
1: S/42.55
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT070W120G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3-4

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

S/42.55

S/25.42

S/21.64

S/20.16

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

SCT070W120G3AG
STMicroelectronics
1: S/47.25
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT070W120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

S/47.25

S/38.46

S/32.07

S/28.57

S/24.25

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

SCTWA40N120G2V
STMicroelectronics
1: S/70.22
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCTWA40N120G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTWA40N120G2V

NRND

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/70.22

S/53.48

S/44.96

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055H65G3AG
STMicroelectronics
1,000: S/20.20
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT055H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055H65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/20.20

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

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