Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 358

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A

RU1C002UNTCL
ROHM Semiconductor
1: S/1.25
2,361Se espera el 26/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
RU1C002UNTCL

N.º de artículo de Mouser
755-RU1C002UNTCL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,361Se espera el 26/06/2026

Cinta cortada

S/1.25

S/0.771

S/0.487

S/0.358

Envase tipo carrete

S/0.199

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323FL-3

N-Channel

1 Channel

20 V

200 mA

1.2 Ohms

- 8 V, 8 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.2V Drive Pch MOSFET

RV2C001ZPT2L
ROHM Semiconductor
1: S/1.48
6,131Se espera el 29/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
RV2C001ZPT2L

N.º de artículo de Mouser
755-RV2C001ZPT2L

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.2V Drive Pch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

6,131Se espera el 29/06/2026

Cinta cortada

S/1.48

S/0.903

S/0.568

S/0.424

Envase tipo carrete

S/0.234

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 8,000

SMD/SMT

DFN-1006-3

P-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3.8 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6004ENX
ROHM Semiconductor
1: S/9.19
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6004ENX

N.º de artículo de Mouser
755-R6004ENX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/9.19

S/5.92

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.32

S/4.09

S/3.86

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET

R6004KNJTL
ROHM Semiconductor
1: S/11.33
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6004KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6004KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/11.33

S/7.36

S/5.41

S/4.52

Envase tipo carrete

S/3.77

S/3.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

980 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

10.2 nC

- 55 C

+ 150 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET

R6004KNX
ROHM Semiconductor
1: S/4.71
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6004KNX

N.º de artículo de Mouser
755-R6004KNX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/4.71

S/2.96

S/2.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

10.2 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover

R6006JNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/12.77
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6006JNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6006JNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/12.77

S/6.42

S/5.80

S/4.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

936 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

15.5 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 7A Si MOSFET

R6007KNX
ROHM Semiconductor
1: S/10.94
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6007KNX

N.º de artículo de Mouser
755-R6007KNX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 7A Si MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/10.94

S/7.05

S/5.06

S/3.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

570 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6009ENJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/4.90
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6009ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6009ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.90

S/4.63

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

535 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 9A Si MOSFET

R6009KNJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/3.45
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6009KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6009KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 9A Si MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.45

S/3.08

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

535 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6011ENJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/6.62
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6011ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6011ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.62

S/6.58

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6011ENX
ROHM Semiconductor
1: S/13.78
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6011ENX

N.º de artículo de Mouser
755-R6011ENX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/13.78

S/10.47

S/7.98

Envase tipo carrete

S/6.58

S/5.96

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6015ENX
ROHM Semiconductor
500: S/6.89
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6015ENX

N.º de artículo de Mouser
755-R6015ENX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.89

S/6.66

Presupuesto

Min.: 500
Mult.: 500

Carrete: 500

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

260 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET

R6030KNXC7
ROHM Semiconductor
1,000: S/7.43
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6030KNXC7

N.º de artículo de Mouser
755-R6030KNXC7

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/7.43

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Fast Switch

R6047KNZ4C13
ROHM Semiconductor
600: S/34.02
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6047KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6047KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/34.02

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 50A 3rd Gen, Fast Recover

R6050JNZ4C13
ROHM Semiconductor
600: S/42.82
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6050JNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6050JNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 50A 3rd Gen, Fast Recover

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/42.82

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

83 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

615 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Fast Switch

R6076KNZ4C13
ROHM Semiconductor
600: S/53.05
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6076KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6076KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/53.05

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

165 nC

- 55 C

+ 150 C

735 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

R6504ENJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/4.05
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6504ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6504ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.05

S/3.74

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

58 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch

R6504KNJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/4.05
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6504KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6504KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.05

S/3.74

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

58 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise

R6507ENJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/5.64
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6507ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6507ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.64

S/5.45

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

665 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch

R6507KNJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/5.64
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6507KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6507KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.64

S/5.45

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

665 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise

R6509ENJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/6.07
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6509ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6509ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.07

S/5.96

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9 A

585 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch

R6509KNJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/6.07
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6509KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6509KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.07

S/5.96

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9 A

585 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Low Noise

R6515ENJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/9.58
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6515ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6515ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Low Noise

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/9.58

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

315 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

R6515KNJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/9.58
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6515KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6515KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/9.58

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

315 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27.5 nC

- 55 C

+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise

R6520ENJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/10.98
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6520ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6520ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/10.98

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

205 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

231 W

Enhancement

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-0604-3
DFN-0806-3
DFN-1006-3
DFN-2020-8
HSMT-8
HSOP-8
SOP-8
SOT-23-3
SOT-323-3
SOT-323FL-3
SOT-323T-3
SOT-346-3
SOT-346T-3
SOT-363-6
SOT-363T-3
SOT-363T-6
SOT-416-3
SOT-416FL-3
SOT-457-6
SOT-457T-6

100 mA
150 mA
180 mA
200 mA
230 mA
250 mA
1 A
1.3 A
1.4 A
1.5 A
1.6 A
2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
4 A
4.5 A
5 A
5.5 A
6 A

1.2 mOhms
1.76 mOhms
1.86 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.9 mOhms
4.1 mOhms
4.3 mOhms
4.6 mOhms

1.4 nC
1.8 nC
2 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.4 nC
2.7 nC
2.9 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.7 nC
4 nC
4.3 nC
4.6 nC
4.7 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.2 nC

100 mW
150 mW
200 mW
350 mW
400 mW
600 mW
800 mW
1 W
1.25 W
1.5 W
2 W
3 W
14 W
14.8 W
15 W
17 W
18 W
20 W
22 W
23 W