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NTMJS1D5N04CLTWG

Name: onsemi NTMJS1D5N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMJS1D5N04CLTWG
Price: 10.35 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMJS1D5N04CLTWG

Fabricante N.º:

NTMJS1D5N04CLTWG

Fabricante:

onsemi

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	S/10.35	S/10.35
	S/6.66	S/66.60
	S/4.55	S/455.00
	S/3.65	S/1,825.00
	S/3.37	S/3,370.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/3.15	S/9,450.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	200 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	70 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	110 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	JP
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	256 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	140 ns
Serie:	NTMJS1D5N04CL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	31 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	99.445 mg