Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFETs de potencia automotrices OptiMOS™ 7 de 80V

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V Automotive Power MOSFETs are built with Infineon’s leading-edge, power semiconductor technology. These MOSFETs are designed specifically for the high performance, quality, and robustness needed for demanding automotive applications. The OptiMOS™ 7 80V MOSFETs operate with a ±20V_GS gate source voltage and a temperature range of -55°C to 175°C. These MOSFETs are offered in top-side cooled SSO10T 5x7mm2 SMD package. The SSO10T package helps users achieve advancements in cooling and power density. The 80V power MOSFETs are MSL-1 rated, RoHS compliant, and 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for general automotive applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7

IAUCN08S7N036TATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN08S7N036TATMA1

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726-IAUCN08S7N036TAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7

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S/5.53

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S/3.97

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LHDSO-10

N-Channel

1 Channel

80 V

129 A

3.6 mOhms

20 V

3.2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.96
5,401En existencias
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IAUCN10S7L040ATMA1

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726-IAUCN10S7L040ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/12.96

S/8.41

S/5.80

S/4.83

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S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

3.3 mOhms

16 V

2 V

44.3 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V

IAUTN08S7N007ATMA1
Infineon Technologies
1: S/35.15
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IAUTN08S7N007ATMA1

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726-IAUTN08S7N007ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V

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S/35.15

S/24.76

S/20.01

S/17.79

S/16.82

Envase tipo carrete

S/14.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

539 A

0.75 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L013ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
912En existencias
10,000Se espera el 15/07/2026
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IAUCN08S7L013ATMA1

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S/8.95

S/7.79

S/7.32

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S/7.32

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

293 A

1.26 mOhms

20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

219 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L018ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.00
3,931En existencias
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726-IAUCN08S7L018ATM

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S/5.22

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

210 A

1.8 mOhms

20 V

2 V

79.9 nC

- 55 C

+ 175 C

169 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L024ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.09
4,381En existencias
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IAUCN08S7L024ATMA1

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726-IAUCN08S7L024ATM

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S/4.36

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

177 A

2.4 mOhms

16 V

2 V

65.2 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN08S7L033ATMA1
Infineon Technologies
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S/3.11

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

130 A

3.3 mOhms

16 V

2 V

44.3 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN08S7N046ATMA1
Infineon Technologies
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S/2.81

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: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

20 V

3.2 V

27.2 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUZN10S7L289ATMA1
Infineon Technologies
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4,341En existencias
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S/2.25

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S/1.31

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: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

27 A

28.9 mOhms

16 V

2 V

10.9 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUZN08S7L177ATMA1
Infineon Technologies
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1,570En existencias
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IAUZN08S7L177ATMA1

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S/2.51

S/1.97

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S/1.35

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

35 A

17.7 mOhms

16 V

2 V

11.8 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN10S7N078ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
1,393En existencias
5,000Se espera el 20/07/2026
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IAUZN10S7N078ATMA1

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726-IAUZN10S7N078ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/10.51

S/6.73

S/4.59

S/3.64

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Envase tipo carrete

S/2.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

76 A

7.8 mOhms

20 V

3.2 V

22.2 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N019TATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.58
5,284En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N019TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N019TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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Cinta cortada

S/16.58

S/10.90

S/7.67

S/6.42

Envase tipo carrete

S/6.03

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-2

N-Channel

1 Channel

80 V

223 A

1.94 mOhms

20 V

3.2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

IAUCN08S7N024TATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.03
5,387En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N024TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N024TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

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5,387En existencias

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S/15.03

S/9.81

S/7.16

S/5.99

Envase tipo carrete

S/5.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-1

N-Channel

1 Channel

80 V

186 A

2.44 mOhms

20 V

3.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

157 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N045TATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.05
5,282En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N045TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N045TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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5,282En existencias

Cinta cortada

S/11.05

S/7.12

S/4.90

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-1

N-Channel

1 Channel

80 V

103 A

4.54 mOhms

20 V

3.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

98 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N016TATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.54
30,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N016TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N016TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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Hoja de datos

30,000En pedido

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S/22.54

S/14.91

S/10.59

S/8.72

S/8.14

Envase tipo carrete

S/7.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-3

N-Channel

1 Channel

80 V

262 A

1.63 mOhms

20 V

3.2 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFETs de potencia automotrices OptiMOS™ 7 de 80V

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