Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7

IAUCN08S7N036TATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.87
2,995En existencias
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IAUCN08S7N036TATMA1

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726-IAUCN08S7N036TAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7

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S/11.87

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Envase tipo carrete

S/3.76

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: 2,000

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1 Channel

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129 A

3.6 mOhms

20 V

3.2 V

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- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
4,964En existencias
25Se espera el 28/05/2026
Nuevo producto

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IAUCN10S7L040ATMA1

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726-IAUCN10S7L040ATM

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S/12.77

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S/4.71

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Envase tipo carrete

S/4.16

Min.: 1
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SMD/SMT

PG-TDSON-8

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1 Channel

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130 A

3.3 mOhms

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2 V

44.3 nC

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+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L018ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.09
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S/6.73

S/5.49

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L024ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.57
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S/4.20

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80 V

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2.4 mOhms

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+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN08S7L033ATMA1
Infineon Technologies
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S/4.67

S/3.97

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S/3.14

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

130 A

3.3 mOhms

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUZN08S7N046ATMA1
Infineon Technologies
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S/3.37

S/2.97

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S/2.77

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PG-TDSON-8

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1 Channel

80 V

99 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUZN10S7L289ATMA1
Infineon Technologies
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4,350En existencias
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S/3.36

S/2.22

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.35

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN10S7N078ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.95
3,006En existencias
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Envase tipo carrete

S/2.60

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PG-TDSON-8

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100 V

76 A

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3.2 V

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+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

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IAUZN08S7L177ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
1,948En existencias
5,000Se espera el 30/07/2026
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IAUZN08S7L177ATMA1

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S/2.34

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.37

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: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

35 A

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16 V

2 V

11.8 nC

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45 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN08S7N019TATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.58
5,284En existencias
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IAUCN08S7N019TATMA1

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726-IAUCN08S7N019TAT

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S/16.58

S/10.90

S/7.67

S/6.46

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.99

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: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-2

N-Channel

1 Channel

80 V

223 A

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20 V

3.2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

IAUCN08S7N024TATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.21
5,437En existencias
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IAUCN08S7N024TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N024TAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

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Cinta cortada

S/14.21

S/9.26

S/6.66

S/5.41

Envase tipo carrete

S/5.02

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-1

N-Channel

1 Channel

80 V

186 A

2.44 mOhms

20 V

3.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

157 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N045TATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
5,322En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N045TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N045TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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5,322En existencias

Cinta cortada

S/11.41

S/7.36

S/5.10

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.55

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-1

N-Channel

1 Channel

80 V

103 A

4.54 mOhms

20 V

3.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

98 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N016TATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.12
76En existencias
10,000Se espera el 29/10/2026
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N016TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N016TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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76En existencias

10,000Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/20.12

S/13.23

S/9.65

S/8.21

S/7.90

Envase tipo carrete

S/7.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-3

N-Channel

1 Channel

80 V

262 A

1.63 mOhms

20 V

3.2 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L013ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
9,356En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7L013ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7L013ATM

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S/19.07

S/12.65

S/8.95

S/7.79

Envase tipo carrete

S/7.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

293 A

1.26 mOhms

20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

219 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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