Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFETs de potencia automotrices OptiMOS™ 7 de 80V

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V Automotive Power MOSFETs are built with Infineon’s leading-edge, power semiconductor technology. These MOSFETs are designed specifically for the high performance, quality, and robustness needed for demanding automotive applications. The OptiMOS™ 7 80V MOSFETs operate with a ±20V_GS gate source voltage and a temperature range of -55°C to 175°C. These MOSFETs are offered in top-side cooled SSO10T 5x7mm2 SMD package. The SSO10T package helps users achieve advancements in cooling and power density. The 80V power MOSFETs are MSL-1 rated, RoHS compliant, and 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for general automotive applications.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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OptiMOS

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IAUCN08S7L018ATMA1
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Enhancement

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OptiMOS

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OptiMOS

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IAUCN08S7L013ATMA1
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IAUCN08S7L033ATMA1
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130 A

3.3 mOhms

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+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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OptiMOS

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IAUCN08S7N019TATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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S/5.49

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3.2 V

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OptiMOS

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IAUCN08S7N024TATMA1
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IAUCN08S7N024TATMA1

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726-IAUCN08S7N024TAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

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S/4.71

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80 V

186 A

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20 V

3.2 V

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- 55 C

+ 175 C

157 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N045TATMA1
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1: S/10.51
5,824En existencias
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IAUCN08S7N045TATMA1

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726-IAUCN08S7N045TAT

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S/6.77

S/4.75

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SMD/SMT

PG-LHDSO-10-1

N-Channel

1 Channel

80 V

103 A

4.54 mOhms

20 V

3.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

98 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN08S7L177ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.98
2,920En existencias
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IAUZN08S7L177ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN08S7L177ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/4.98

S/3.15

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S/1.64

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PG-TDSON-8

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1 Channel

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35 A

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45 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN10S7L289ATMA1
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IAUZN10S7L289ATMA1

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PG-TDSON-8

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27 A

28.9 mOhms

16 V

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10.9 nC

- 55 C

+ 175 C

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