M2P45M12W2-1LA

STMicroelectronics
511-M2P45M12W2-1LA
M2P45M12W2-1LA

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
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STMicroelectronics
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
MOSFET Modules
Power Modules
Press Fit
44 mm
27.4 mm
AQG 324
Tube
Marca: STMicroelectronics
Altura: 5.7 mm
Id - Corriente de drenaje continua: 30 A
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
Número de canales: 6 Channel
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 60.5 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica: 11
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: 1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: - 10 V, 22 V
Peso de la unidad: 13 g
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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

M2P45M12W2-1LA Automotive Power Module

STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA Automotive Power Module offers a six-pack topology with integrated NTC, targeted for the DC/DC converter stage of the On-Board Charger (OBC) in hybrid and electric vehicles. The power module integrates six second-generation silicon carbide Power MOSFETs. The well-recognized chip technology allows the STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA to minimize energy losses and operate in a high switching frequency mode. The module lets users create complex topologies with very high power densities and high efficiency requirements.

En existencias: 124

Existencias:
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