Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XLT1G
onsemi
1: S/17.98
1,163En existencias
1,500Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D5N04XLT1G

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863-NTMFS0D5N04XLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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Cinta cortada

S/17.98

S/11.87

S/8.41

S/7.20

S/6.70

Envase tipo carrete

S/6.70

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: 1,500

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

2.2 V

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- 55 C

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194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
1: S/13.90
3,000En existencias

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NTMFS0D5N04XMT1G

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863-NTMFS0D5N04XMT1G

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Cinta cortada

S/13.90

S/9.07

S/6.31

S/5.14

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.71

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SMD/SMT

DFN-5

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D9N04XLT1G
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1,197En existencias
1,500Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D9N04XLT1G

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863-NTMFS0D9N04XLT1G

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Cinta cortada

S/13.82

S/9.03

S/6.27

S/5.10

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.67

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

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278 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

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136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D9N04XMT1G
onsemi
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2,852En existencias

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NTMFS0D9N04XMT1G

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863-NTMFS0D9N04XMT1G

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Cinta cortada

S/11.13

S/7.12

S/4.83

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

273 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

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121 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D1N04XMT1G
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2,494En existencias

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NTMFS1D1N04XMT1G

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863-NTMFS1D1N04XMT1G

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S/9.42

S/6.03

S/4.13

S/3.29

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.78

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DFN-5

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104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
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4,080En existencias
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NTMFS2D1N08XT1G

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863-NTMFS2D1N08XT1G

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S/13.31

S/8.68

S/5.99

S/5.06

S/4.36

Envase tipo carrete

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DFN-5

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201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS2D3N04XMT1G
onsemi
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5,932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D3N04XMT1G

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863-NTMFS2D3N04XMT1G

onsemi

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5,932En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.93

S/2.60

S/2.05

S/1.90

Envase tipo carrete

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DFN-5

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111 A

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3.5 V

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53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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NTMFS0D4N04XMT1G
onsemi
1: S/15.80
102En existencias
6,000En pedido

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NTMFS0D4N04XMT1G

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863-NTMFS0D4N04XMT1G

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Cinta cortada

S/15.80

S/10.32

S/7.59

Envase tipo carrete

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DFN-5

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420 uOhms

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D7N04XLT1G
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1: S/12.14
1,111En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D7N04XLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D7N04XLT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/12.14

S/7.90

S/5.45

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Envase tipo carrete

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DFN-5

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40 V

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2.2 V

96 nC

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+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D3N04XMT1G
onsemi
1: S/8.33
495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D3N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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495En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.59

S/2.85

S/2.34

Envase tipo carrete

S/2.34

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DFN-5

N-Channel

1 Channel

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195 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

38.5 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D5N08XT1G
onsemi
1: S/12.07
147En existencias
16,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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147En existencias

16,500En pedido

Cinta cortada

S/12.07

S/7.79

S/5.41

S/4.52

S/3.80

Envase tipo carrete

S/3.80

Min.: 1
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: 1,500

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DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

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- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
1: S/5.96
667En existencias
1,500Se espera el 3/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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667En existencias

1,500Se espera el 3/07/2026

Cinta cortada

S/5.96

S/3.74

S/2.49

S/1.95

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D6N04XMT1G
onsemi
1: S/13.08
86En existencias
4,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D6N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D6N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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86En existencias

4,500En pedido

Cinta cortada

S/13.08

S/8.52

S/5.88

S/4.87

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86.4 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: S/9.34
40En existencias
3,000Se espera el 31/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

40En existencias

3,000Se espera el 31/03/2027

Cinta cortada

S/9.34

S/6.07

S/3.97

S/3.18

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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