Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
onsemi
1: S/14.83
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1,500Se espera el 20/02/2026

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NTMFS0D4N04XMT1G

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863-NTMFS0D4N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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Cinta cortada

S/14.83

S/9.69

S/7.59

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.14

Ver

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

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- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XLT1G
onsemi
1: S/16.23
1,910En existencias

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NTMFS0D5N04XLT1G

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863-NTMFS0D5N04XLT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/16.23

S/10.70

S/7.55

S/6.85

Envase tipo carrete

S/5.57

Min.: 1
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SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

455 A

490 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

127 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D6N04XMT1G
onsemi
1: S/11.64
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N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D6N04XMT1G

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863-NTMFS0D6N04XMT1G

onsemi

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S/11.64

S/7.59

S/5.25

S/4.36

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.55

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

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- 20 V, 20 V

3.5 V

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+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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NTMFS0D9N04XLT1G
onsemi
1: S/12.22
1,485En existencias
1,500Se espera el 13/11/2026

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NTMFS0D9N04XLT1G

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863-NTMFS0D9N04XLT1G

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Cinta cortada

S/12.22

S/8.10

S/5.64

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.01

Ver

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SMD/SMT

DFN-5

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1 Channel

40 V

278 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

70 nC

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136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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NTMFS1D1N04XMT1G
onsemi
1: S/8.84
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NTMFS1D1N04XMT1G

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863-NTMFS1D1N04XMT1G

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S/8.84

S/5.68

S/3.85

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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NTMFS1D3N04XMT1G
onsemi
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6,718En existencias

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NTMFS1D3N04XMT1G

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863-NTMFS1D3N04XMT1G

onsemi

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S/7.51

S/5.45

S/3.73

S/3.05

Envase tipo carrete

S/2.85

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

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1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

38.5 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS2D3N04XMT1G
onsemi
1: S/6.15
5,932En existencias

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NTMFS2D3N04XMT1G

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863-NTMFS2D3N04XMT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/6.15

S/3.93

S/2.60

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.71

Ver

Min.: 1
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Carrete: 1,500

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DFN-5

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1 Channel

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111 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

22.1 nC

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+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D5N08XT1G
onsemi
1: S/10.24
6,614En existencias

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NTMFS2D5N08XT1G

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863-NTMFS2D5N08XT1G

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S/10.24

S/6.77

S/4.71

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.38

Ver

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: S/7.51
5,697En existencias
3,000Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/7.51

S/5.29

S/3.69

S/2.94

Envase tipo carrete

S/2.58

S/2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
1: S/12.38
280En existencias
10,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D5N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D5N04XMT1G

onsemi

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280En existencias

10,500En pedido

Cinta cortada

S/12.38

S/8.06

S/6.15

S/5.14

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

414 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

97.5 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D7N04XLT1G
onsemi
1: S/11.17
1,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D7N04XLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D7N04XLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE

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1,126En existencias

Cinta cortada

S/11.17

S/7.24

S/5.18

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

349 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
1: S/5.61
1,350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Hoja de datos

1,350En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.51

S/2.33

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.52

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D9N04XMT1G
onsemi
1: S/10.08
90En existencias
3,000Se espera el 24/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D9N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D9N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Hoja de datos

90En existencias

3,000Se espera el 24/04/2026

Cinta cortada

S/10.08

S/6.54

S/4.48

S/3.58

Envase tipo carrete

S/3.58

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

273 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

121 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
1: S/11.83
2,997Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D1N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D1N08XT1G

onsemi

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Hoja de datos

2,997Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/11.83

S/7.71

S/5.33

S/4.48

S/3.81

Envase tipo carrete

S/3.63

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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