Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D6N04XMT1G
onsemi
1: S/13.55
125En existencias
4,500Se espera el 9/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D6N04XMT1G

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863-NTMFS0D6N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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Cinta cortada

S/13.55

S/8.84

S/6.19

S/5.02

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86.4 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XLT1G
onsemi
1: S/18.65
2,542En existencias

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NTMFS0D5N04XLT1G

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863-NTMFS0D5N04XLT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/18.65

S/9.61

S/8.76

S/7.55

S/7.40

Envase tipo carrete

S/7.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

455 A

490 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

127 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D9N04XLT1G
onsemi
1: S/14.32
1,427En existencias

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NTMFS0D9N04XLT1G

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863-NTMFS0D9N04XLT1G

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S/14.32

S/9.34

S/6.54

S/5.33

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

278 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D9N04XMT1G
onsemi
1: S/11.60
3,090En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D9N04XMT1G

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863-NTMFS0D9N04XMT1G

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Cinta cortada

S/11.60

S/7.51

S/5.18

S/4.16

S/3.68

Envase tipo carrete

S/3.68

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

273 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

121 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS2D3N04XMT1G
onsemi
1: S/6.85
4,183En existencias

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NTMFS2D3N04XMT1G

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863-NTMFS2D3N04XMT1G

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S/6.85

S/3.25

S/2.90

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.92

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

111 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

22.1 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
1: S/14.95
113En existencias
16,500Se espera el 5/01/2028

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NTMFS0D5N04XMT1G

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863-NTMFS0D5N04XMT1G

onsemi

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S/14.95

S/8.72

S/6.81

S/5.61

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

414 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

97.5 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
1: S/13.82
271En existencias
40,500En pedido

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NTMFS2D1N08XT1G

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863-NTMFS2D1N08XT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/13.82

S/8.17

S/6.31

S/5.22

S/4.63

Envase tipo carrete

S/4.63

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D7N04XLT1G
onsemi
1: S/12.69
5En existencias

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NTMFS0D7N04XLT1G

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863-NTMFS0D7N04XLT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/12.69

S/8.25

S/5.68

S/4.75

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

349 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D1N04XMT1G
onsemi
1: S/9.89
17En existencias
3,000Se espera el 6/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D1N04XMT1G

onsemi

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3,000Se espera el 6/10/2026

Cinta cortada

S/9.89

S/6.34

S/4.32

S/3.57

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D3N04XMT1G
onsemi
1: S/8.91
62En existencias
6,000Se espera el 23/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D3N04XMT1G

onsemi

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62En existencias

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Cinta cortada

S/8.91

S/5.68

S/3.81

S/3.09

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.77

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

38.5 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
1: S/7.47
26En existencias
1,500Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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26En existencias

1,500Se espera el 16/10/2026

Cinta cortada

S/7.47

S/4.63

S/2.37

S/1.99

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.65

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D5N08XT1G
onsemi
1: S/12.49
15,903En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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15,903En pedido

Cinta cortada

S/12.49

S/6.93

S/5.53

S/4.55

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.01

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
onsemi
1: S/16.11
5,907En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D4N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D4N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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Hoja de datos

5,907En pedido

Cinta cortada

S/16.11

S/10.59

S/7.43

Envase tipo carrete

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

509 A

420 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: S/9.54
5,897En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

5,897En pedido

Cinta cortada

S/9.54

S/6.03

S/4.13

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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