Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

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Resultados: 14

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XLT1G
onsemi
1: S/17.98
1,042En existencias
1,500Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D5N04XLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D5N04XLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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Cinta cortada

S/17.98

S/11.87

S/8.41

S/7.20

S/6.73

Envase tipo carrete

S/6.73

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Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

455 A

490 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

127 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D9N04XLT1G
onsemi
1: S/13.82
1,427En existencias
1,500Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D9N04XLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D9N04XLT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/13.82

S/9.03

S/6.27

S/5.10

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

278 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D9N04XMT1G
onsemi
1: S/11.17
2,852En existencias

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NTMFS0D9N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D9N04XMT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/11.17

S/7.24

S/4.98

S/4.01

S/3.53

Envase tipo carrete

S/3.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

273 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

121 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS2D3N04XMT1G
onsemi
1: S/6.58
5,432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D3N04XMT1G

onsemi

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5,432En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.20

S/2.79

S/2.19

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

111 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

22.1 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
1: S/14.25
119En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D5N04XMT1G

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863-NTMFS0D5N04XMT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/14.25

S/9.26

S/6.50

S/5.41

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

414 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

97.5 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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NTMFS0D6N04XMT1G
onsemi
1: S/13.23
131En existencias
4,500Se espera el 18/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D6N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D6N04XMT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/13.23

S/8.60

S/5.92

S/4.71

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86.4 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D7N04XLT1G
onsemi
1: S/12.69
7En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D7N04XLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D7N04XLT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/12.69

S/8.25

S/5.68

S/4.75

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

349 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D1N04XMT1G
onsemi
1: S/9.46
17En existencias
3,000Se espera el 12/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D1N04XMT1G

onsemi

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3,000Se espera el 12/03/2027

Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.13

S/3.29

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D3N04XMT1G
onsemi
1: S/8.49
9En existencias
1,500Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D3N04XMT1G

onsemi

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1,500Se espera el 16/07/2026

Cinta cortada

S/8.49

S/5.41

S/3.63

S/2.94

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.64

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

38.5 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D5N08XT1G
onsemi
1: S/12.30
7En existencias
16,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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7En existencias

16,500En pedido

Cinta cortada

S/12.30

S/7.98

S/5.49

S/4.59

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.01

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
1: S/7.12
26En existencias
1,500Se espera el 24/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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26En existencias

1,500Se espera el 24/07/2026

Cinta cortada

S/7.12

S/4.40

S/2.49

S/1.97

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
1: S/13.39
44,829En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D1N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D1N08XT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/13.39

S/8.52

S/6.03

S/5.22

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
onsemi
1: S/15.96
5,907En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D4N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D4N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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Hoja de datos

5,907En pedido

Cinta cortada

S/15.96

S/10.43

S/7.59

Envase tipo carrete

S/7.59

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

509 A

420 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: S/10.00
5,897En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

5,897En pedido

Cinta cortada

S/10.00

S/6.34

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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