Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Perú

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 35.73 268En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPW65R060CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R060CFD7SA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	268En existencias	S/ 35.73 S/ 21.06 S/ 17.75 S/ 17.20 S/ 16.19	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	3.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 38.85 250En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP65R041CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	250En existencias	S/ 38.85 S/ 26.55 S/ 21.91 S/ 19.62 S/ 18.45	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	650 V	50 A	41 mOhms	20 V	4.5 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 42.55 284En existencias 720En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPW65R041CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	284En existencias 720En pedido	S/ 42.55 S/ 23.16 S/ 21.45 S/ 21.33	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	68.5 A	41 mOhms	20 V	4 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	500 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 31.57 41En existencias 500Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP65R060CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R060CFD7SA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	41En existencias 500Se espera el 10/12/2026	S/ 31.57 S/ 17.05 S/ 15.65 S/ 14.36	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	4.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 46.36 90En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW65R029CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R029CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	90En existencias	S/ 46.36 S/ 31.61 S/ 30.79	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 58.62 151En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPZA65R029CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZA65R029CFD7XK	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	151En existencias	S/ 58.62 S/ 33.01 S/ 32.42	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube