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S29GL128S10TFIV20

Name: Infineon S29GL128S10TFIV20
Brand: Infineon Technologies
SKU: 797-29GL128S10TFIV20
Price: 22.58 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

797-29GL128S10TFIV20

Fabricante N.º:

S29GL128S10TFIV20

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Memoria flash tipo NOR 128Mb 3V 100ns Parallel Memoria flash tipo NOR

Hoja de datos:

S29GL128S10TFIV20 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/22.58	S/22.58
	S/21.02	S/210.20
	S/20.40	S/510.00
	S/19.70	S/985.00
	S/19.19	S/1,919.00
	S/18.80	S/4,700.00
	S/18.33	S/9,165.00
	S/18.02	S/16,398.20
2,730	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Memoria flash tipo NOR
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOP-56
Serie:	S29GL128S
Tamaño de memoria:	128 Mbit
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de lectura activa - máx.:	60 mA
Tipo de interfaz:	Parallel
Organización:	8 M x 16
Ancho de bus de datos:	16 bit
Tipo de tiempo:	Asynchronous
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	NOR Flash
Velocidad:	100 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	910
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	MirrorBit

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Hoja de datos

S29GL128S10TFIV20 Hoja de datos (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542326100
MXHTS:: 8471600499
ECCN:: 3A991.b.1.a

S29GL128P NOR Flash Memory

Infineon Technologies S29GL128P NOR Flash Memory devices are single 3V read and write MIRRORBIT™ flash products fabricated on 90nm process technology. These devices offer a fast page access time of 25ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. Features of the Infineon S29GL128P include a Write Buffer that allows a maximum of 32words/64B to be programmed in one operation. These devices are ideal for embedded applications that require high density, better performance, and low power consumption.