Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

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Resultados: 19

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/79.41
177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH68N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

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177En existencias

Cinta cortada

S/79.41

S/56.71

S/41.38

Envase tipo carrete

S/41.38

S/41.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 200

N-Channel

650 V

64 A

35 mOhms

AQG 324

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STHU32N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/19.58
1,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STHU32N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU32N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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1,200En existencias

Cinta cortada

S/19.58

S/13.78

S/11.91

Envase tipo carrete

S/11.29

S/10.86

S/10.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

37 A

97 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

52.6 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP45N60DM6
STMicroelectronics
1: S/18.29
908En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

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908En existencias

S/18.29

S/15.76

S/14.79

S/14.32

S/11.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW75N65DM6-4
STMicroelectronics
1: S/59.91
530En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW75N65DM6-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW75N65DM6-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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Hoja de datos

530En existencias

S/59.91

S/44.88

S/35.89

S/33.63

S/30.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

118 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N60DM6
STMicroelectronics
1: S/11.48
2,359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

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2,359En existencias

Cinta cortada

S/11.48

S/7.43

S/5.10

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.40

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

390 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/29.51
811En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB30N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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811En existencias

Cinta cortada

S/29.51

S/19.73

S/14.64

S/14.05

Envase tipo carrete

S/11.05

S/10.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

115 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW45N60DM6
STMicroelectronics
1: S/34.37
357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag

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Hoja de datos

357En existencias

S/34.37

S/19.38

S/14.79

S/14.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

STL52N60DM6
STMicroelectronics
1: S/27.64
1,501En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL52N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STL52N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

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Hoja de datos

1,501En existencias

Cinta cortada

S/27.64

S/18.49

S/15.76

S/13.23

Envase tipo carrete

S/12.57

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

600 V

45 A

84 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA75N65DM6
STMicroelectronics
1: S/59.09
393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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Hoja de datos

393En existencias

S/59.09

S/44.18

S/34.95

S/32.35

S/29.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

118 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

SH32N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/70.69
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH32N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-SH32N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

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Hoja de datos

45En existencias

Cinta cortada

S/70.69

S/52.16

S/31.65

Envase tipo carrete

S/31.65

S/31.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 200

N-Channel

650 V

32 A

89 mOhms

AQG 324

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB41N40DM6AG
STMicroelectronics
1: S/30.24
2,379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB41N40DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB41N40DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

2,379En existencias

Cinta cortada

S/30.24

S/20.47

S/14.95

S/14.36

Envase tipo carrete

S/13.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

41 A

65 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STD15N60DM6
STMicroelectronics
1: S/11.68
551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD15N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STD15N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

551En existencias

Cinta cortada

S/11.68

S/7.55

S/5.22

S/4.20

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

338 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

15.3 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STHU47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: S/26.04
49En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STHU47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

49En existencias

Cinta cortada

S/26.04

S/18.33

S/13.31

Envase tipo carrete

S/12.73

S/12.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 Ohms

- 25 V, 25 V

4.75 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STW68N65DM6-4AG
STMicroelectronics
1: S/53.99
7En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW68N65DM6-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW68N65DM6-4AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

7En existencias

S/53.99

S/33.40

S/28.65

S/28.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

72 A

39 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

118 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB47N50DM6AG
STMicroelectronics
1: S/27.95
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STB47N50DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB47N50DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

2,000En pedido

Cinta cortada

S/27.95

S/18.84

S/13.66

S/12.96

Envase tipo carrete

S/10.74

S/10.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

38 A

71 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: S/31.26
1,000Se espera el 29/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
STB47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

1,000Se espera el 29/01/2027

Cinta cortada

S/31.26

S/21.21

S/15.49

S/15.03

Envase tipo carrete

S/13.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STI47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: S/29.47
11En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STI47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

11En existencias

S/29.47

S/19.93

S/14.52

S/13.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

I2PAK-3

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STHU36N60DM6AG
STMicroelectronics
600: S/11.60
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STHU36N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU36N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.60

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STH30N65DM6-7AG
STMicroelectronics
1,000: S/13.12
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STH30N65DM6-7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH30N65DM6-7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/13.12

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

115 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

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