Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

RS7 Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RS7 Power MOSFETs are designed for high-efficiency performance in motor drives, switching applications, and DC/DC converters. Featuring low on-resistance, a robust high-power DFN5060T8LSHAAE package, and Pb-free plating, these ROHM Semiconductor RS7 MOSFETs comply with RoHS and are Halogen-free. Each unit undergoes 100% Rg and UIS testing to ensure superior reliability and performance.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 8

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 200A N-CH

RS7P200BMTB1
ROHM Semiconductor
1: S/19.54
1,743En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7P200BMTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7P200BMTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 200A N-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,743En existencias

Cinta cortada

S/19.54

S/13.00

S/9.26

S/8.80

S/8.33

Envase tipo carrete

S/7.16

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

200 A

4 mOhms

20 V

4 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 150V 125A N-CH

RS7R125CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/20.32
1,748En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7R125CHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7R125CHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 150V 125A N-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,748En existencias

Cinta cortada

S/20.32

S/13.51

S/9.65

S/9.26

Envase tipo carrete

S/7.55

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

150 V

150 A

8.3 mOhms

20 V

4 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 30V 390A

RS7E200BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/19.81
2,365En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7E200BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7E200BGTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 30V 390A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,365En existencias

Cinta cortada

S/19.81

S/13.16

S/9.38

S/8.95

Envase tipo carrete

S/7.28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8S

N-Channel

1 Channel

30 V

390 A

670 uOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

135 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 160A

RS7N160BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/18.10
2,487En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7N160BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7N160BHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 160A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,487En existencias

Cinta cortada

S/18.10

S/11.95

S/9.38

S/8.33

Envase tipo carrete

S/6.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8S

N-Channel

1 Channel

80 V

160 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 230A

RS7N200BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/20.16
1,929En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7N200BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7N200BHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 230A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,929En existencias

Cinta cortada

S/20.16

S/13.43

S/10.86

S/9.65

S/9.34

Envase tipo carrete

S/7.94

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8S

N-Channel

1 Channel

80 V

230 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 410A

RS7G200CGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/18.88
2,500Se espera el 26/03/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7G200CGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7G200CGTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 410A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,500Se espera el 26/03/2026

Cinta cortada

S/18.88

S/12.53

S/8.91

S/8.37

Envase tipo carrete

S/6.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

410 A

640 uOhms

20 V

2.5 V

145 nC

- 55 C

+ 175 C

216 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 445A

RS7G200CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/18.88
2,500Se espera el 26/03/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7G200CHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7G200CHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 445A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,500Se espera el 26/03/2026

Cinta cortada

S/18.88

S/12.53

S/8.91

S/8.37

S/7.98

Envase tipo carrete

S/6.81

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

445 A

650 uOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

216 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 150A N-CH

RS7P150BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/19.46
2,500Se espera el 9/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7P150BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7P150BHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 150A N-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

2,500Se espera el 9/04/2026

Cinta cortada

S/19.46

S/12.96

S/9.23

S/8.76

S/8.29

Envase tipo carrete

S/7.12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

RS7 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte