Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

RS7 Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RS7 Power MOSFETs are designed for high-efficiency performance in motor drives, switching applications, and DC/DC converters. Featuring low on-resistance, a robust high-power DFN5060T8LSHAAE package, and Pb-free plating, these ROHM Semiconductor RS7 MOSFETs comply with RoHS and are Halogen-free. Each unit undergoes 100% Rg and UIS testing to ensure superior reliability and performance.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 8

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 200A N-CH

RS7P200BMTB1
ROHM Semiconductor
1: S/19.54
1,992En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7P200BMTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7P200BMTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 200A N-CH

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Hoja de datos

1,992En existencias

Cinta cortada

S/19.54

S/13.00

S/9.26

S/8.80

S/8.56

Envase tipo carrete

S/8.21

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

200 A

4 mOhms

20 V

4 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 150V 125A N-CH

RS7R125CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/20.32
1,997En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7R125CHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7R125CHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 150V 125A N-CH

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Hoja de datos

1,997En existencias

Cinta cortada

S/20.32

S/13.51

S/9.65

S/9.26

S/8.99

Envase tipo carrete

S/8.64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

150 V

150 A

8.3 mOhms

20 V

4 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 30V 390A

RS7E200BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/19.77
2,355En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7E200BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7E200BGTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 30V 390A

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Hoja de datos

2,355En existencias

Cinta cortada

S/19.77

S/13.16

S/9.38

S/8.95

S/8.49

Envase tipo carrete

S/8.33

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8S

N-Channel

1 Channel

30 V

390 A

670 uOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

135 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 160A

RS7N160BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/18.02
2,487En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7N160BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7N160BHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 160A

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Hoja de datos

2,487En existencias

Cinta cortada

S/18.02

S/11.95

S/8.49

S/7.90

S/7.47

Envase tipo carrete

S/7.36

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8S

N-Channel

1 Channel

80 V

160 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 230A

RS7N200BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/20.12
1,929En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7N200BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7N200BHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 230A

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1,929En existencias

Cinta cortada

S/20.12

S/13.39

S/9.58

S/9.15

S/8.64

Envase tipo carrete

S/8.52

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8S

N-Channel

1 Channel

80 V

230 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 410A

RS7G200CGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/18.88
2,500Se espera el 10/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7G200CGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7G200CGTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 410A

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Hoja de datos

2,500Se espera el 10/04/2026

Cinta cortada

S/18.88

S/12.53

S/8.91

S/8.37

S/8.14

Envase tipo carrete

S/7.82

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

410 A

640 uOhms

20 V

2.5 V

145 nC

- 55 C

+ 175 C

216 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 445A

RS7G200CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/18.88
2,450Se espera el 10/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7G200CHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7G200CHTB1

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 445A

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2,450Se espera el 10/04/2026

Cinta cortada

S/18.88

S/12.53

S/8.91

S/8.37

Envase tipo carrete

S/7.82

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

445 A

650 uOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

216 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 150A N-CH

RS7P150BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/19.46
2,500Se espera el 23/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS7P150BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS7P150BHTB1

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 150A N-CH

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2,500Se espera el 23/04/2026

Cinta cortada

S/19.46

S/12.96

S/9.23

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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