Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 150V 125A N-CH
RS7R125CHTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/21.72
2,109 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RS7R125CHTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 150V 125A N-CH
2,109 En existencias
1
S/21.72
10
S/14.48
100
S/10.35
500
S/9.26
1,000
S/8.91
2,500
S/8.68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Si
SMD/SMT
DFN5060-8
N-Channel
1 Channel
150 V
150 A
8.3 mOhms
20 V
4 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
217 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 30V 390A
RS7E200BGTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/21.18
2,330 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RS7E200BGTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 30V 390A
2,330 En existencias
1
S/21.18
10
S/14.09
100
S/10.04
500
S/8.95
2,500
S/8.37
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN5060-8S
N-Channel
1 Channel
30 V
390 A
670 uOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
135 nC
- 55 C
+ 150 C
180 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 160A
RS7N160BHTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/19.31
2,477 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RS7N160BHTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 160A
2,477 En existencias
1
S/19.31
10
S/12.77
100
S/9.07
500
S/7.90
2,500
S/7.40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN5060-8S
N-Channel
1 Channel
80 V
160 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
73 nC
- 55 C
+ 150 C
160 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 230A
RS7N200BHTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/21.53
1,644 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RS7N200BHTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 230A
1,644 En existencias
1
S/21.53
10
S/14.32
100
S/10.24
500
S/9.15
1,000
S/8.80
2,500
S/8.56
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN5060-8S
N-Channel
1 Channel
80 V
230 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
92 nC
- 55 C
+ 150 C
180 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 200A N-CH
RS7P200BMTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/23.12
58 En existencias
5,000 Se espera el 26/01/2027
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RS7P200BMTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 200A N-CH
58 En existencias
5,000 Se espera el 26/01/2027
1
S/23.12
10
S/15.14
100
S/11.33
500
S/8.80
2,500
S/8.21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Si
SMD/SMT
DFN5060-8
N-Channel
1 Channel
100 V
200 A
4 mOhms
20 V
4 V
72 nC
- 55 C
+ 175 C
217 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 410A
RS7G200CGTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/20.16
2,500 Se espera el 28/08/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RS7G200CGTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 410A
2,500 Se espera el 28/08/2026
1
S/20.16
10
S/13.39
100
S/9.54
500
S/8.37
2,500
S/7.86
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN5060-8
N-Channel
1 Channel
40 V
410 A
640 uOhms
20 V
2.5 V
145 nC
- 55 C
+ 175 C
216 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 445A
RS7G200CHTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/20.16
2,430 Se espera el 28/08/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RS7G200CHTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 445A
2,430 Se espera el 28/08/2026
1
S/20.16
10
S/13.39
100
S/9.54
500
S/8.37
2,500
S/7.86
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN5060-8
N-Channel
1 Channel
40 V
445 A
650 uOhms
20 V
4 V
107 nC
- 55 C
+ 175 C
216 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 150A N-CH
RS7P150BHTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/20.82
2,500 Se espera el 3/09/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RS7P150BHTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 150A N-CH
2,500 Se espera el 3/09/2026
1
S/20.82
10
S/13.86
100
S/9.89
500
S/8.76
1,000
S/8.60
2,500
S/8.25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN5060-8
N-Channel
1 Channel
100 V
150 A
3.8 mOhms
20 V
4 V
74 nC
- 55 C
+ 150 C
180 W
Enhancement
Reel, Cut Tape