Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
STD80N4F6
STMicroelectronics
1:
S/8.84
2,946 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N4F6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
2,946 En existencias
1
S/8.84
10
S/5.68
100
S/3.85
500
S/3.07
2,500
S/2.52
5,000
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1,000
S/2.92
5,000
S/2.43
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
36 nC
- 55 C
+ 175 C
70 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep
STD120N4LF6
STMicroelectronics
1:
S/11.37
3,110 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD120N4LF6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep
3,110 En existencias
1
S/11.37
10
S/7.36
100
S/5.06
500
S/4.09
1,000
S/3.84
2,500
S/3.58
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
3.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
STB120N4F6
STMicroelectronics
1:
S/10.08
295 En existencias
1,000 Se espera el 11/06/2026
N.º de artículo de Mouser 511-STB120N4F6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
295 En existencias
1,000 Se espera el 11/06/2026
1
S/10.08
10
S/6.50
100
S/4.48
500
S/3.58
1,000
S/3.33
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI
STD96N3LLH6
STMicroelectronics
1:
S/6.54
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STD96N3LLH6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
1
S/6.54
10
S/4.16
100
S/2.76
500
S/2.16
2,500
S/1.77
5,000
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S/1.97
5,000
S/1.67
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
30 V
80 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
20 nC
- 55 C
+ 175 C
70 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Perú