Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SP8M Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SP8M Power MOSFETs are low on-resistance devices housed in a small surface-mount package (SOP8). The SP8M features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free, have Sn100% plating, and are AEC-Q101 qualified.

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Resultados: 7

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M4HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/7.40
2,628En existencias

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SP8M4HZGTB

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755-SP8M4HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

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Cinta cortada

S/7.40

S/5.53

Envase tipo carrete

S/5.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

7 A, 9 A

18 mOhms, 28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M6HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/7.55
2,612En existencias

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SP8M6HZGTB

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Cinta cortada

S/7.55

S/4.32

S/3.23

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

3.5 A, 5 A

51 mOhms, 90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M31HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/12.11
2,085En existencias

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SP8M31HZGTB

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755-SP8M31HZGTB

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Cinta cortada

S/12.11

S/7.82

S/5.57

S/4.52

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V

4.5 A

65 mOhms, 70 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V, 3 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M21HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/13.82
4,682En existencias

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SP8M21HZGTB

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755-SP8M21HZGTB

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Cinta cortada

S/13.82

S/9.03

S/6.31

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

45 V

4 A, 6 A

25 mOhms, 46 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

21.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M3HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/8.76
2,332En existencias

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SP8M3HZGTB

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Cinta cortada

S/8.76

S/5.61

S/3.80

S/3.02

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

4.5 A, 5 A

51 mOhms, 56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M41HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/9.15
1,281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SP8M41HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M41HZGTB

ROHM Semiconductor

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1,281En existencias

Cinta cortada

S/9.15

S/5.88

S/4.01

S/3.20

S/3.03

Envase tipo carrete

S/2.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

80 V

2.6 A, 3.4 A

130 mOhms, 240 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

9.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M51HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/9.93
470En existencias
2,500Se espera el 23/07/2026

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SP8M51HZGTB

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755-SP8M51HZGTB

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470En existencias

2,500Se espera el 23/07/2026

Cinta cortada

S/9.93

S/6.38

S/4.44

S/3.48

S/3.21

Envase tipo carrete

S/2.98

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V

2.5 A, 3 A

170 mOhms, 290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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