Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SP8M Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SP8M Power MOSFETs are low on-resistance devices housed in a small surface-mount package (SOP8). The SP8M features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free, have Sn100% plating, and are AEC-Q101 qualified.

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Resultados: 7

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M6HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/7.43
2,612En existencias

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SP8M6HZGTB

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755-SP8M6HZGTB

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

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Cinta cortada

S/7.43

S/4.48

S/3.27

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

5 A, 3.5 A

51 mOhms, 90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M31HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/11.60
2,085En existencias

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SP8M31HZGTB

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755-SP8M31HZGTB

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Cinta cortada

S/11.60

S/7.55

S/5.22

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V

4.5 A

65 mOhms, 70 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V, 3 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M21HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/13.55
4,682En existencias

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755-SP8M21HZGTB

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Cinta cortada

S/13.55

S/8.10

S/6.11

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

45 V

6 A, 4 A

25 mOhms, 46 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

21.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M4HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/12.30
2,789En existencias

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SP8M4HZGTB

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755-SP8M4HZGTB

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Cinta cortada

S/12.30

S/8.02

S/5.57

S/4.71

Envase tipo carrete

S/3.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

9 A, 7 A

18 mOhms, 28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M41HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/9.07
1,631En existencias

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755-SP8M41HZGTB

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Cinta cortada

S/9.07

S/5.88

S/4.01

S/3.20

Envase tipo carrete

S/2.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

80 V

3.4 A, 2.6 A

130 mOhms, 240 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

9.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M51HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/9.19
1,480En existencias

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SP8M51HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M51HZGTB

ROHM Semiconductor

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1,480En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.96

S/4.09

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V

3 A, 2.5 A

170 mOhms, 290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M3HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/8.17
2,332Se espera el 21/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SP8M3HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M3HZGTB

ROHM Semiconductor

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2,332Se espera el 21/04/2026

Cinta cortada

S/8.17

S/5.25

S/3.55

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.34

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

5 A, 4.5 A

51 mOhms, 56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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