SP8M Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SP8M Power MOSFETs are low on-resistance devices housed in a small surface-mount package (SOP8). The SP8M features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free, have Sn100% plating, and are AEC-Q101 qualified.

Resultados: 7
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
Hoja de datos
1,320En existencias
Cinta cortada
S/8.76
S/4.24
S/3.67
S/3.02
S/2.82
Envase tipo carrete
S/2.54
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4.5 A, 5 A 51 mOhms, 56 mOhms 20 V 2.5 V, 2.5 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
Hoja de datos
2,623En existencias
Cinta cortada
S/12.22
S/6.58
S/5.68
S/4.83
S/4.71
Envase tipo carrete
S/4.44
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 7 A, 9 A 18 mOhms, 28 mOhms 20 V 2.5 V, 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
Hoja de datos
2,005En existencias
Cinta cortada
S/12.42
S/6.19
S/5.57
S/4.52
S/4.36
Envase tipo carrete
S/4.09
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 4.5 A 65 mOhms, 70 mOhms 20 V 3 V, 3 V 7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
Hoja de datos
4,372En existencias
Cinta cortada
S/14.79
S/7.47
S/6.77
S/5.53
Envase tipo carrete
S/5.18
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 45 V 4 A, 6 A 25 mOhms, 46 mOhms 20 V 2.5 V, 2.5 V 21.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
Hoja de datos
603En existencias
2,500Se espera el 26/01/2027
Cinta cortada
S/9.77
S/6.31
S/4.28
S/3.42
S/3.15
Envase tipo carrete
S/2.93
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 80 V 2.6 A, 3.4 A 130 mOhms, 240 mOhms 20 V 2.5 V, 2.5 V 9.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
Hoja de datos
965En existencias
5,000Se espera el 3/02/2027
Cinta cortada
S/9.93
S/4.87
S/4.36
S/3.48
S/3.39
Envase tipo carrete
S/3.02
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 100 V 2.5 A, 3 A 170 mOhms, 290 mOhms 20 V 2.5 V, 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
Hoja de datos
691En existencias
Cinta cortada
S/8.33
S/4.05
S/3.63
S/2.94
S/2.74
Envase tipo carrete
S/2.37
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 3.5 A, 5 A 51 mOhms, 90 mOhms 20 V 2.5 V, 2.5 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel