Semiconductores – Mouser Perú

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

IXFH13N100
IXYS
30: S/52.59
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/52.59

S/45.46

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

IXFH13N80
IXYS
300: S/31.61
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

Hoja de datos

No en existencias

S/31.61

S/29.93

S/25.42

Min.: 300
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

IXFH13N80Q
IXYS
30: S/36.59
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/36.59

S/31.61

S/29.93

S/25.42

Min.: 30
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

IXFH13N90
IXYS
30: S/42.19
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/42.19

S/36.47

S/34.53

S/29.31

Min.: 30
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

IXFH15N60
IXYS
30: S/24.95
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

Hoja de datos

No en existencias

S/24.95

S/24.91

S/24.52

Min.: 30
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

IXFH15N80
IXYS
30: S/38.65
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas

S/38.65

S/32.19

S/25.07

Min.: 30
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

IXFH15N80Q
IXYS
30: S/57.41
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N80Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N80Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

Hoja de datos

No en existencias

S/57.41

S/54.42

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

IXFH20N60
IXYS
300: S/53.44
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

Hoja de datos

No en existencias

S/53.44

Presupuesto

Min.: 300
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

IXFH21N50
IXYS
90: S/27.68
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH21N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH21N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

Hoja de datos

No en existencias

S/27.68

S/23.04

S/20.51

S/18.29

Min.: 90
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

IXFH40N30
IXYS
300: S/72.98
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH40N30

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH40N30

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

S/72.98

Min.: 300
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

IXFH42N20
IXYS
300: S/33.20
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH42N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH42N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

Hoja de datos

No en existencias

S/33.20

S/31.41

S/26.66

Min.: 300
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

IXFH58N20
IXYS
300: S/40.87
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH58N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH58N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

S/40.87

Min.: 300
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 67 Amps 100V

IXFH67N10
IXYS
30: S/38.50
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH67N10

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH67N10

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 67 Amps 100V

Hoja de datos

No en existencias

S/38.50

S/32.07

S/28.57

S/24.25

Min.: 30
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1000V 2 Rds

IXFH6N100Q
IXYS
30: S/29.93
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH6N100Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH6N100Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1000V 2 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/29.93

S/24.91

S/22.19

S/19.77

Min.: 30
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 76A

IXFH76N07-11
IXYS
300: S/51.03
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH76N07-11

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH76N07-11

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 76A

Hoja de datos

No en existencias

S/51.03

Min.: 300
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 76A

IXFH76N07-12
IXYS
90: S/29.78
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH76N07-12

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH76N07-12

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 76A

Hoja de datos

No en existencias

S/29.78

S/24.76

S/22.07

S/19.66

Min.: 90
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V

IXFH7N80
IXYS
30: S/29.15
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH7N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH7N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V

Hoja de datos

No en existencias

S/29.15

S/24.25

S/21.60

S/19.27

Min.: 30
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 110A

IXFK110N07
IXYS
300: S/52.82
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK110N07

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK110N07

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 110A

Hoja de datos

No en existencias

S/52.82

Presupuesto

Min.: 300
Mult.: 25

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V

IXFK170N10
IXYS
25: S/60.29
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK170N10

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK170N10

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V

Hoja de datos

No en existencias

S/60.29

S/60.26

Min.: 25
Mult.: 25

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 24A

IXFK24N100
IXYS
300: S/90.07
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK24N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK24N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 24A

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Hoja de datos

No en existencias

S/90.07

Min.: 300
Mult.: 25

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 900V 0.3 Rds

IXFK26N90
IXYS
300: S/51.07
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK26N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK26N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 900V 0.3 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/51.07

S/51.03

Min.: 300
Mult.: 300

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 27A

IXFK27N80
IXYS
25: S/67.65
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK27N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK27N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 27A

Hoja de datos

No en existencias

S/67.65

S/59.75

S/59.71

Min.: 25
Mult.: 25

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 34A

IXFK34N80
IXYS
300: S/90.34
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK34N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK34N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 34A

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/90.34

S/90.31

Min.: 300
Mult.: 25

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A

IXFK36N60
IXYS
50: S/67.46
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK36N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK36N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A

Hoja de datos

No en existencias

S/67.46

S/58.31

S/58.27

Min.: 50
Mult.: 25

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 500V 0.12 Rds

IXFK44N50Q
IXYS
25: S/62.12
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK44N50Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK44N50Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 500V 0.12 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/62.12

S/53.72

Presupuesto

Min.: 25
Mult.: 25

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