Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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30V & 40V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 30V and 40V Automotive P-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified MOSFETs with an ON resistance of 1Ω and a high junction temperature of 175°C. These P-channel MOSFETs are an ideal choice for automotive design engineers looking to simplify circuitry and enhance performance. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are lead-free and EU RoHS 2.0 compliant. These P-channel MOSFETs are available in various packages, including DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, TO-263AB, and TO-263-7L. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are 100% Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. Typical applications include reverse polarity protection, battery-powered equipment, brushed DC motors, electronic steering, oil/water pumps, and primary 12V systems.

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Resultados: 59

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Panjit
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4,415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4435EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4435EP-AUR22A

Panjit

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Cinta cortada

S/5.45

S/3.34

S/2.20

S/1.73

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Envase tipo carrete

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SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

45 A

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- 25 V, 25 V

2.5 V

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- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4439EP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/3.08
4,882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4439EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4439EP-AUR22A

Panjit

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4,882En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/1.90

S/1.23

S/0.934

S/0.891

Envase tipo carrete

S/0.891

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DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

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- 25 V, 25 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3441_R1_00001
Panjit
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182,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3441_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3441_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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182,075En existencias

Cinta cortada

S/1.44

S/0.642

S/0.561

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.308

S/0.261

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

40 V

3.1 A

88 mOhms

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2.5 V

6 nC

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+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4437EP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/3.50
4,707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4437EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4437EP-AUR22A

Panjit

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Cinta cortada

S/3.50

S/1.59

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/1.07

S/1.01

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SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

41 A

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- 25 V, 25 V

2.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3414_R1_00001
Panjit
1: S/2.22
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N.º de artículo del Fabricante
PJA3414_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3414_R1_00001

Panjit

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Cinta cortada

S/2.22

S/1.53

S/0.969

S/0.611

Envase tipo carrete

S/0.327

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

5.2 A

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1.2 V

4.1 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4407P_R2_00001
Panjit
1: S/4.44
3,960En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4407P_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4407PR200001

NRND

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Cinta cortada

S/4.44

S/3.16

S/1.97

S/1.35

Envase tipo carrete

S/0.872

Ver

MouseReel Disponible

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30 V

30 A

20 mOhms

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD40P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/3.78
2,932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD40P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD40P03EAUL26A1

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S/3.78

S/2.34

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Envase tipo carrete

S/2.09

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30 V

33 A

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2.5 V

22 nC

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD60P04E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/5.02
2,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD60P04E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD60P04EAUL26A1

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Cinta cortada

S/5.02

S/2.50

Envase tipo carrete

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+ 175 C

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD70P03E-AU_L2_006A1
Panjit
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2,532En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD70P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD70P03EAUL26A1

Panjit

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Cinta cortada

S/5.02

S/3.16

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S/2.34

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2.5 V

54 nC

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+ 175 C

79 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD75P04E-AU_L2_006A1
Panjit
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2,927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD75P04E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD75P04EAUL26A1

Panjit

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S/5.61

S/3.54

S/3.50

Envase tipo carrete

S/3.50

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TO-252AA-3

P-Channel

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40 V

67 A

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5839E-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/5.14
2,825En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5839E-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5839EAUR202A1

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Cinta cortada

S/5.14

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.71

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30 V

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- 25 V, 25 V

2.5 V

22 nC

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+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD45P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/11.44
2,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD45P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD45P03EAUL26A1

Panjit

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Cinta cortada

S/11.44

S/5.68

S/5.10

S/4.13

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.67

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: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

42 A

15 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD55P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/11.76
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD55P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD55P03EAUL26A1

Panjit

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Cinta cortada

S/11.76

S/5.84

S/5.25

S/4.24

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.81

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

48 A

12.1 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD90P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/5.64
2,927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD90P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD90P03EAUL26A1

Panjit

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Cinta cortada

S/5.64

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

88 A

6.4 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD95P04E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/7.16
2,996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD95P04E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD95P04E-AUL26A

Panjit

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Hoja de datos

2,996En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.06

Envase tipo carrete

S/3.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4431EP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/5.14
3,965En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4431EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4431EP-AUR22A

Panjit

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3,965En existencias

Cinta cortada

S/5.14

S/3.24

S/2.13

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

78 A

7 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4451EP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/5.14
4,956En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4451EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4451EP-AUR22A

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

4,956En existencias

Cinta cortada

S/5.14

S/3.24

S/2.13

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

9.8 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5449E-AU_R2_006A1
Panjit
1: S/7.28
2,292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5449E-AU_R2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5449E-AUR26A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

2,292En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.10

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

6 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5451E-AU_R2_006A1
Panjit
1: S/5.72
3,137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5451E-AU_R2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5451E-AUR26A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

3,137En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/2.70

S/2.40

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

P-Channel

1 Channel

40 V

67 A

9.4 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4433EP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/4.55
2,552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4433EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4433EP-AUR22A

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

2,552En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.10

S/1.86

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

68 A

8.8 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5431E-AU_R2_006A1
Panjit
1: S/5.72
1,442En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5431E-AU_R2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5431E-AUR26A1

Panjit

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Hoja de datos

1,442En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/2.70

S/2.40

S/2.25

Envase tipo carrete

S/2.09

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

P-Channel

1 Channel

30 V

86 A

6.4 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5433E-AU_R2_006A1
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S/2.41

S/2.13

S/1.75

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S/1.75

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: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

P-Channel

1 Channel

30 V

75 A

8.4 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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S/1.70

S/1.31

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

P-Channel

1 Channel

30 V

42 A

15 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

21 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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S/1.79

S/1.58

S/1.22

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S/1.21

S/1.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

P-Channel

1 Channel

30 V

33 A

18.8 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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PJQ5439E_R2_00201
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S/2.27

S/2.01

S/1.56

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S/1.23

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060X-8

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

18.8 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

30V & 40V Automotive P-Channel MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

300 mA
500 mA
1.1 A
1.2 A
2.2 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.5 A
5 A
5.2 A
5.3 A
8.4 A
9 A
10 A
15 A
30 A
31 A

4.5 mOhms
6 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
8.4 mOhms
8.5 mOhms
8.8 mOhms
9.4 mOhms
9.8 mOhms
11.3 mOhms
11.6 mOhms
12.1 mOhms
12.5 mOhms
13.5 mOhms
14.3 mOhms
15 mOhms
15.4 mOhms
15.5 mOhms
17.2 mOhms
18.8 mOhms

900 pC
1.4 nC
1.6 nC
4.1 nC
4.8 nC
5.4 nC
6 nC
6.9 nC
7.3 nC
9.1 nC
9.8 nC
10 nC
11 nC
12 nC
14 nC
15 nC
19 nC
22 nC
27 nC
32 nC

350 mW
500 mW
1.25 W
1.7 W
2 W
2.1 W
2.5 W
3 W
3.3 W
21 W
28 W
30 W
33 W
35 W
41 W
43 W
63 W
65 W
68 W
75 W