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SIS178LDN-T1-GE3

Name: Vishay SIS178LDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIS178LDN-T1-GE3
Price: 5.1 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIS178LDN-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIS178LDN-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 70V 13.9A

Hoja de datos:

SIS178LDN-T1-GE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/5.10	S/5.10
	S/3.19	S/31.90
	S/2.11	S/211.00
	S/1.66	S/830.00
	S/1.50	S/1,500.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/1.37	S/4,110.00
	S/1.25	S/7,500.00
	S/1.19	S/10,710.00
	S/1.14	S/27,360.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-1212-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	70 V
Id - Corriente de drenaje continua:	45.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	18.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	39 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	40 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	SIS
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	1 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiS178LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFETs

Vishay / Siliconix SiS178LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFETs is offered in a PowerPAK® 1212-8 single package and implements TrenchFET® Gen IV technology. The SiS178LDN MOSFETs provide a very low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiS178LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFETs are designed for synchronous rectification, primary-side switch, DC/DC converter, motor drive control, and load switch applications.