Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 8

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N065DM9
STMicroelectronics
1: S/22.42
218En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

Obtenga más información

Hoja de datos

218En existencias

Cinta cortada

S/22.42

S/17.94

Envase tipo carrete

S/17.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N050DM9
STMicroelectronics
1: S/24.56
196En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N050DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N050DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

Obtenga más información

Hoja de datos

196En existencias

Cinta cortada

S/24.56

S/17.40

Envase tipo carrete

S/17.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

35 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STP60N043DM9
STMicroelectronics
1: S/44.88
926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP60N043DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STP60N043DM9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

926En existencias

S/44.88

S/25.07

S/23.16

S/22.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

56 A

43 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78.6 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

ST8L60N065DM9
STMicroelectronics
1: S/27.44
250En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L60N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L60N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

250En existencias

Cinta cortada

S/27.44

S/18.49

S/13.39

S/12.65

S/12.34

Envase tipo carrete

S/11.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

600 V

39 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

ST8L65N044M9
STMicroelectronics
1: S/32.15
217En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N044M9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N044M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

217En existencias

Cinta cortada

S/32.15

S/21.84

S/16.00

S/15.61

S/15.30

Envase tipo carrete

S/14.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

44 mOhms

30 V

4.2 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STH60N099DM9-2AG
STMicroelectronics
1: S/24.33
640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH60N099DM9-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH60N099DM9-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

640En existencias

Cinta cortada

S/24.33

S/16.31

S/11.72

S/10.78

Envase tipo carrete

S/9.11

S/8.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STWA60N043DM9
STMicroelectronics
1: S/43.71
78En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N043DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N043DM9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

78En existencias

S/43.71

S/31.45

S/27.87

S/27.17

S/26.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

56 A

43 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78.6 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package

STO60N045DM9
STMicroelectronics
1: S/39.31
1,800Se espera el 23/11/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STO60N045DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STO60N045DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,800Se espera el 23/11/2026

Cinta cortada

S/39.31

S/26.90

S/21.45

S/20.44

S/18.92

Envase tipo carrete

S/18.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte