Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 18

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab

FDD13AN06A0-F085
onsemi
1: S/5.80
14,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD13AN06A0-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD13AN06A0-F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab

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Hoja de datos

14,997En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/4.71

S/3.58

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK
N-Channel PowerTrench

FDB86563-F085
onsemi
1: S/18.61
3,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDB86563-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDB86563_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK<BR> N-Channel PowerTrench

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Hoja de datos

3,048En existencias

Cinta cortada

S/18.61

S/12.34

S/8.76

S/8.72

Envase tipo carrete

S/6.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-2

N-Channel

1 Channel

60 V

110 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86363-F085
onsemi
1: S/18.72
3,971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86363-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86363_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

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Hoja de datos

3,971En existencias

Cinta cortada

S/18.72

S/12.92

S/9.85

S/9.61

Envase tipo carrete

S/8.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

240 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench

FDD86567-F085
onsemi
1: S/12.22
3,175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86567-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86567_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK<BR>N-Channel PowerTrench

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Hoja de datos

3,175En existencias

Cinta cortada

S/12.22

S/7.94

S/5.53

S/4.67

S/4.44

Envase tipo carrete

S/3.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH104N60F-F085
onsemi
1: S/24.64
779En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCH104N60F-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FCH104N60F_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

779En existencias

S/24.64

S/14.17

S/12.77

S/12.69

S/12.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

275 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH041N65F-F085
onsemi
1: S/38.19
368En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCH041N65F-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FCH041N65F_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

Hoja de datos

368En existencias

S/38.19

S/32.74

S/32.31

S/32.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

76 A

96 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

234 nC

- 55 C

+ 150 C

595 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH077N65F-F085
onsemi
1: S/29.31
892En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCH077N65F-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FCH077N65F_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

Hoja de datos

892En existencias

S/29.31

S/23.24

S/23.20

S/22.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

184 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

126 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET

FDD9409-F085
onsemi
1: S/7.79
1,512En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDD9409-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD9409_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET

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Hoja de datos

1,512En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.28

S/3.54

S/3.25

Envase tipo carrete

S/2.92

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A

FDBL86210-F085
onsemi
1: S/25.65
8,582En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86210-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86210_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A

Hoja de datos

8,582En existencias

Cinta cortada

S/25.65

S/17.44

S/12.92

S/12.88

Envase tipo carrete

S/10.51

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

150 V

169 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

FDN5632N-F085
onsemi
1: S/4.05
Plazo de entrega 20 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDN5632N-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDN5632N-F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

Hoja de datos

Plazo de entrega 20 Semanas

Cinta cortada

S/4.05

S/2.53

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.954

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SSOT-3

N-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

98 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench

FDBL86361-F085
onsemi
1: S/25.50
2,108En existencias
2,000Se espera el 22/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86361-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86361F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL<BR>N-Channel PowerTrench

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Hoja de datos

2,108En existencias

2,000Se espera el 22/04/2026

Cinta cortada

S/25.50

S/16.93

S/12.92

S/12.81

Envase tipo carrete

S/10.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

FDD86367-F085
onsemi
1: S/11.33
1,737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86367-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86367_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

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Hoja de datos

1,737En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/7.36

S/5.10

S/4.20

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench

FDBL86561-F085
onsemi
1: S/24.02
352En existencias
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86561-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86561F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL<BR> N-Channel PowerTrench

Obtenga más información

Hoja de datos

352En existencias

4,000En pedido

Cinta cortada

S/24.02

S/16.39

S/11.91

S/11.87

S/11.79

Envase tipo carrete

S/9.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

FDD86369-F085
onsemi
1: S/8.72
42En existencias
2,500Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDD86369-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86369_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

Obtenga más información

Hoja de datos

42En existencias

2,500Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/8.72

S/5.61

S/3.79

S/3.03

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

FDC5661N-F085
onsemi
1: S/3.35
2,240En existencias
15,000Se espera el 27/03/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDC5661N-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDC5661N-F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,240En existencias

15,000Se espera el 27/03/2026

Cinta cortada

S/3.35

S/2.21

S/1.46

S/1.12

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.825

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SSOT-6

N-Channel

1 Channel

60 V

4.3 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86366-F085
onsemi
1: S/10.90
2,715Se espera el 23/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86366-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86366_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,715Se espera el 23/03/2026

Cinta cortada

S/10.90

S/8.29

S/7.28

S/6.93

S/6.85

Envase tipo carrete

S/5.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

220 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench

FDBL86563-F085
onsemi
1: S/23.20
3,680Se espera el 17/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86563-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86563_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench

Obtenga más información

Hoja de datos

3,680Se espera el 17/02/2026

Cinta cortada

S/23.20

S/15.41

S/11.37

S/11.25

S/11.21

Envase tipo carrete

S/9.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

240 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 75A 0.015ohm N-CH

HUFA76645S3ST-F085
onsemi
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
HUFA76645S3ST-F085

N.º de artículo de Mouser
512-HUFA76645S3ST085

Pedido especial de fábrica

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 75A 0.015ohm N-CH

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

Cotización

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

14 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

153 nC

- 55 C

+ 175 C

310 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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